改进的Z^2应力恢复过程与h型自适应有限元分析

建议了一种较为精确的边界应力求解方法，并用于改进Ｚｉｅｎｋｉｅｗｉｃｚ－Ｚｈｕ（Ｚ＾２）应力恢复过程。改进过程增加的计算量不大，但可有效地改善后验误估计精度。ｈ型自适应有限元分析结果表明，改进过程更有利于最优网格寻求工作。     

0.5 μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应

采用⁶⁰Co-γ射线对某国产0.5 μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律.随着辐射剂量的增大,饱和输出信号逐渐减小且与像素单元饱和输出信号变化基本一致;暗信号随总剂量的增大而显著增大.研究结果表明,0.5 μm工艺CMOS APS电离总剂量辐射效应引起参数退化的主要原因是光敏二极管周围的整个LOCOS(Local oxidation of silicon)隔离氧化层产生了大量的辐射感生电荷.     

分数布朗运动的线性滤波

本文利用正态相关性定理给出了关于分数布朗运动的线性滤波最佳估计.     

锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟

对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGe HBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明:国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感,波长为1064 nm的激光在能量约为1.5 nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应,引起电流瞬变。入射激光能量增强,电流脉冲增大,电荷收集量增加;外加电压增大,电流脉冲的波峰增大;SiGe HBT的单粒子效应与外加电压大小和入射激光能量都相关,电压主要影响瞬变电流的峰值,而电荷收集量主要依赖于入射激光能量。     

ON THE CHARACTERISTICS OF SEISMIC ACTIVITY IN CENTRAL AND EASTERN ASIA CONTINENT

In the present study, the regional characteristics of continental seismic activity, the relationship between continental seismic activity and plate tectonics as well as the processes of evolution of large earthquakes in the seismic regions have been discussed, on the basis of the data of earthquakes with M≥6 widely distributed over Central and Eastern Asia continent, the fault plane solutions of great shallow earthquakes and the information on the geological structure of this continent as well.     

线性塞曼劈裂对自旋-轨道耦合玻色-爱因斯坦凝聚体中亮孤子动力学的影响

利用变分近似及基于Gross-Pitaevskii方程的直接数值模拟方法,研究了自旋-轨道耦合玻色-爱因斯坦凝聚体中线性塞曼劈裂对亮孤子动力学的影响,发现线性塞曼劈裂将导致体系具有两个携带有限动量的静态孤子,以及它们在微扰下存在一个零能的Goldstone激发模和一个频率与线性塞曼劈裂有关的谐振激发模.同时给出了描述孤子运动的质心坐标表达式,发现线性塞曼劈裂明显影响孤子的运动速度和振荡周期.     

γ射线及质子辐照导致CCD光谱响应退化的机制

光谱响应是表征CCD性能的重要参数。为了研究辐射环境对CCD光谱响应产生影响的规律及物理机制,开展了不同粒子辐照实验,对CCD光谱响应曲线的退化形式及典型波长下CCD光响应的退化情况进行了分析。辐射效应对CCD光谱响应的影响可以分为电离总剂量效应和位移效应导致的退化,本文从这两种辐射效应出发,采用⁶⁰Co-γ射线及质子两种辐照条件,研究了CCD光谱响应的退化规律。针对460 nm（蓝光）和700 nm（红光）等典型CCD光响应波长,从辐射效应导致的损伤缺陷方面分析了CCD光谱响应退化的物理机制。研究发现,在⁶⁰Co-γ射线辐照时CCD光谱响应曲线变化是由于暗信号增加导致的,而质子辐照导致CCD对700 nm波长的光响应退化明显大于460 nm波长的光响应,且10 MeV质子导致的损伤比3 MeV质子更明显,表明位移损伤缺陷易导致CCD光谱响应退化。结果表明,电离总剂量效应主要导致CCD光谱响应整体变化,而位移效应则导致不同波长光的响应差异增大。     

Total ionizing dose effects in pinned photodiode complementary metal-oxide-semiconductor transistor active pixel sensor

A pinned photodiode complementary metal–oxide–semiconductor transistor(CMOS) active pixel sensor is exposed to ~(60)Co to evaluate the performance for space applications. The sample is irradiated with a dose rate of 50 rad(SiO_2)/s and a total dose of 100 krad(SiO_2), and the photodiode is kept unbiased. The degradation of dark current, full well capacity,and quantum efficiency induced by the total ionizing dose damage effect are investigated. It is found that the dark current increases mainly from the shallow trench isolation(STI) surrounding the pinned photodiode. Further results suggests that the decreasing of full well capacity due to the increase in the density, is induced by the total ionizing dose(TID) effect, of the trap interface, which also leads to the degradation of quantum efficiency at shorter wavelengths.     

复杂区域非结构化四边形网格全自动生成方法

针对多介质平面复杂区域，本文建议了一种基于推进网阵法的全四边形网格自动生成方法，其特点是对不规则区则区域适应能力强，考虑了节理单元自动生成。文中提出了网格质量改进方法，并给出了三个工程算例。