一维ZnE(E=S,Se)网状微米晶须的化学气相合成及生长机理研究

以Zn粉为原料,在CuE(E=S, Se)微米球的辅助下,采用化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上成功制备出微米级ZnE(E=S, Se)网状晶须.用XRD,EDS,SEM和PL谱分别对产物的结构、成分、形貌和结晶质量进行了测试和分析.结果表明:生长的ZnS和ZnSe微米晶须均为立方闪锌矿结构,长度达300 μm以上,具有接近理想化学计量比的成分和较高的结晶质量.ZnE微米晶须的生长符合氧化还原反应下的气-液-固生长机制,Cu3Zn合金充当了实际的微米晶须生长催化剂,在晶须生长过程中Cu3Zn合金汇聚在一起使ZnE微米晶须形成交叉网状结构.     

低阻值In掺杂CdZnTe晶体的退火改性

以Cd_(1-y)Zn_y合金作退火源,对采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)生长的In掺杂的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶片进行退火改性.结果表明:与退火前相比,退火后晶片的成分均匀性提高,Cd、Zn和Te三种元素的含量更接近理想的化学计量比,平均红外透过率由12;提高到59;,电阻率从3.5×10~6 Ω·cm提高到5.7×10~9 Ω·cm,且在PL谱中出现了代表晶体质量的(D~0,X)发光峰.在合适的条件下对低阻值In掺杂的CdZnTe晶体进行退火改性可较好的提高晶体的性能.     

开放体系优化ZnSe多晶原料化学计量比

本文采用开放体系对两单质加反应促进剂I2合成的ZnSe多晶原料进行了提纯.以高纯氩气为保护气体,提纯温度分别为500 ℃、550 ℃和800 ℃.能谱分析(EDS)和热重图谱(TG)结果表明:800 ℃处理后的ZnSe多晶原料,其化学计量比与理想化学计量比非常接近,而且升华开始温度提高到了850 ℃以上.运用化学气相输运(CVT)法进行晶体生长结果进一步表明,以800 ℃处理后的ZnSe多晶为原料时,消除了单质Se在生长区沉积对晶体成核生长的影响,达到了CVT法晶体生长对原料的要求.此外,以混合气体(H210;+Ar 90;)作为保护气时,在同等条件下处理后的ZnSe多晶原料,其化学计量比更加接近理想化学计量比,较氩气保护下的处理效果要好.     

层状岩体的Cosserat介质均匀化

将层状岩体视为由Cosserat介质组成的复合体,对其进行均匀化等效,在MATLAB平台上进行有限元编程,得到新等效本构关系。不仅能反映层状岩体的弯曲特性,而且可以对节理岩体的力学性能进行宏观和细观描述。通过对洞室算例进行显式节理模型、横观各向同性模型以及均匀化Cosserat等效模型三种方法的数值计算比较,证明理论分析与计算方法可行有效。     

大口径毛细管气相色谱检查药物中残留溶剂的方法研究

 以药物合成中常用的 16种有机溶剂为研究对象 ,建立了用大口径毛细管柱检查残留有机溶剂的气相色谱法 ,并考察了不同极性的色谱柱及不同提取溶剂对分离与检测的影响。实验表明 ,根据原料药合成中可能存在的残留溶剂 ,选用适当的提取溶剂 ,采用大口径毛细管气相色谱法检查 ,可获得较满意的结果。     

巯基钴卟啉自组装膜的表征及催化性能

用自制的新型尾式巯基钴（Ⅱ）卟啉在金电极上制成自组装单分子膜,并用ＸＰＳ,ＳＥＭ和电化学的方法进行了表征。该膜对抗坏血酸具有良好的催化作用,其氧化过电位较裸金电极上降低了１４０ ｍＶ,响应电流与抗坏血酸（ＡＡ）的浓度在 ７．８ × １０－５ｍｏｌ／Ｌ～１．０×１０－２ｍｏｌ／Ｌ的范围内具有良好的线性关系,相关系数为 ０．９９８１;检测下限为 １．３ × １０－８ｍｏｌ／Ｌ（富集 １０ｍｉｎ）。     

热敏性磁性高分子微球同蛋白质的相互作用

热敏性磁性微球被用于人血清白蛋白（ｈｕｍａｎ ｓｅｒｕｍ ａｌｂｕｍｉｎ ,ＨＳＡ） 的吸附／ 解吸研究,考察了温度、ｐＨ 值、蛋白质浓度以及保温时间等因素对蛋白质吸附／ 解吸的影响,结果显示微球对蛋白质的吸附／ 解吸具有明显的温度依赖性;ｐＨ 值增大使蛋白质的吸附量减小;延长保温时间和增大蛋白质的初始浓度均有利于增加蛋白质的吸附量．     

谈谈用特例解立体几何客观题

本文所指特例是针对某一类图形而言具有特殊结构或特殊数量关系的几何图形 ,它们除了具有这一类图形的基本特征外 ,还有结构简洁、独特具体等特点 .在解答立体几何客观试题时 ,如果题目涉及一类图形的一般特征 ,那么这一特征也可以通过其中某些特殊图形反映出来 .这样 ,我们只要构造出这类图形中的特例 ,就能迅速找到正确答案 .根据不同的问题 ,我们归纳了以下四条途径供大家参考 .1　构造特殊的平面图形例 1　面积为Ｓ的菱形绕一边旋转一周所得旋转体的表面积为 (　　 )(Ａ) 2πＳ .　 (Ｂ) 3πＳ .　 (Ｃ) 4πＳ .　 (Ｄ) 6πＳ .分析 :正…     

Rectifying effect of heterojunction fabricated in freestanding thin film of polyaniline containing azobenzene side-chain

An innovative heterojunction is fabricated between two sides of a freestanding thin film of HCl-doped polyaniline (PANI) derivative containing azobenzene side-chain, which is synthesized through an N-alkyl-substituted reaction. Of the film, the side with being irradiated by UV light during preparation is represented as `A side'; the other side without being irradiated is represented as `N side'. The electrical properties of the heterojunction are measured and the rectifying effect is observed in the {current--voltage} characteristic curves with the values of rectifying ratio (γ) being 20 at ±0.06 V at T= 77K and 4 at ±0.02V at T=300 K separately.