基于频散特征的单水听器模式特征提取及距离深度估计研究

针对浅海环境中低频宽带水声脉冲信号, 研究基于频散特征结合时频分析的单水听器距离和深度估计方法. 以简正波理论为依据, 将单水听器上的接收信号表示成一系列传播模式之和的形式, 分析了经典波导环境下的频散现象, 采用自适应径向高斯核函数的时频分析方法来表征接收信号的频散特征. 为提高时频分辨率, 采用自适应径向高斯核函数的时频分布来提取频散关系曲线中传播模式的到达时间差, 利用模式的到达时间差估计声源的距离. 采用多模式联合匹配的方式, 通过二值掩模滤波的时频滤波方法, 提取所需的模式. 通过计算实际提取出的模式能量与预测的模式能量之间的误差, 建立代价函数, 并通过模式能量匹配的方式, 确定声源的深度. 通过对基于Pekeris波导模型的浅海环境进行仿真验证, 结果表明: 自适应径向高斯核函数的时频分析方法能够很好地反映信号本身的频散特征, 具有较高的时频分辨率, 克服了传统短时傅里叶变换时频表征的限制, 使得模式在时频域更加容易辨识和分离; 从测距效果来看, 不同模式组合下的距离估计结果不同, 采用在时频面上具有较高能量的模式, 可得到较为准确的距离估计; 选用高能量的模式所得的距离估计的相对误差小于2%. 在定深方面, 参与联合匹配的模式个数越多, 代价函数的峰值更加地尖锐, 同时具有低的伪峰, 深度估计的性能会进一步有所提升. 该工作对于研究低频水声脉冲信号的分离和提取具有重大意义. 关键词： 频散信道 时频分析 单水听器 定位     

Micro-track structure analysis for 100 MeV Si ions in CR-39 by using atomic force microscopy

To analyze the micro-track structure of heavy ions in a polymer material,parameters including bulk etch rate,track etch rate,etch rate ratio,and track core size were measured.The pieces of CR-39 were exposed to 100 MeV Si ions with normal incidence and were etched in 6.25N NaOH solution at 70 C.Bulk etch rate was read out by a profilemeter after several hours of etching.The other parameters were obtained by using an atomic force microscope(AFM)after a short time of etching.We have measured the second etch pits and minute etch pits to obtain the track growth curve and three dimension track structures to track the core size and etch rate measurements.The local dose of the track core was calculated by theδ-ray theory.In our study,we figure out that the bulk etch rate Vb=(1.58±0.022)μm/h,the track etch rate Vt=(2.90±0.529)μm/h,the etch rate ratio V=1.84±0.031,and the track core radii r≈4.65 nm.In the meantime,we find that the micro-track development violates the traditional track-growth model.For this reason,a scenario is carried out to provide an explanation.     

Passive Q-Switching Modelocked Yb^3＋ -Doped Fibre Laser with GaAs Absorber Grown at Low Temperature

GaAs absorber was grown at low temperature (550℃) by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD)and was used as an output coupler with which we realized Q-switching modelocked yb^3 -doped fibre laser. The shortest period of the envelope of the Q-switched modelocking is about 31μs. The modelocking threshold is 4.27 W and the highest average output pulse power is 290mW. The modelocking frequency is 12 MHz.     

双曲型守恒方程的一类MmB差分格式

给出了一维双曲型守恒律方程的一类高分辨率ＭｍＢ差分格式，并且推广到方程组情形，它具有不须解黎曼问题，计算工作量小且易于编程的优点。数值实验表明格式具有较高的分辨率，处理间断解的能力令人满意。     

脉冲放电激励的钡蒸气激光的研究

设计和制作了新型结构的金属蒸气激光放电管.用钡为激光介质,通过纵向高频快脉冲放电激励,在国内首次实现波长为1.13μm和1.50μm的红外钡蒸气激光振荡,激光成分主要集中在1.50μm这条谱线上,激光输出功率和功率密度分别达1.2W和33.3mW/cm3.测量并讨论了各工作参量和激光输出特性之间的关系.     

Hopping Conductivity in a Single-Walled Carbon Nanotube Network

We investigate the resistance and magnetoresistance （MR） of an entangled single-walled carbon nanotube （SWNT） network. The temperature dependence of conductance is fitted by formula G（T） = Go exp[-（To/T）^1/2] with To = 15.8 K at a wide temperature range from 4 K to 300K. The MR defined by [R（T, H） - R（T, 0）]/ R（T, 0） as a function of temperature and magnetic field perpendicular to the tube axis is negative at low temperatures. The MR amplitude increases as the temperature decreases at relative high temperature, but becomes decrease when temperature below 4 K. The results are explained in terms of the coherent hopping of carriers in the presence of a Coulomb gap at low temperature.     

强CHIP性质和广义限制域逼近的特征

本文研究了广义限制域的最佳逼近问题,在允许有有限个节点的情况下,引入次强内点条件的概念,并将优化理论中的强CHIP性质等概念应用到本文所研究的问题中,刻画了次强内点、强CHIP性质和最佳逼近的特征之间的关系.作为推论,我们得到了广义限制最佳逼近的Kolmogorov型和“零属于凸包”型等特征定理.     

PLC在扁丝机中的应用

本文介绍了可编程序控制器(PLC)在扁丝机改造中的应用,重点介绍了动态下利用PLC的高速计数对扁丝机进行定长控制的方法。     

汽车防抱制动系统的周期解特性

单轮防抱死制动系统 (ABS)可由二维分段非线性微分方程描述。在近似假设基础上 ,提出一种半解析半数值方法 ,分析这种系统的周期解及其稳定性 ,并给出参数对周期解特性的影响规律。数值模拟结果表明上控制边界阈值对周期、幅值和相位差影响最大 ,而 μ S曲线斜率对稳定性和平均耗散功率影响最大     

需求弹性与垄断企业的价格歧视

本给出了垄断企业实行价格歧视的价格比较模型．在垄断企业获取最大利润的前提下，利用需求弹性分析了垄断企业价格歧视的成因，探讨了它们的数量特征，并进一步利用该模型描述了市场需求对垄断企业实行价格歧视的影响。