Laser writing system for fabrication of diffractive optics elements

We report a laser writing system for fabrication of diffractive optical elements with He-Cd laser. The wavelength of the light source is 441.6 nm. The output beam is collimated into parallel light with uniform intensity distribution after passing through the spatial filter with a pinhole of 25μm and the collimating device. A microscopy objective lens with numerical aperture (NA) of 0.65 is used to focus the beam into a small diffraction spot. Any pattern can be written with this system. Experimental results are presented.The written gratings and the phase patterns were verified with a conventional optical microscopy and the Taylor Hobson equipment.     

钠的演示实验(一)

1.选择一根长15—20厘米,直径为6—8毫米的薄壁玻璃管,将它洗净、烘干,在酒精焰上将一端拉成尖咀并且封闭。2.取一块金属钠,用滤纸吸干煤油,除去表面的氧化物,切取豌豆粒大小的一块或两块,迅速装入玻璃管中,并使其位于距玻璃管尖端3—5厘米处。3.用酒精灯微热钠块所在处的玻璃管,待钠熔化后,轻轻一振,液态钠即进入玻璃管的尖端。     

焊接热影响区断裂性能试验研究

钢框架梁柱节点在最近几次地震中经历了大量断裂破坏现象。可以采用杆端非线性弹簧模型对这种破坏模式进行数值模拟。为了确定断裂分析模型的参数，本文进行了结构钢（Q235c,Q345c)焊接热影响区断裂性能试验研究，获得了两种材料在焊接热影响区的JR阻力曲线。通过比较不同的断裂准则，考虑了裂纹失稳扩展前的稳态裂纹累计，根据J积分撕裂模量法建立了裂纹失稳的失效评定图。采用两种材料分别制作了一组外形尺寸一致，初始裂纹尺寸不同的单边裂纹焊接板，测出相应的极限拉伸应力，并和理论曲线进行了对比。最后，对于本文研究结果的适用范围做了说明。     

剪切散斑干涉术的无损检测研究

剪切散斑干涉术用于复合材料的光学无损检测具有较宽的加载范围,便于实现缺陷的全场记录,防止漏检。本文从理论上推导了剪切散斑干涉条纹(等应变条纹)的强度分布,并证明随着加载量的增大,条纹变密的程度较全息干涉条纹(等位移条纹)缓慢。加之,剪切散斑干涉条纹灵敏度具有可调性,加载范围大为加宽。实验观察与理论分析一致。     

计算材料学在高分子材料领域的研究进展与发展趋势

随着科技发展,计算机软硬件技术的提高大大增强了大规模并行运算的效率,使得科学家能够以相对廉价的方式调用大量算力解析高自由度体系的运行机制,为设计新的材料结构与性能提供了新思路.作为材料基因工程(materials genome engineering,MG)数据驱动研发体系的核心部分,计算材料学(computational materials science)为多项尖端领域的材料研发提供了巨大的助力,新材料的多元化程度超过了任何一个历史时期.本文综述了自2011年材料基因组计划(Materials Genome Initiative, MGI)发布以来,国内外学者利用计算材料学在高分子材料方面的研究进展,包括高性能弹性体材料、光学高分子材料、能源高分子材料、导热高分子材料和生物医用高分子材料.与此同时,阐述了计算材料学未来发展趋势与面临的挑战,期望为高分子材料基因组的发展方向提供指导.     

α-LiIO_3单晶中离子输运引起的高强度准弹性光散射

激光束通过加c向直流电压的α-LiIO_3单晶时,发生三种准弹性散射:散射光电位移矢量有特定取向且与入射光电位移矢量方向不一致者,散射光电位移矢量与入射光电位移矢量方向相同而散射带垂直c轴者以及散射光电位移矢量与入射光电位移矢量方向相同而散射带对c轴倾斜者,本文详细研究了这三种散射的空间频谱、精细结构、结构敏感性、弛豫规律以及光散射和晶体内电流密度与局部电场的关系,发现光散射发生于晶体内电流密度较大的区域,本文对三种散射的起因给予了说明:离子导体在直流电压作用下空间电荷的分布和运动引起了介电张量的涨落,使得在晶体主轴坐标系中出现非对角元,对角无数值也随空间和时间涨落,从而引起这三种散射。     

SO2-4/ZrO2-SiO2催化剂的结构及其形成过程

The structure and the forming process of SO2-4/ZrO2-SiO2 catalysts were investigated by TG and DTA.The restraint of silica to the crystallization of the catalysts and the relations of weight loss temperature and loss amount of sulfur oxide bonded to the surface of the catalysts with the contents of zirconia were revealed by experimental results.The forming process of the catalysts was also explored by these techniques,some very important information,which will be useful for understanding the structure and properties of catalysts,were obtained.     

非常偏振光在单轴晶体表面的全反射分析

利用透射波函数和由菲涅尔公式求解反射相位差并对其求导的方法,分析了非常偏振光在单轴晶体表面发生的全反射现象,求解出晶体光轴在入射面内时,非常偏振光从各向同性介质入射到晶体和从晶体出射到各向同性介质两种情况的隐失波穿透深度和Goos-Hnchen位移的一般表达式。通过计算机模拟给出了单轴晶体为方解石和水晶情况时的穿透深度和Goos-Hnchen位移图像。结果表明,对于不同的晶体,光轴的取向对穿透深度和Goos-Hnchen位移的影响是明显不同的,若选取合适的晶体、光轴取向和入射角,可以得到较大的隐失波穿透深度和Goos-Hnchen位移。     

α-LiIO_3的导电和介电特性的理论分析

本文考虑到a-LiIO_3电导的强烈各向异性,利用一维Debye-Huckel方程和泊松方程,导出了表观直流电导率,解释了文献[1]中有关α-LiIO_3的各种静态电导特性。推导中假设晶体界面处的电流由速率过程决定,并考虑了晶体两端的不对称性(电极性)。并援引文献[2]中有关动态介电常数的结果,部分解释了文献[1]中有关α-LiIO_3在加直流偏压场和不加偏压场的介电行为。文中指出,文献[3]中提到的联结α-LiIO_3晶体两极性面观察到持续不变的微弱电流,以及我们实验室观察到成极的铁电晶体铌酸锶钡也有同样现象,均来源于晶体极性电动势。这一电动势与晶体的自发极化P_s同时存在。     

Conjecture on Avoidance of Big Crunch

By conjecturing the physics at the Planck scale, we modify the definition of the Hawking temperature and modify the Friedmann equation. It is found that we can avoid the singularity of the big crunch and obtain a bouncing cosmological model.