二维谐振子的双波描述

采用双波函数量子理论,研究了二维谐振子力学量的时间演化方程及其经典极限,并给出了二维各向同性谐振子守恒量的表达式。     

分离作用RFQ膜片电极的优化设计

用RELAX3D模拟分离作用射频四极场(SFRFQ)加速结构中傍轴下的电场分布，并分析了膜片孔径、加速间隙等参数对粒子能量增益的影响，找到了设计SFRFQ电极的一般方法，使得在极间电压为70kV的情况下(以O⁺为例)，粒子通过一个周期单元，可获得100keV以上的能量增益，小球微扰法的测量值与模拟结果能很好的符合. 关键词： 分离作用射频四极场 RELAX3D 能量增益 反场     

强流RFQ加速器的匹配设计方法研究

模拟计算和束流实验证明不匹配是直线加速器中强流束产生束晕的直接原因. 束晕的产生将导致束流品质下降和束流丢失, 也使得不匹配成为引起束流丢失的主要原因. 为了提高强流RFQ加速器中束流的传输品质和提高传输效率, 在分析了RFQ加速器中束流不匹配的原因之后, 提出了基于常规四部曲方法的匹配动力学设计方法. 该设计方法可以有效地抑制发射度增长和提高束流的传输效率.     

分离作用RFQ加速系统研究进展

介绍了SFRFQ加速系统的最新研究进展. 为验证SFRFQ结构的抗打火性能, 设计了一个高功率模型腔, 进行了高功率打火实验, 并最终证明了该结构的可行性. 为验证SFRFQ加速器的载束性能, 设计了一台长度仅为1m的600keV O⁺ SFRFQ加速器, 它将把从1MeV ISR RFQ引出的O⁺离子加速到1.6MeV. 为解决1MeV ISR RFQ引出束流与SFRFQ加速器的横向匹配问题, 在其间插入了一个三单元磁四极透镜. SFRFQ加速器加工和1MeV ISR RFQ改造的进展顺利.     

350MHz强流质子RFQ加速器工艺腔的研制与测量

为研究强流质子RFQ加速腔的设计与加工工艺,研制了一台全尺寸无氧铜工艺腔.本文介绍了其物理设计与机械设计、机械加工与钎焊工艺研究及其高频性能的测量和调节.经调节,RFQ工艺腔可以达到较为理想的电场分布,其4个象限电场分布的一致性和平整度均能满足要求,二极场分量也足够小     

复方排铅口服液治疗铅高婴幼儿166例

用已经过动物实验或临床试验证实有排铅、提高免疫功能、提高智力和强身健体作用的维生素C、维生素B1、氨基酸和有机锌、Ge-132等配成的复方排铅口服液,治疗经发铅检查铅高的婴幼儿166例,疗程1－2个月,显效率65.1％、总有效率95.8％,临床疗效比较理想。     

Kerr介质中压缩真空场与耦合双原子依赖强度耦合系统的光子统计性质

研究了存在Kerr介质时依赖强度耦合单模压缩真空场与耦合双原子非共振相互作用系统中光子的统计性质,运用数值方法讨论了系统参数对光子统计性质的影响.结果表明:Kerr介质、失谐量、原子间相互作用、光场初始压缩因子和原子的初始状态对光子的统计性质有较大的影响.     

Zn0.04Cd0.96Te中深能级的红外光电导谱研究

应用红外光电导谱研究半绝缘p型Zn_0.04Cd_0.96Te中的深能级,在温度从4.2到165K范围内,观察到了位于0.24,0.34,0.38,0.47,0.55和0.80eV处6个光电导响应峰.结合4.2K下光致发光谱的测量结果以及对Zn_xCd_1-xTe中深能级发光光谱、深能级瞬态谱等已有的研究结果,对这些响应峰对应的深能级特性进行了讨论 关键词： xCd_1-xTe')" href="#">Zn_xCd_1-xTe 光电导 杂质 深能级     

高速微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体稳态研究

通过光发射光谱监测高速沉积微晶硅薄膜过程中I(H_α^*)/I(SiH^*) 随沉积时间的变化趋势, 分析高速率微晶硅薄膜纵向晶化率逐渐增大的原因. 通过氢稀释梯度法, 即硅烷浓度梯度和氢气流量梯度法来改善材料的纵向均匀性.结果表明: 硅烷浓度梯度法获得的材料晶化率从沉积300 s时的53%增加到沉积600 s时的62%, 相比于传统方式下纵向晶化率从55%到75%的变化有了明显的改善. 在硅烷耗尽的情况下, 增加氢气流量一方面增加了气体总流量, 使得电子碰撞概率增加, 电子温度降低, 从而降低氢气的分解, 抑制SiH_x基团的放氢反应, 同时背扩散现象也得到了一定的缓解, 使得I(H_α^*)/I(SiH^*) 在沉积过程中逐渐增加的趋势有所抑制, 所制备的材料的纵向晶化率在240 s 后维持在53%-60%范围内, 同样改善了薄膜的纵向结构. 关键词： 光发射光谱 高速沉积 微晶硅 纵向结构均匀性     

近红外线列探测器传递函数测试系统

器件的调制传递函数(MTF)表征了光电成像器件对空间频率的对比度传递特性,可以全面地评价其成像性能。随着器件的发展,用MTF来评价器件越来越受到重视。针对近红外InGaAs焦平面器件MTF的测试需求,搭建了一套用狭缝法测试该波段线列器件MTF的系统。系统采用全反射式Offner光学结构将狭缝高质量地成像在待测器件上。成像光学结构由两块共轴的球面反射镜构成,11成像,F数为4;在芯片工作波长为1.7 μm时,在高达8 mm×30 mm的宽视场内,20 lp/mm（对应尺寸25 μm×25 μm的芯片特征频率）处的实测MTF高于0.8,接近衍射极限。利用该系统对8元InGaAs线列探测器进行MTF测试（标称光敏元尺寸为100 μm×100 μm）,6次重复测试得到的MTF数据的标准偏差与均值之比,在截止频率10 lp/mm内小于2%,测量的相对不确定度小于4.7%。