Design and fabrication of wavelength tunable AWGs based on the thermo-optic effect

In this Letter, a 16 channel 200 GHz wavelength tunable arrayed waveguide grating(AWG) is designed and fabricated based on the silicon on insulator platform. Considering that the performance of the AWG, such as central wavelength and crosstalk, is sensitive to the dimension variation of waveguides, the error analysis of the AWG with width fluctuations is worked out using the transfer function method. A heater is designed to realize the wavelength tunability of the AWG based on the thermo-optic effect of silicon. The measured results show that the insertion loss of the AWG is about 6 d B, and the crosstalk is 7.5 d B. The wavelength tunability of 1.1 nm is achieved at 276 m W power consumption, and more wavelength shifts will gain at larger power consumption.     

基于非线性光流方程的高阶时域DIC算法

针对极端测试环境中采集的低质量测试图像,提出一种解析高精度变形场的高阶时域DIC(Digital Image Correlation)算法.采用模拟散斑方法建立了含高斯白噪声的亚像素级位移图像,通过最小二乘迭代法求解高阶时域DIC算法的位移量,分析了算法的测试精度.研究结果表明,非线性光流方程能够描述变形前后像素点灰度...     

齿轮系统传动轴受横向冲击的响应分析

将齿轮传动系统的齿轮轴承简化为具有集中质量的固支梁,将齿轮受到啮合齿轮的意外撞击看成是质量块对梁的冲击。给出弯扭组合的Mises屈服条件,指出传动轴受冲击时不能忽略扭矩作用。分析了弯曲和扭转作用下的结构响应,进行了应变率修正,给出特殊情况下弯扭响应的简化分析。算例表明,弯扭冲击下传动轴的横向位移和扭转角都较大,不可忽略应变率效应;传动轴直径是影响横向位移的重要因素。     

n维体系的性质

讨论了n维空间能谱ε=ap’的麦克斯韦速度分布律和n维情况固体热容量以及n维情况斯特藩一玻尔兹曼定律,并得出结论：麦克斯韦速度分布律、n维情况固体热容量及n维情况斯特藩-玻尔兹曼定律都与维度及态密度有关．     

单侧耦合16通道100GHz硅基二氧化硅阵列波导光栅的研制

介绍了一种新型单侧耦合16通道、100GHz通道间隔的硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)。通过增加一个Y分支波导结构,将AWG的输入、输出波导等间距整齐排列,仅用一个光纤阵列(FA)就可以对AWG器件进行耦合封装。这种AWG的结构设计可有效地减小器件尺寸和增加波导结构的弯曲半径,可减少器件的抛光和耦合时间,可降低器件的成本。     

表面增强拉曼光谱技术在快速、灵敏检测食源性致病菌中的应用

食源性致病菌的快速、灵敏检测是食品和药品安全领域关注的重点.表面增强拉曼光谱(SERS)技术凭借其检测速度快、信息丰富、灵敏度高、无损等优势在食源性致病菌的快速、灵敏检测中受到广泛关注.本文从SERS检测基底材料入手,综述了液相基底、刚性固相基底、柔性固相基底等材料的特点和性能,并对其在致病菌快速、灵敏检测中的应用进行...     

Double Electron Processes in Collisions of Partially Stripped Ions C^q＋ （q = 1-4） with Helium

The multi-electron processes are investigated for 17.9-120 keV/u C^1＋, 30-323 keV/u C^2＋, 120-438 keV/u ^C3＋, 287-480 keV/u C^4＋ incident on a helium target. The cross-section ratios of double electron （DE） process to the total of the single electron （SE） and the double electron process （i.e. SE＋DE）, the direct double electron （DDI） to the direct single ionization （DSI） as well as the contributions of DDI to DE and of TI to DE are measured using coincidence techniques. The energy and charge state dependences of the measured cross-section ratios are studied and discussed.     

用手征么正法研究J/Ψ→■~(*0)(892)K~ π~-衰变

作为手征微扰论的推广,手征么正法不仅自由参量少,而且又能很好地解释更高能的实验,特别是共振态的出现。对J/Ψ→■*0(892)K π-衰变过程的计算,其结果与实验较为符合,重现了K*0(892)共振态过程。     

Sb掺杂对透明SnO2薄膜导电性能影响的第一性原理计算

本文根据密度泛函理论（DFT），采用第一性原理平面波赝势方法，计算了Sb掺杂对透明导电薄膜SnO2电子结构及导电性能的影响，讨论了掺杂下SnO2晶体的结构变化、能带结构、电子态密度．计算结果表明，Sb掺杂的SnO2具有高的电导率，且随着掺杂浓度的增加，能带简并化加剧，浅施主杂质能级向远离导带底方向移动．     

溶解量热法测定无水四氟化铀标准生成焓

本文通过测定样品在三氯化铝-盐酸溶液中的溶解-混合焓,引用了文献上有关的焓值,得到了无水四氟化铀(晶)标准生成焓.结果是:△H₁~0(298.15K)=-1894.5±7.5千焦耳·克分子^-1.文中对Мальцев等的反应方案作了修改、实测和讨论,结果与本文一致.