全文获取类型
收费全文 | 315篇 |
免费 | 101篇 |
国内免费 | 135篇 |
专业分类
化学 | 215篇 |
晶体学 | 11篇 |
力学 | 40篇 |
综合类 | 7篇 |
数学 | 38篇 |
物理学 | 240篇 |
出版年
2024年 | 3篇 |
2023年 | 6篇 |
2022年 | 14篇 |
2021年 | 12篇 |
2020年 | 7篇 |
2019年 | 14篇 |
2018年 | 12篇 |
2017年 | 12篇 |
2016年 | 3篇 |
2015年 | 16篇 |
2014年 | 14篇 |
2013年 | 14篇 |
2012年 | 13篇 |
2011年 | 12篇 |
2010年 | 15篇 |
2009年 | 23篇 |
2008年 | 12篇 |
2007年 | 21篇 |
2006年 | 27篇 |
2005年 | 14篇 |
2004年 | 28篇 |
2003年 | 16篇 |
2002年 | 14篇 |
2001年 | 25篇 |
2000年 | 34篇 |
1999年 | 12篇 |
1998年 | 5篇 |
1997年 | 10篇 |
1996年 | 9篇 |
1995年 | 16篇 |
1994年 | 14篇 |
1993年 | 13篇 |
1992年 | 3篇 |
1991年 | 7篇 |
1990年 | 17篇 |
1989年 | 9篇 |
1988年 | 5篇 |
1987年 | 8篇 |
1986年 | 9篇 |
1985年 | 11篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 3篇 |
1978年 | 2篇 |
1966年 | 1篇 |
1963年 | 1篇 |
1960年 | 1篇 |
1958年 | 1篇 |
1955年 | 1篇 |
排序方式: 共有551条查询结果,搜索用时 8 毫秒
461.
在射影几何里,有一类问题要用笛沙格定理来证明,本文对这类问题给出相当简单的证明方法;用笛沙格定理证明的问题,一般是证明三点共线、三线共点、或可归结为这两种类型的问题;而这两类问题有时又可以相互转化;例如:要证明A1A2,B1B2,C1C2三线共点,可转化为证明A1,A2,B1B2∩C1C2三点共线;反之亦然;笛沙格定理:如果两个三点形对应顶点的连线交于一点,则对应边的交点在一直线上;笛沙格定理的逆定理:如果两个三点形对应边的交点在一直线上,则对应顶点的连线交于一点;1 证明三线共点问题在证明三线… 相似文献
462.
463.
464.
465.
466.
Magneto-Transport and Shubnikov–de Haas Oscillations in the Type-Ⅱ Weyl Semimetal Candidate NbIrTe_4 Flake 下载免费PDF全文
We report on magnetoresistance, Hall effect, and quantum Shubnikov–de Haas oscillation(SdH) experiments in NbIrTe4 single crystals, which was recently predicted to be a type-II Weyl semimetal. NbIrTe_4 manifests a non-saturating and parabolic magnetoresistance at low temperatures. The magneto-transport measurements show that NbIrTe_4 is a multiband system. The analysis of the SdH oscillations reveals four distinct oscillation frequencies. Combined with the density-functional theory calculations, we show that they come from two types of Fermi surfaces: electron pocket E_1 and hole pocket H_2. 相似文献
467.
本文对比研究了LaON/SiO2和HfON/SiO2双隧穿层MONOS存储器的存储特性. 实验结果表明,LaON/SiO2双隧穿层MONOS存储器具有较大的存储窗口,快的编程/擦除速度及好的疲劳和保持特性. 其机理在于LaON较大的介电常数有效提高了编程/擦除过程中载流子的注入效率,较小的O 扩散系数减少了界面陷阱,从而减少了保持期间存储电荷通过陷阱辅助隧穿的泄漏. 而且N的结合在界面附近形成了强的La-N,Hf-N 和O-N键,可有效降低编程/擦除循环应力对界面的损伤,使器件具有好的疲劳特性. 此外,研究了退火温度对存储特性的影响,结果表明800 ℃退火样品的存储特性比700 ℃退火的好,这是因为800 ℃时NO退火可在LaON(HfON)中引入更多的N,且能更好释放应力,使介质中缺陷减少.
关键词:
MONOS
双隧穿层
LaON
HfON 相似文献
468.
采用单晶提拉法成功生长出优质的Gd3+/Yb3+共掺铝酸钇晶体。对晶体的结构、分凝系数、光谱和激光性能进行了表征,结果表明:所生长的晶体空间群为Pnma,属于正交晶系,Yb3+的分凝系数为1.13。从偏振吸收和荧光光谱发现,b偏振方向时,晶体在980 nm处吸收截面为2.14×10-20 cm2,适用于InGaAs 激光二极管泵浦;在1 044 nm处的发射截面为0.39×10-20 cm2,荧光寿命为1.638 ms。此外,对b切向的Gd/Yb∶YAP晶体进行激光实验,在1 μm处实现连续激光输出,斜率效率为23.5%,最大输出功率可达0.51 W。 相似文献
469.
层状纳米光催化复合材料HNbWO6/Pt的合成及性质 总被引:4,自引:0,他引:4
用固相合成法合成出LiNbWO6,并用离子交换法制备出HNbWO6;通过PrNH2 层间膨胀、Pt(NH3 ) 2 + 4层间插入和紫外光分解等反应 ,合成出一种新的层状光催化纳米复合材料HNbWO6/Pt ,并比较了不同合成方法对样品性能的影响 .X射线衍射、漫反射、ICP和比表面积测定等的表征结果表明 :该样品的层间高度为 0 .3~ 0 .5nm ,禁带能隙为 2 .2 5~ 3.10eV .用波长大于 2 90nm的 45 0W汞灯照射 5h ,1g样品可催化分解甲醇溶液 (10 % )产生氢气约 40ml,表明所研制的层状纳米复合材料具有较高的光催化活性 相似文献
470.