CdS和CdSe薄膜的制备及其光电化学性质

本文采用简易的化学水浴沉积法和自牺牲模板法制备CdS、CdSe薄膜,对两种薄膜进行了XRD表征,比较了两种薄膜的紫外吸收光谱并研究了CdS、CdSe薄膜作为太阳能电池中的光阳极时所产生的光电流和光电压,对两种薄膜的电化学性能进行了比较.     

电解液对CdS薄膜光电化学电池性能的影响

在光电化学电池中,电解液担负着传递电子的重要责任,因此选择一个最优的电解液对于电池整体效率的提高非常重要.本文通过对CdS薄膜的光电化学电池在六种不同的电解液体系中光电性能的考察发现,加入少量的KCl多硫电解液体系中可以稳定CdS薄膜,减少电子和空穴的复合几率,增加电子的传递速度,从而提高CdS薄膜光电化学电池的光电转...     

基于制造生态框架的知识模块演化动力机制研究

面向某一业务问题求解相关的一组知识及其相关情境资源的组合被称为知识模块, 知识模块的演化代表了业务解决能力的变化. 针对业务问题求解过程中知识模块的演化现象, 提出基于制造生态框架的知识模块演化的动力机制研究方法. 在多维度视角下构建知识模块演化的维度体系, 在演化维度体系的基础上引入生态势理论, 构建了知识模块生态系统演化的生态势分析框架模型. 并利用系统动力学方法与Vensim PLE软件对知识模块演化的生态势模型进行动力学建模与仿真, 研究知识模块演化的动力机制问题. 本文研究有益于丰富知识管理理论, 为企业知识管理实践提供参考.     

工业废水中溶解态有机物分析方法研究

采用0．45μm玻璃纤维滤膜将工业废水分离为悬浮态和溶解态有机物质,以二氯甲烷为萃取剂,采用液液萃取一气质联用法对工业废水中溶解态有机物进行测定。优化的最佳萃取条件为：每个pH范围各萃取2次,静置时间5min,氯化钠加入量15g。方法的加标回收率为91．1％～103％,测定结果的相对标准偏差小于5％fH=6）。该法分析时间短,易于操作。     

利用磁共振录井技术定量评价水淹层

产水率是划分水淹级别的关键参数,如何通过含水饱和度计算产水率是进行水淹层评价工作要解决的主要问题. 通过测定油-水相对渗透率的注水实验制备出不同产水率的岩样,分析并研究不同产水率下的磁共振录井谱图特征和分析参数响应特征,可探讨利用磁共振录井资料评价水淹级别的可行性. 该工作根据密闭取心井的试油资料和相渗曲线,提出了利用磁共振含水饱和度计算地层产水率经验公式的方法, 并进行了生产应用. 结果表明,利用磁共振录井技术评价水淹层的符合率达到了86%,证明了该项技术在快速、定量评价水淹层和划分水淹级别的良好应用前景.     

爆炸自紧残余应力及对构件疲劳强度的影响

用贴腻子炸药法和动液压法两种爆轰工艺对不同类型厚壁构件实施了爆炸自增强处理,并对爆炸处理形成的残余应力进行了实验测定。对内壁有缺口和裂缝的厚壁圆环以及带缺口的超高压圆筒和四通构件进行了爆炸自紧处理并进行了疲劳实验检验,结果是:在高周疲劳阶段,经爆炸处理的构件缺口根部疲劳裂纹萌生寿命可提高5倍,内压疲劳开裂寿命可提高8~10倍。在低周塑性疲劳阶段构件的疲劳开裂寿命仍可提高1倍左右。由于用贴腻子炸药方法可使构件表面硬度增加从而获得更高的残余压应力,故其自增强效果优于动液压法。     

双层类脂膜修饰玻碳电极研究去甲肾上腺素电化学行为及其分析应用

报道了去甲肾上腺素在双层类脂膜修饰玻碳电极上的电化学行为。在 0 .8～ - 0 .3V(vs.Ag/AgCl)电位范围内 ,于 pH 6 .5、0 .0 1mol/LKH2 PO4 Na2 HPO4底液中 ,去甲肾上腺素产生很灵敏的氧化峰电流。该电流与去甲肾上腺素浓度在 3.5× 10 -6～ 3.1× 10 -4mol/L范围内呈良好线性关系。该电极可作为检测去甲肾上腺素的新型的高灵敏度电化学生物传感器。     

对氯偶氮氯膦分光光度法测定海产品中微量钍的研究

在酸性介质中,对氯偶氮氯膦与钍形成一种稳定的蓝色配合物,其最大吸收波长位于λ=680nm处,对比度Δλ=110nm,表观摩尔吸光系数为ε=1 04×105.络合物的组成为Th4+∶CPA PC=1∶2,钍含量在0 0～10 0μg/10mL范围内服从比尔定律.方法用于海产品中痕量钍的测定,结果满意.     

阴离子表面活性剂-健那绿体系的二级散射光谱及其分析应用

建立了二级散射光谱法测定阴离子表面活性剂的新方法。研究了阴离子表面活性剂SDBS与健那绿离子缔合物的二级散射和"反二级散射"光谱。结果表明:当λem=340nm,λex=680nm时,在0～50μg mL质量浓度范围内,ΔIFDS与溶液中物质的质量浓度成正比,线性相关系数为0.9988,检出限为17.4ng mL。     

组合材料方法研究膜厚对Ni/SiC电极接触性质的影响

采用组合材料方法研究了金属Ni膜厚对Ni/SiC接触性质的影响.16个膜厚均为18 nm的Ni/SiC电极具有较为一致的肖特基接触性质;膜厚从10 nm增加到160 nm,肖特基接触的电流-电压（I-V）曲线随膜厚发生显著变化.分析表明这种变化源于膜厚对理想因子n和有效势垒高度Ф_B的影响.1000℃快速退火后,这些肖特基接触都转变为欧姆接触,Ni₂Si是主要的生成物.I-V曲线测 关键词： 碳化硅 肖特基接触 欧姆接触 组合材料方法