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12.
本文讨论一般非均匀凸介质所确定的迁移算子的本征值的分布问题,利用Hilbert空间的H算子理论,完整地解决了一般非均匀凸介质中迁移算子本征值的分布问题,若{λn}n=1^∞是迁移算子本征值的一种计数,我们证明了Σ↓n=1↑∞e^6Reλnτ〈+∞,其中τ是粒子的最大逃逸时间,并对本征值的发散程度以及本征值的个数函数作了相应的讨论。 相似文献
13.
14.
TiO2 粉末催化剂光催化降解室内 空气中有机污染物 总被引:2,自引:0,他引:2
本文制备了一系列 TiO2粉末催化剂, 用光催化法降解室内空气中各种微量有机污染物,最终降解率 接近 100%. 考察了晶型对光催化剂性能的影响, 结果表明,锐钛矿型 TiO2 的催化性能最好. 最后,分析了 TiO2 光催化反应机理. 相似文献
15.
在大学物理教材中引入计算机数值解的尝试 总被引:5,自引:1,他引:4
本文从普通物理教学现代化的要求出发,通过新编《普通物理学》中若干例题的求解,论述了在大学物理教学中适当引入计算机数值模拟的研究方法将有助于物理概念的深化,以及学生综合能力的培养. 相似文献
16.
研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.
关键词:
高K栅介质
负偏置-温度不稳定性(NBTI)
反应-扩散(R-D)模型 相似文献
17.
18.
19.
The dynamic viscoelastic response of the two-phase polymer blend systems shows the characteristics of the thermorheologically complex materials. In this paper theoretical equations for describing the dynamic viscoelastic response of such polymer blend systems have been established by means of the mechanical modeling technique. The dynamic viscoelastic response of the blend systems at any blend composition can be predicted theoretically by using the equations established, provided that the dynamic viscoelastic response of the two pure components and the mechanical model parameters are known in advance. Thus, we provide an effective method for studying the dynamic mechanical properties and the molecular relaxation characteristics of the two-phase polymer blend systems. 相似文献
20.
最近年來人們對於合成高分子化合物的功能團反應,開始注意並發生極大的興趣。高分子化合物在物理或化學因素影响下能够起化涫變化,這是很早就被研究的了。例如,在熱的影响下,不同的高分子達到不同高度的溫度時就能發生裂解,也就是主鏈開始断開。有些形成複雜 相似文献