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碳化硅熔点高,耐高温,有较高的强度,耐磨性好,化学性质稳定,耐腐蚀,作为填加料被用于各种特种耐火材料中。对于碳化硅含量的测定,国家标准GB/T16555-2008采用测定碳含量或硅含量来换算碳化硅含量的方法,而测定硅含量一般采用重量法,操作周期较长[1-7]。 相似文献
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本文利用Gromov-Witten不变量的退化公式,对于4维紧致的辛流形,证明了高亏格Gromov-Witten不变量在blow-up手术下变化的一个公式. 相似文献
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从能量传递的角度出发,利用同步辐射光源(德国HASYLAB实验室的SUPERLUM I实验站)对Pr3 和Mn2 掺杂的SrB4O7粉末样品进行了光谱研究。206 nm激发下,在SrB4O7∶Pr3 (0.1%,摩尔分数)样品中观察到了来自Pr3 离子1S0能级的光子级联发射。SrB4O7∶Pr3 样品的发射谱与SrB4O7∶Mn2 样品监测Mn2 离子640 nm发射的激发谱在330~430 nm的波长范围里存在显著的光谱重叠。这个光谱重叠有利于Pr3 →Mn2 的能量传递发生,从而将Pr3 离子级联发射中第一步不实用的紫外或近紫外光子转换为Mn2 的红光发射。双掺杂样品SrB4O7∶Pr3 ,Mn2 与单掺杂样品SrB4O7∶Pr3 的发射谱比较揭示出Pr3 →Mn2 的能量传递的确存在,并且提供了一种传递效率的估算方法,表明通过“Pr3 -Mn2 ”组合有可能获得量子效率大于1的高效真空紫外激发发光材料。 相似文献
94.
Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+是一种有效的蓝色长余辉材料,采用高温固相法合成了Sr2MgSi2O7,Sr2MgSi2O7:Dy3+,Sr2MgSi2O7:Eu2+及Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+,利用同步辐射研究了它们的VUV-UV激发特性.在真空紫外光激发下,在基质中发现了稍弱的位于385nm的发射带,在双掺杂的样品中,除了Eu2+的4f5d→4f发射带(465nm)外,还观察到了575nm处的发射峰;通过和Dy3+单掺杂样品的发射谱比较,发现它是来自于Dy3+的4f-4f(4F9/2→6H13/2)跃迁.在它们的激发谱上可以看出Dy3+与基质发射的有效激发均处于真空紫外区,在近紫外及可见区激发下未见到它们发光.另外在Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+中观察到Dy3+的发射也说明了Dy3+在该类长余辉材料中不仅作为陷阱用来延长余辉,而且也以发光中心形式存在于基质中. 相似文献
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Sr2MgS i2O7∶Eu2 ,Dy3 是一种有效的蓝色长余辉材料,采用高温固相法合成了Sr2MgS i2O7,Sr2MgS i2O7∶Dy3 ,Sr2MgS i2O7∶Eu2 及Sr2MgS i2O7∶Eu2 ,Dy3 ,利用同步辐射研究了它们的VUV-UV激发特性。在真空紫外光激发下,在基质中发现了稍弱的位于385 nm的发射带,在双掺杂的样品中,除了Eu2 的4 f5d→4 f发射带(465 nm)外,还观察到了575 nm处的发射峰;通过和Dy3 单掺杂样品的发射谱比较,发现它是来自于Dy3 的4 f-4 f(4F9/2→6H13/2)跃迁。在它们的激发谱上可以看出Dy3 与基质发射的有效激发均处于真空紫外区,在近紫外及可见区激发下未见到它们发光。另外在Sr2MgS i2O7∶Eu2 ,Dy3 中观察到Dy3 的发射也说明了Dy3 在该类长余辉材料中不仅作为陷阱用来延长余辉,而且也以发光中心形式存在于基质中。 相似文献
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从能量传递的角度出发,利用同步辐射光源(德国HASYLAB实验室的SUPERLUMI实验站)对Pr3+和Mn2+掺杂的SrB4O7粉末样品进行了光谱研究.206nm激发下,在SrB4O7:Pr3+(0.1%,摩尔分数)样品中观察到了来自Pr3+离子1S0能级的光子级联发射.SrB4O7:Pr3+样品的发射谱与SrB4O7:Mn2+样品监测Mn2+离子640nm发射的激发谱在330~430nm的波长范围里存在显著的光谱重叠.这个光谱重叠有利于Pr3+→Mn2+的能量传递发生,从而将Pr3+离子级联发射中第一步不实用的紫外或近紫外光子转换为Mn2+的红光发射.双掺杂样品SrB4O7:Pr3+,Mn2+与单掺杂样品SrB4O7:Pr3+的发射谱比较揭示出Pr3+→Mn2+的能量传递的确存在,并且提供了一种传递效率的估算方法,表明通过“Pr3+-Mn2+”组合有可能获得量子效率大于1的高效真空紫外激发发光材料. 相似文献
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阐述了以曲线光栅面发射分布反馈半导体激光器(SEDFB)为代表的SE—DFB器件的原理和结构,讨论了它们的性能和特点并与其他类型的半导体激光器进行了比较。指出依靠曲线光栅特殊的衍射特性,可实现对模式的控制和二维漏模耦合阵列化出光,得到窄线宽(典型值0.08nm)、小发散角(典型值0.5mrad)、高亮度(单管近衍射极限3W(CW))和大功率(单管最高73w,列阵为kW级)的激光。综述了SE—DFB的发展历程、现状及未来的发展趋势,强调由于曲线光栅耦合SE—DFB激光器兼具边发射和面发射器件的优势和诸多其他优秀性能,将其应用于不同材料体系,不同结构的半导体激光器及其阵列,制作不同波段的高功率、高光束质量的SEDFB器件会有很好的研究意义和应用前景。 相似文献