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891.
从云南省昭通县产的雪上一枝蒿中共分得生物碱五种,其中三种为已知物,即烏头碱、次岛头碱和一枝蒿乙素,另二种为新生物碱,暂名为一枝蒿戊素和己素。一枝蒿戊素的分子式为C24H39O6N,其示性式为C19H22(OH)3(OCH3)3-(N·C2H5);一枝蒿己素的分子式为C24H39O7N,其示性式为C19H21(OH)4(OCH3)3(N·C2H5);另从云南省东川县出产的雪上一枝蒿中,尚分得一新生物碱,暂称为一枝蒿庚素,分子式为C21H31O3N,其示性式为C19H24(:O)(OH)2(N·C2H5)。 相似文献
892.
893.
894.
通过单体插层原位本体聚合的方法, 制备了多种不同含量的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)/蒙脱土/介孔分子筛(无模板剂)复合材料. 研究了不同结构填料与基体间的界面作用, 以及不同结构填料的比例变化对复合材料性能的影响. 研究结果表明: 有机蒙脱土(OMMT)与介孔分子筛MCM-41(无模板剂)共同作为填料, 与基体发生较强的界面效应, 形成新型网络复合结构, 两种粒子起到了协同增强作用|当有机蒙脱土(OMMT)/介孔分子筛(MCM-41)混合填料(比例为1∶1)含量为0.5%时, PMMA基纳米复合材料的拉伸强度达到最大值49.0 MPa, 比PMMA提高了15%|同时添加OMMT和MCM-41的PMMA基纳米复合材料的热稳定性高于单独添加OMMT或MCM-41的PMMA基复合材料. 相似文献
895.
896.
坩埚下降法生长钨酸镉闪烁单晶的晶体缺陷 总被引:1,自引:0,他引:1
采用坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过光学显微镜、电子探针观察分析了所获CdWO4单晶的典型晶体缺陷,包括晶体开裂、丝状包裹物和晶体黑化.结果表明,CdWO4单晶存在显著的解理特性,常出现因热应力导致的沿(010)解理面的晶体开裂;当采用富镉多晶料进行单晶生长时,所获单晶棒的下部常出现沿轴向分布的丝状包裹物,电子探针分析证实这种丝状包裹物是熔体内过量CdO沉积所致;在氮气氛中进行高温退火处理,CdWO4单晶还会出现黑化现象. 相似文献
897.
The influence of labyrinth seal on the stability of unbalanced rotor system was presented . Under the periodic excitation of rotor unbalance , the whirling vibration of rotor is synchronous if the rotation speed is below stability threshold, whereas the vibration becomes severe and asynchronous which is defined as unstable if the rotation speed exceeds threshold . The. Muszynska model of seal force and shooting method were used to investigate synchronous solution of the dynamic equation of rotor system. Then , based on Floquet theory the stability of synchronous solution and unstable dynamic characteristic of system were analyzed. 相似文献
898.
899.
900.
Single-walled carbon nanotubes (SWNTs) were synthesized by pyrolyzing
methane (CH4) at a temperature of 900℃ on SiO2 substrates
pre-coated with iron nano-particles. Electrical contacts were fabricated
onto one of the SWNTs by using an electron beam lithography process. Coulomb
blockade and single-electron tunnelling characters were found at low
temperatures, indicating that the SWNT in-between the electrodes forms a
quantum dot. It is found that the Coulomb gap of the quantum dot is about
8.57 meV, and the factor \alpha , which converts the gate voltage to the
true electrostatic potential shift, is around 200 for this device. 相似文献