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141.
为实现机械相控阵列天线的波束扫描,采用步进电机驱动螺旋天线单元转动来达到预定的辐射相位。为了优化步进电机的开环控制,研究运行曲线对步进电机控制性能的影响,提高步进电机控制速度和精度。根据步进电机及控制系统的工作原理,建立了基于Simulink的步进电机开环控制系统仿真模型,并在此基础上对梯形和抛物线两种运行曲线进行了仿真研究。仿真结果表明,该仿真模型能精确实现两种运行曲线对步进电机的控制,在100 ms的控制周期内,采用梯形运行曲线步进电机的最大无失步转动角度能够达到270°,而采用抛物线运行曲线时其转动角度能够达到360°,抛物线运行曲线在开环控制系统中具有更高的控制速度。 相似文献
142.
倒装芯片塑料球栅阵列(FC-PBGA)封装形式独特而被广泛应用, 分析研究其在实际应用过程中, 在高温、电、水汽等多种综合环境应力条件作用下的失效机理对提高其应用可靠性有重要意义. 本文对0.13 μm 6层铜布线工艺的FC-PBGA FPGA器件, 通过暴露器件在以高温回流焊过程中的热-机械应力为主的综合外应力作用下的失效模式, 分析与失效模式相对应的失效机理. 研究结果表明, FC-PBGA器件组装时的内外温差及高温回流焊安装过程中所产生的热-机械应力是导致失效的根本原因, 在该应力作用下, 芯片上的焊球会发生再熔融、桥接相邻焊球致器件短路失效; 芯片与基板之间的填充料会发生裂缝分层、倒装芯片焊球开裂/脱落致器件开路失效; 芯片内部的铜/低k互连结构的完整性受损伤而影响FC-PBGA器件的使用寿命. 相似文献
143.
利用超高速相机,在曝光时间100 ns时,对不同能量下激光在氮气气体开关中形成的火花通道进行拍照,得到了不同焦距下激光波长266 nm时激光火花通道长度与激光能量的关系。开展了激光触发气体火花开关的实验研究,激光触发开关延时、抖动随激光能量的增加而减小。将火花通道长度与激光触发开关的特性进行了分析,气体开关的抖动随着激光火花通道长度的增加而减小,当火花通道沿电极间轴向长度达到开关电极间距40%时,开关的抖动为亚ns量级。 相似文献
144.
145.
146.
使用被氯化钠溶液浸湿的2片滤纸包住锌片和铜片,连接好电流表构成原电池,使学生能够直观地看到吸氧腐蚀的现象,推测出原电池正负极的电极反应原理,从而进一步理解课本中的铁的吸氧腐蚀是由于铁钉中含有碳等杂质与铁形成的微电池的电化学腐蚀原理。 相似文献
147.
基于有限元分析的特征值反问题求解的逆摄动方法 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究特征值反问题的求解方法,根据广义特征值反问题理论和有限元法的特点,以转子系统平面梁单元有限元模型结构分析的特征值反问题求解为例,给出一种新的逆摄动方法,给出了本逆摄动法较完整的理论基础,给出了其逆摄动参数的显式计算公式及相应的取值方法,本逆摄动法也可推广到其他单元类型的有限元模型特征值反问题的求解。 相似文献
148.
149.
Improvement of total-dose irradiation hardness of silicon-on-insulator materials by modifying the buried oxide layer with ion implantation 下载免费PDF全文
The hardening of the buried oxide (BOX) layer of separation by implanted
oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers against total-dose irradiation
was investigated by implanting ions into the BOX layers. The tolerance to
total-dose irradiation of the BOX layers was characterized by the
comparison of the transfer
characteristics of SOI NMOS transistors before and after irradiation to
a total dose of 2.7
Mrad(SiO2. The experimental results show that the implantation of
silicon ions into the BOX layer can improve the tolerance of the BOX layers
to total-dose irradiation. The investigation of the mechanism of the
improvement suggests that the deep electron traps introduced by silicon
implantation play an important role in the remarkable improvement in
radiation hardness of SIMOX SOI wafers. 相似文献
150.
配位交联的NBR/PVC合金的制备及表征 总被引:6,自引:0,他引:6
橡胶通常是通过共价键将线型高分子交联成三维网状结构,而交联过的橡胶不溶不熔,很难再生利用,对环境造成严重污染,为了解决橡胶材料再生利用问题,许多人尝试将一些非共价键用于橡胶的交联,如热塑性弹性体(物理交联)、离子弹性体Ⅲ及通过氢键交联的橡胶,然而由于上述非共价键作用较弱,导致材料力学性能较差及高温使用性能下降,配位键是所有非共价键中最强的键, 相似文献