用等离子体增强化学汽相沉积方法制备纳米晶粒硅薄膜光致发光

报道用高氢稀释硅烷为反应气源，用等高子体增强化学汽相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的含有纳米晶粒硅薄膜，未经任何后处理过程，在室温下观察到可见光致发光。将此光发射归因于纳米硅晶粒中的光生载流子在量子尺寸效应下所产生的光子能量高于硅单晶本体能隙，还对发光具有重要影响的一些淀积参数进行了研究。 关键词：     

氢离子束通过气体靶获得中性束的实验结果

本文介绍了氢离子束通过气体靶,获得中性束的实验结果;测量了中性转换效率与离子能量(20—100千电子伏)、靶厚的关系。     

非晶硅薄膜晶化过程中微结构的分析

使用X射线衍射技术和高分辨率电子显微镜(HREM),分析研究了在非晶硅薄膜由非晶相向微晶相转化过程中其网络结构的变化特征,由此,给人们一个直观的信息,并加深对非晶硅薄膜微结构的认识。 关键词：     

DEPOSITION OF HIGH QUALITY AMORPHOUS SILICON FILMS WITH STRONG HYDROGEN DILUTED SILANE AS REACTANT GAS SOURCE

By using strongly hydrogen diluted silane as a reactant gas source [C(=SiH₄/(SiH₄+H₂))<5%] in a conventional diode PECVD system, we have deposited high quality a-Si:H films which exhibit almost no Steable-Wronski (S-W) effect, The [H] radical in rf plasma erodes the growing surface and eliminates the weak Si-Si bonds, thus re-ducing the density of metastable defects of a-Si:H films and causing the amorphous network to be more perfect. Our results show that as C value decreases from 5.4 % to 0.8 %, the peak location of TO mode in Raman spectra changes from 480 to 500 cm^-1, the average distortion of bond angles Δθ, which is calculated from the width of half full height of TO peaks, reduces from 9.0° to 3.8°. The hydrogen content C_H of the samples which show almost no S-W effect is less than 10at%.     

非晶硅超晶格

半导体超晶格是1970年在美国IBM公司工作的江崎等人首先提出来的.随着分子束外延技术(MBE)的发展,已在七十年代实现了这种能达到原子量级、能进行精细加工的人造晶格结构.由于它具有一系列新颖的物理性能,越来越受到学术界的重视.人们认为,在不久的将来有可能采用各种超晶格结构制成新型电子器件,这种器件将会在各个领域里起主导或取代现有器件的作用. 从1983年起。在多次国际会议上已提出了一种新型的超晶格──非晶态半导体超晶格,或称为非晶态半导体多层膜结构.美国EXXON公司的B.Abeles和T·Tiedje首先著文介绍了这一新颖的工作[1]…     

尿多胺含量与血液系统恶性肿瘤关系的研究——毛细管气相色谱分析尿中多胺

用毛细管色谱柱配以氮磷检测器测定尿中多胺,对几例白血病患者和正常人尿中多胺定性和半定量。结果表明白血病患者尿中多胺总量高于正常人;化疗后较化疗前尿多胺含量明显降低。本法在临床诊断、治疗监视和预后方面均有重要意义。     

学习直线与圆的位置关系中需掌握的几个要点

圆是初中数学的重要内容 ,是全国各地中招考试考查的重要知识点 .特别是直线和圆的位置关系 ,中考是必考无疑 ,而且题型多 .从难易程度看 ,低、中、高档题都有 ;从出题方式看 ,有填空题、判断题、选择题、计算题或证明题 ,近年还出现了一些圆的应用题及开放型问题 ,设计型问题 .许多压轴题都综合了圆的知识 .同学们一定要学会圆的各节知识 ,并要融会贯通 .以下谈谈对直线和圆的位置关系的学习过程中应注意的几个要点 ,并一一举例说明 ,供读者参考 .1 .注意了解本节知识的结构2 .掌握直线和圆的位置关系各种情形的判定方法直线和圆的位置关系…     

晶化对A-Si:H膜中氢含量及键合形式的作用

本文研究了A-Si:H薄膜中氢原子总含量及硅-氢键合形式随薄膜中晶化程度的变化规律。指出,当晶粒大小为200±50?范围氢含量陡然下降,硅-氢键合由Si-H明显地向Si-H₂转化。认为,200±50?是微晶硅膜向多晶硅膜转化的一个相交点。 关键词：     

多波长数据线性回归法分光光度同时测定微量钼和钨

本文报道用多波长数据线性回归法同时测定微量钨和钼。酸度为1.0-1.3N,在55±1℃下加热20分钟,形成Mo(W)-BPR-Zeph.配合物,以柠檬酸作掩蔽剂消除干扰,选择波长区间为616-644nm测定吸光度。对两种标准合金钢进行测定,其结果相对平均偏差最大值为4％,相对误差最大值为7％。天然水中加入12μgW(MO)/25ml回收率在100-106％之间。     

立体选择性萃取分离反式DV菊酸对映体

研究了反式DV菊酸对映体在含有手性选择体酒石酸酯的水-有机相双相体系中的萃取分配行为,考察了有机稀释剂种类、酒石酸酯的浓度、温度、水相的pH值、酒石酸酯烷基链长度对分配系数(D)和分配因子(α)的影响.研究表明:三氯甲烷作稀释剂时萃取分离效果较好;温度升高使分配系数增大,分离因子减小;分配系数随pH的升高而降低,随着酒石酸酯浓度的增大而增大,分离因子随pH的升高和酒石酸酯浓度的增大先增加后降低,pH和酒石酸酯浓度分别为4.50和0.40mol/L时取得较好的分离效果;取代烷基链长对分配系数(D)和分离因子(α)亦有较大影响.