二硫化锡纳米片阻变存储器的制备与性能

采用水热法合成了尺寸为50~100 nm的二硫化锡纳米片,并首次以二硫化锡作为阻变层材料的阻变存储器（Cu/PMMA/SnS₂/Ag,PMMA=聚甲基丙烯酸甲酯）,对其阻变性能进行了研究。结果表明： Cu/PMMA/SnS₂/Ag阻变存储器的开关比约10⁵,耐受性2.7×10³。在上述2项性能指标达到较优水平的同时,开态与关态电压分别仅约为0.28与-0.19 V。     

β-PbO2/TiO2纳米管电极的制备及其电催化降解苯酚

采用阳极氧化法和脉冲电沉积制备出β-PbO2改性TiO2纳米管(β-PbO2/TiO2-NTs)电极,通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)等技术手段对制备的β-PbO2/TiO2-NTs电极的表面形貌和结构进行了表征。结果表明,该方法成功地将β-PbO2纳米颗粒分散在TiO2纳米管中,通过电催化降解苯酚评价了β-PbO2/TiO2-NTs电极的电催化活性,实验结果表明,在TiO2-NTs中电沉积β-PbO2提高了电极的电催化活性,对苯酚的降解达到83%。     

钨球对高硬度钢斜侵彻效应

为研究高硬度钢板抗不同着角钨球的侵彻性能及破坏模式,通过弹道枪进行了?8 mm、?11 mm钨合金球形破片以0°、20°、40°着角撞击厚度为6 mm、8 mm的高硬度钢板试验,得到了极限贯穿速度v₅₀;分析了钨球轴向径向变形及靶板失效模式与撞击速度的关系,发现高硬度钢板失效模式主要为压缩开坑破坏和沿厚度方向剪切破坏。采用有限元方法对试验进行了模拟,验证了数值模型及参数的合理性,并运用数值模拟方法研究了撞击着角对靶板吸能模式影响,结合试验数据,修正已有极限贯穿速度计算公式。结果表明:随侵彻着角增大,极限贯穿速度提高,且着角越大,极限贯穿速度增长越快;随着角增大,靶板吸能模式逐渐由压缩开坑向剪切冲塞过渡,且着角大于50°时,剪切冲塞耗能将超过压缩开坑耗能;修正后极限贯穿速度计算公式适用范围更广、精度更高,具有较好工程应用价值。     

亚微米分子筛粒径与性能的关联研究

对实验室合成的不同粒径的NaY分子筛进行了性能研究,表明比表面积、酸量随着粒径的减小而增加,粒径太小的分子筛其稳定性、活性低,不能满足FCC催化剂的使用要求,应用于FCC催化剂的分子筛合适粒径为500nm～800nm.     

The He--McKellar--Wilkens effect for spin-1 particles on non-commutative space

By using star product method, the He-McKellar-Wilkens （HMW） effect for spin-one neutral particle on noncommutative （NC） space is studied. After solving the Kemmer-like equations on NC space, we obtain the topological HMW phase on NC space where the additional terms related to the space-space non-commutativity are given explicitly.     

Carriers recombination processes in charge trapping memory cell by simulation

We have evaluated the effects of recombination processes in a charge storage layer, either between trapped electrons and trapped holes or between trapped carriers and free carriers, on charge trapping memory cell＇s performances by numerical simulation. Recombination is an indispensable mechanism in charge trapping memory. It helps charge convert process between negative and positive charges in the charge storage layer during charge trapping memory programming/erasing operation. It can affect the speed of programming and erasing operations.     

热噪声作用下损耗模式RF—SQUID磁通跃迁性质的研究

本文从能量角度讨论了损耗模式 RF-SQUID 特性及磁通跃迂几率的性质,得到了器件正常工作时所需的条件,分析了磁通跃迁与温度及 SQUID 环路参数的关系,并得到了有意义的结论,最后由此求出了磁通跃迂时间.     

溶剂萃取法处理工业废水

废与宝是对立的统一,在一定的条件下可以互相转化。工业废水中的许多有毒物质本来都是有用的物质,只是它们在废水中与其它物质夹杂在一起,并且又以分散低浓的形式存在,因此不仅无法利用,而且任其排入江河,必然会污染环境。如果采取积极的治理办法,使工     

发光二极管电视、符号显示

国内外对发光二极管单片式、混合式矩阵显示装置正在进行活跃的研究。成为这种二极管显示装置的基本技术有:制备高效率p-n结;在单一晶体基板上制作多个发光元件的集成化技术;把多个发光二极管组装起来的电气联结技术以及最佳的取光结构等。 近年来,由于GaAsP、GaP发光二极管的效率显著提高;集成化技术、组装技术的进展以及结构上的巧妙设计;用发光二极管显示装置部分地取代阴极射线管显示的可能性日趋增大起来。 本文研究了发光二极管平面显示装置的电视图像显示及文字、数字——符号显示的特性;并论述了作者最近试制的GaP绿色发光二极管平面显示装置的结构、特性及在电视显示、符号显示上的应用。     

用HI-13串列加速器质谱装置测量182Hf的研究

¹⁸²Hf的半衰期为(8.90±0.09)Ma, 是一个接近灭绝的放射性核素. 超新星爆炸是自然界中已知的惟一能产生¹⁸²Hf的途径. 因此¹⁸²Hf是研究近1亿年来在地球附近可能发生的超新星事件的理想核素. 另外, ¹⁸²Hf是核工程中特别感兴趣的一个长寿命放射性核素. 精确测量超痕量的¹⁸²Hf对反应堆的设计和核天体物理学以及其他研究领域都是非常重要的. 用加速器质谱有可能实现对超低含量¹⁸²Hf的测量. 在中国原子能科学研究院的HI-13加速器质谱装置上对¹⁸²Hf的测量方法以及样品的化学去钨方法进行了研究, 分别得到了空白样品以及系列标准样品的¹⁸²Hf和¹⁸³W的能量-飞行时间双维谱. ¹⁸²W对¹⁸²Hf计数的贡献是通过测量¹⁸³W的计数归一扣除的. 目前本工作对¹⁸²Hf的测量灵敏度为4.15±10^－11 (¹⁸²Hf/¹⁸⁰Hf比值).