二维等熵可压欧拉方程古典解的存在性(英文)

研究二维等熵可压缩欧拉方程的古典解存在性.利用迭代技巧,得到解的局部存在性及唯一性,并且还证明了解在有限时间内爆破,即可压缩欧拉方程不存在全局古典解.     

一种基于组合原理和PCR的方法构建超大容量基因文库

近年来,生物传感器的研制成为分析检测的一个重要的方面.其中,针对靶标物质建立新的分子识别开关是生物传感器研究的核心内容之一.     

茜素红S与脱氧核糖核酸相互作用的电化学研究

研究了茜素红S在玻碳电极上的电化学行为,根据茜素红S与DNA作用的伏安曲线、紫外．可见光谱及溴化乙锭对茜素红S与DNA作用的影响,认为茜素红S与DNA发生了嵌插作用。考察了温度、时间及pH值对二者作用的影响。     

基于纳米粒子和流动注射化学发光的单碱基突变DNA的检测

近年来,大量研究证明人类肿瘤的发生与遗传物质DNA的某些特定区域的突变,以及人类错配修复基因的突变相关.在人体细胞中存在一种能修复DNA碱基错配的安全保障系统(MMR系统),它是由一系列能特异性识别、双向切除并修复错配碱基的酶分子组成,它们对保持遗传物质的完整性和稳定性,避免遗传突变的产生具有重要作用,这些酶分子的合成受人类错配修复基因的控制,如果人类错配修复基因发生突变,则会导致MMR系统功能的紊乱,这正是引发人类肿瘤的一大原因.     

用数值模拟方法研究面光源劈尖干涉问题

在面光源照射下,给出了劈尖表面可观察到干涉条纹的条件,通过Matlab软件进行数值计算,分析了劈尖表面的干涉条纹数目对光源距离和尺寸的依赖关系,结果表明,对给定的光源宽度,要在劈尖表面观察到一定级数的条纹,光源距离不能低于一定的值．这种数值模拟方法对设计复杂的非平行光薄膜等厚干涉试验有参考价值．     

α-LiIO_3单晶体在静电场作用下点阵常数的变化

本文用X射线双晶衍射平行排列(n,-n)的方法,观察了α-LiIO_3单晶体生长过程点阵常数a与c不规则的不均匀性以及在静电场作用下c的起伏现象。观测出在静电场作用下a与c的变化和沿电场方向晶体表面层存在点阵常数的梯度。从而,证明了l≠0的晶面在静电场作用下,中子衍射的增强是由于在z轴向点阵常数c存在梯度的观点。同时,(010)晶面中子衍射强度在同样静电场作用下不增强的实验事实,从本实验结果,可以认为是点阵常数a原有的不均匀性较大,掩盖了a的梯度所致。     

急冷Al-Si-Ge合金的微观结构及正常-超导转变特性

本文研究了急冷Al-8.3at％Si-8.5at％Ge合金的微观结构及正常-超导转变特性,结构分析表明,样品中存在晶态及非晶态两种不同的区域,经100℃/50hr热处理后,电阻-温度及电阻-磁场转变曲线上均出现明显的台阶。 关键词：     

急冷Al-Si合金超导电性的研究

本文研究了热处理对急冷Al-11.3at％Si合金的微观结构及超导电性的影响,结构分析表明,液态淬火的样品由两相组成:过饱和α-Al(Si)固溶体晶体相和Al,Si原子按统计分布的非晶相,经100℃/50小时热处理后,α-Al(Si)固溶体贫化,非晶相中析出Si的小颗粒,经200℃/100小时热处理的样品已趋向平衡态结构,测量了样品的临界温度,在研究磁场中的超导-正常转变时发现了反常的磁阻效应,它可以用样品中存在两个超导相的模型予以解释。 关键词：     

合金AgAuZn2的有序化

本工作是用X射线衍射法观察合金AgAuZn₂的有序化过程。样品首先从600℃淬炼,然后在100℃再经不同时间的熟炼处理。样品在熟炼状态,几乎全部的Zn原子都占据了它们的适宜位置,Ag和Au原子占有适宜位置的几率则较小些。随着熟炼时间的增加,Ag,Au原子作有序的排列,而不影响Zn原子的位置。在有序畴长大的初期阶段,从不同衍射线所求出的有序畴大小是不同的。但它们随着熟炼长大,最后却几乎达到同一线性大小。原子的有序化和有序畴的长大同时进行,但在有序畴达到稳定大小以前,有序度早已达到了稳定程度。     

一种减轻固粒对壁面冲蚀磨损的新方法

针对带固粒的近壁流场，提出了在壁面上开凿纵向浅沟槽以减轻固粒对壁面冲蚀磨损的方法．采用改进的κ-ε湍流模式和气-固两相双向耦合模型，计算了流场中颗粒的速度、轨迹以及固粒对壁面的冲蚀磨损，并进行了相应的试验对比．结果表明：在壁面上开凿纵向沟槽能减轻固粒对壁面的磨损；在一定的沟槽高度下，当沟槽宽度同沟槽问距离相等时，减轻磨损的效果最明显；在一定颗粒尺寸范围内，大颗粒导致磨损质量损失增大，当颗粒尺寸超过某一临界值后，颗粒尺寸对磨损的影响较小．进口处颗粒运动方向对壁面磨损具有直接影响．