浅谈物理演示实验的实践技巧

演示实验并非仅简单地做实验给学生看,而是需要技巧的.实践表明,同一演示实验,出自不同教师之手,其效果也往往不同.如何做好演示实验,是广大物理教师应重视的问题.笔者根据自己多年的教学实践,浅谈几点做法和体会.     

耐火材料中碳化硅含量的测定

碳化硅熔点高,耐高温,有较高的强度,耐磨性好,化学性质稳定,耐腐蚀,作为填加料被用于各种特种耐火材料中。对于碳化硅含量的测定,国家标准GB/T16555-2008采用测定碳含量或硅含量来换算碳化硅含量的方法,而测定硅含量一般采用重量法,操作周期较长[1-7]。     

4维辛流形的高亏格Gromov-Witten不变量的一个Blow-up公式(英文)

本文利用Gromov-Witten不变量的退化公式,对于4维紧致的辛流形,证明了高亏格Gromov-Witten不变量在blow-up手术下变化的一个公式.     

石墨炉原子吸收光谱法测定钢中痕量锡

锡通常是作为有害杂质存在于钢中,一部分锡形成固溶体存在于碳化铁中。锡可以增加钢的抗拉强度却降低了钢的冲击值和冲击性能,不利于钢的加工。一般应严格控制其含量。因此,准确测定钢铁中痕量锡的含量很重要。目前,测定锡的方法有苯基荧光酮十六烷基三甲基溴化铵(CTMAB)直接光度法、原子荧光光谱法和石墨炉原子吸收光     

蓝色长余辉材料Sr2MgSi2O7：Eu2+,Dy3+及其基质的VUV-UV激发特性

Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺是一种有效的蓝色长余辉材料,采用高温固相法合成了Sr₂MgSi₂O₇,Sr₂MgSi₂O₇:Dy³⁺,Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺及Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺,利用同步辐射研究了它们的VUV-UV激发特性.在真空紫外光激发下,在基质中发现了稍弱的位于385nm的发射带,在双掺杂的样品中,除了Eu²⁺的4f5d→4f发射带(465nm)外,还观察到了575nm处的发射峰;通过和Dy³⁺单掺杂样品的发射谱比较,发现它是来自于Dy³⁺的4f-4f(⁴F_9/2→6H_13/2)跃迁.在它们的激发谱上可以看出Dy³⁺与基质发射的有效激发均处于真空紫外区,在近紫外及可见区激发下未见到它们发光.另外在Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺中观察到Dy³⁺的发射也说明了Dy³⁺在该类长余辉材料中不仅作为陷阱用来延长余辉,而且也以发光中心形式存在于基质中.     

用压电聚合物构成的单极性声脉冲发生器

本文介绍了用阶跃电压的快速下降沿作用在PVDF压电膜上而产生的单极性声脉冲。实验结果表明，声脉冲的波形和脉冲宽度取决于PVDF压电膜的厚度，阶跃电压的下降沿宽度，以及背衬材料和声传播媒质的形状等多个因素。该声脉冲发生器所产生的压力波脉冲的宽度约为50ns，不仅适用于固体中空间电荷的测量，也可以用于其他方面的应用，例如超声医学诊断，对材料的非破坏性的检测等。文章以该声脉冲发生器在压电压力波中的应用为例进行论述，并且所有测量结果都是通过压电压力波测试系统获得的。     

不同气氛退火对PbWO4单晶发光的影响

通过对不同气氛条件下退火的PbWO4(PWO)单晶样品的激发谱与发射谱的对双研究，发现真空退火从整体上抑制PbWO4的发光强度，氧空位（Vo）缺陷是420nm吸收和红光发射的原因，而空气退火可以有效抑制Vo缺陷，全面改善PWO的发光性能。另外，首次报道了310nm附近的激子激发峰发生劈裂的现象，其中波长较长的320nm激发对应于与Vo缺陷相关的激子激发态。     

氮对溅射TiC膜在钢基体上附着力的影响

作者研究了溅射过程中在辉光等离子体内导入氮对溅射TiC膜在钢基体上附着力的影响。采用自制划痕仪测定了膜的附着力,並用俄歇谱仪研究了膜与基体的界面。结果表明,反应气体N_2能够促使形成一个渐变的过渡界面,从而改善了TiC膜在钢基体上的附着力。本文还讨论了辉光等离子体与基体表面的相互作用。     

面发射分布反馈半导体激光器及光栅耦合半导体激光器

阐述了以曲线光栅面发射分布反馈半导体激光器（SEDFB）为代表的SE—DFB器件的原理和结构,讨论了它们的性能和特点并与其他类型的半导体激光器进行了比较。指出依靠曲线光栅特殊的衍射特性,可实现对模式的控制和二维漏模耦合阵列化出光,得到窄线宽（典型值0．08nm）、小发散角（典型值0．5mrad）、高亮度（单管近衍射极限3W（CW））和大功率（单管最高73w,列阵为kW级）的激光。综述了SE—DFB的发展历程、现状及未来的发展趋势,强调由于曲线光栅耦合SE—DFB激光器兼具边发射和面发射器件的优势和诸多其他优秀性能,将其应用于不同材料体系,不同结构的半导体激光器及其阵列,制作不同波段的高功率、高光束质量的SEDFB器件会有很好的研究意义和应用前景。