闪光照相中X光能谱对有效吸收系数的影响

 研究闪光照相中影响材料有效吸收系数的两个主要因素，即X光的能谱效应和散射影响。用Monte-Carlo方法对闪光照相系统的客体各种组成材料的有效吸收系数进行数值模拟；求出不考虑散射而仅受能谱影响的有效吸收系数及其空间分布，发现该分布类似于医学CT数的分布规律，在高光程数对应的位置上该吸收系数较低；也得到了在20MeV闪光机情况下，客体各种组成材料的单个平均吸收系数。结果表明：钨、铝和铁的平均等效吸收系数分别近似为0.830，0.080和0.265cm ^-1。     

Edge method for measuring source spot-size and its principle

The edge method is used to measure the source spot-size. In this paper, the measuring principle and applying range are discussed. It is shown that the method can directly be used to measure the spot-size of either light source, or low-energy x-ray source, or x-ray source with an energy higher than 250 keV.     

用剥层法确定线吸收系数空间分布

剥层法MPL(method of peering layer)使用于嵌套圆环模型。该法仅适用于具有轴对称性的客体(如球体或柱体)。剥层法是用客体投影区内各像素的光学密度Din、投影区外一像素的光学密度Dout以及它们对应的照相距离din，dout和直散比DSRin和DSRout等参量求出客体各层材料的线吸收系数μl。     

利用数值模拟测量闪光照相中H-D曲线

 在分析高能闪光照相中传统实验方法不足的基础上,提出了采用Monte Carlo模拟结果来建立底片光学密度与照射量之间的关系,并对一个球对称客体进行了实验照相。采用Monte Carlo方法分析了底片光学密度分布左右不对称的各种因素,认为底片光学密度分布左右不对称主要是照相器件几何对中不理想造成的,并说明了底片光学密度左右平均的合理性。在此基础上介绍了H-D曲线的生成方法,采用Silberstein理论得到了具有较高精度的H D曲线。这种结合Monte Carlo模拟的H-D曲线测量方法不但避免了照射量测量误差,而且还考虑了H-D曲线对X射线能谱的依赖关系,更能体现实际情况,具有较高的精度。可用于球对称客体或柱对称客体的辐射照相。     

级数展开法求静电势分布的统一公式

利用泰勒级数展开的二阶近似法求解任意边界区域内的静电泊松方程,给出了二维区域内静电势和静电场的空间分布.在物理问题的对称轴上使用罗必达法则求解.各类几何形状的边界处理中,使用了一套统一的求电势公式,从而简化了问题的复杂性,使程序编制精练化.     

有效线吸收系数能谱效应综合法研究

利用综合法（照射量传递函数法、剥层法和MC数值模拟法）研究了闪光照相中法国实验客体FTO（French Test Object）中各种材料的有效线吸收系数.结果表明：在照相过程中,随着X光穿透的加深,其能谱不断地向材料最小质量吸收系数对应的能量值演变并窄化.在这样的能谱效应下,有效线吸收系数随着穿透材料厚度的加深而减小.铜的平均有效线吸收系数为0.299（1±3.0%）cm-1,钨的平均有效线吸收系数为0.829（1±2.7%）cm-1.在图像重建中,利用上述的有效线吸收系数能够得到高精度的材料密度分布.     

高能闪光照相中钨球散射规律研究

 用解析法和Monte Carlo法研究了钨球闪光X光照相的散射照射量空间分布随钨球半径、系统中元件构成以及保护器件与记录平面间距的变化规律。指出散射照射量的空间分布是不均匀的，它随球半径增加而变大；保护器件是散射照射量的主要来源，增加从保护器件到记录平面的距离，可以降低散射分布不均匀性，以及有效地减少散射。     

闪光照相多孔准直器的初步数值试验

高密度客体的闪光照相系统的散射光很强，因而常用多孔准直器方法来扣除。本文针对仅有客体的系统和既有客体、又有其它器件的系统，利用单孔准直器来研究后接收平面上总照射量的组成情况，以便论证多孔准直器方法对于各种系统的适用性。计算表明，对于仅有客体的系统，直穿分量占总照射量的９９％以上；对于既有客体、又有其它器件的系统，直穿分量占总照射量的９６％以上；对于既有客体、又有其它器件的系统，直穿分量Ｈ中总照射量     

10MeV LIA传输聚焦系统的元件参数选取和聚焦性能的数值计算

采用束流矩阵法对１０ＭｅＶＬＩＡ传输聚焦系统磁元件的位置布局进行了数值计算，给出了电子束在整个系统中的包络图，特别是束包络在靶附近的行为，对系统磁元件布局的优化进行了计算研究。着重计算了磁透镜参数的变化对系统聚焦性能的影响，探讨了实现电子束成功打靶的调试途径。     

高能闪光照相D／S比的解析分析

用解析法分析了一般动态照相系统中图象的最小Ｄ／Ｓ比，并定性推导出相应表达式，指出了散射辐射主要由客体和后保护锥造成，而且后者起决定性作用。