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膦系阻垢剂阻碳酸钙垢机理的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
在模拟循环水中, 通过静态阻垢实验研究了HEDP, PBTCA, ATMP和EDTMP对碳酸钙的阻垢性能, 在相同的加药浓度下(按物质的量浓度计)阻垢性能的强弱顺序为HEDP>PBTCA>ATMP>EDTMP; 同时采用分子动力学方法, 模拟计算了阻垢剂负二价离子与方解石(104), (102), (202)和(113)面的相互作用. 结果表明: 阻垢剂分子中的膦酸基团和羧酸基团与碳酸钙中的Ca2+形成的离子键对吸附起到了主要作用, 同时阻垢剂与晶面间存在较弱的范德华力相互作用. 阻垢剂与各晶面的结合能强弱顺序为(113)≥(102)≥(202)>(104); 分子中的羟基易与垢晶面形成氢键而加强阻垢效果; 羧基的位置不同对阻垢作用的影响不同. 将静态阻垢的实验结果与分子动力学模拟结果进行了相关性分析, 发现阻垢剂在(104)面和(102)面上的吸附对阻垢作用的贡献较大. 相似文献
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Wide-Band Polarization-Insensitive High-Output-Power Semiconductor Optical Amplifier Based on Thin Tensile-Strained Bulk InGaAs 总被引:2,自引:0,他引:2
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A polarization-insensitive semiconductor optical amplifier (SOA) with a very thin active tensile-strained InGaAs bu/k has been fabricated.The polarization sensitivity of the amplifier gain is less than 1 dB over both the entire range of driving current and the 3dB optical bandwidth of more than 8Onto.For optical signals of 1550nm wavelength,the SOA exhibits a high saturation output power 7.6dBm together with a low noise figure of 7.SdB, fibre-to-fibre gain of 11.5dB,and low polarization sensitivity of 0.5dB.Additionally,at the gain peak 1520nm,the fibre-to-fibre gain is measured to be 14.1 dB. 相似文献
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ICP/AES操作条件及氢化物发生条件对As,Se和Ge光谱信号影响的… 总被引:1,自引:1,他引:0
本文较系统地研究了ICP/AES操作条件及酸介质。HaBH4溶液溶度对As,Se和Ge谱线强度以及信背比的影响,讨论了这些元素的最佳检测条件,考察了一些共存元素对氢化物光谱信号的影响,观察到As,Se和Ge氢化物发生中Ge的光谱信号的一些特殊行为,及Cu对Ge的氢化物光谱信号的增强。 相似文献
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