高斯分布及其截断和抽样

详细推导了高斯分布的轴对称电子束的截断方法和确定截断因子的表达式。结果表明在截断因子为０．９时的电子束发射等于均方根发射度的二倍，而当电子束发射率高于均方根发射度时的截断因子仅为０．５９。给出了四维坐标变量的几率密度函数公式，并简述了相应的抽样方法。     

高功率电子束横向分布特性的间接测量

用调制传递函数方法间接地确定高功率电子束的横向分布特性，结果表明，这一横向分布和具有一定比例的高斯分布和本涅特分布的某个组合来表征特性。     

热晕小尺度不稳定性实验研究

本文报导了STRS不稳定性的模拟实验结果,研究了正弦强度分布的小尺度扰动源在热晕介质中传播的不稳定性发展情况,对不同扰动空间周期、不同光功率下小尺度不稳定性的增长做了一些实验研究,证实了激光在介质传播中,热晕将导致小尺度不稳定性的指数增长。     

电子束亮度及多孔板法测量发射度的原理

本文探讨了利用多孔板法测量四维横向相空间中均匀分布以及高斯分布的电子束发射度的测量原理。结果表明,对于四维均匀分布的电子束,该法测量的是电子束的边发射度,并且光斑尺寸随着小孔位置不同而变化;对于高斯分布的电子束,该法测量的是电子束的均方根发射度,其光斑尺寸与小孔位置无关。     

束参量对X射线照射量的影响

用蒙特卡洛方法来讨论束参量（半径、发射度和能量)对轫致辐射照射量的影响．结果表明，当束击靶半径一定时，靶正前方一米处的照射量X1随发射度增加而减小；当发射度一定时，照射量先随半径增加而急速增加，在束半径大于Rbm后，随半径进一步的增加而缓慢降低．也研究了束参量对照射量角分布的影响．因为使用了电子束的K—V分布，所得X1值是偏于保守的．     

闪光照相中散射成分的解析估算

利用高能闪光照相技术可以诊断穿透客体的几休整结构和密度分布。但是散射辐射成分强烈地干扰从成象平面正确地提取有价值的信息。本文解析分析了一定位形的照相系统在图象中最小直穿辐射强度与散射辐射强度之比值的下限，并推导出相应的表达式。用此表达式估算几种照相实例的直穿／散射比，结果与蒙特卡罗法计算之值基本一致。     

第九届高功率粒子束国际会议

1992年5月25日至29日在美国华盛顿由美国海军研究实验室和马里兰大学联合举办了第九届高功率粒子束国际会议(Beams’92)。参加会议的300余名代表分别来自美、日、前苏联和中国等15个国家和地区,其中美国代表约占一半,前苏联代表80余人(全部费用由美国提供),我国代表8人。会议总共公布了393篇论文,大会报告48篇。会议的宗旨是交流上届会议以来与高功率粒子束科学及应用有关的新思想和新进展,包括高功率粒子束物理和技术、脉冲