耐等离子刻蚀陶瓷的研究现状

等离子刻蚀技术是超大规模集成电路制备工艺中不可或缺加工技术.在半导体晶圆尺寸不断增大以及特征尺寸不断缩少的发展进程中,晶圆的污染问题越来越突出.而刻蚀机腔室材料作为晶圆的主要污染源之一,其耐等离子刻蚀性日益受到人们的关注.本文主要介绍耐等离子体刻蚀腔体材料的特性及目前国内外的研究与发展现状.     

液态锂限制器的铺展性测试平台设计及初步实验

为研究液态锂在电磁驱动限制器表面的铺展特性,设计了与EAST限制器接口相同的限制器测试平台.该平台运行时真空环境可达10?4Pa,对被测限制器可加热至350℃.在限制器锂回路管道上,利用外部2T水平磁场以及竖直方向施加的最大为200A的直流电流,形成电磁驱动力驱动下的锂液循环回路.测试平台设有顶部和正面两个观察窗,能够...     

误差非线性回归模型基于几何方法的若干二阶渐近性质

该文用微分几何方法对AR(q)误差非线性回归模型若干二 阶渐近性质进行了研究. 作者基于Fisher信息阵在欧氏空间定义了内积，并在期望参数空间建立了几何结构. 基于上述几何结构，给出了AR(q)误差非线性回归模型若干二阶渐近性质的曲率表示. 将前人的一些结果推广到AR(q)误差非线性回归模型.      

基于通用设备和Multisim的虚实结合电学实验教学模式

实物实验与虚拟仿真实验,特别是基于物理模型的定量仿真实验同步有序进行,是当前提升实验教学效果的有效手段之一.这种教学模式既优化了教学资源,丰富教学方法和手段,又体现了物理学是实验科学的本质.结合基础物理实验教学需要,设计了包含RLC串联电路实验、交流电桥测电容电感实验、混沌电路实验和Multisim电路仿真等教学内容的...     

van der Waals状态方程与溶液理论

阐明了van der Waals状态方程与溶液理论间的密切关系。由van der Waals状态方程中的内压力和自由体积简捷地导得Scatchard-Hildebrand正规溶液理论、无热溶液理论和Flory-Huggins聚合物溶液理论。表明这些理论都是建立在van der Waals流体的基础上,为进一步改进这些理论提供了一条切实可行的思路。     

对一个科学小实验的探讨

本文通过对高中物理实验课程现状和新课改下的要求的论述,就如何改进高中物理实验课程提出了几点建议。     

利用数值模拟测量闪光照相中的H-D曲线

H-D曲线表明了照射量与底片光学密度之间的关系，是定量提取客体信息的基础。尽管实验上提出了许多测量“屏-片”的H—D曲线的方法，但这些方法所采用的实验布局与实际照相环境存在一定的差异。第一，许多实验采用的光源是单能源（如^60Co），没有体现底片系统对不同X射线能量的响应特性；第二，实验装置与实际照相模型存在比较大的差异，由于光子能谱和角分布以及散射的影响，测量的H-D曲线往往很难用到实际照相中；第三，也是更重要的一点是目前测量高能X射线照射量的仪器的测量误差较大，     

利用光纤传输测量拉曼光谱的研究

采用多模熔石英光纤对磷酸铕玻璃和铒的磷酸盐烧结体样品进行了光纤传输拉曼光谱测量，并与直接测量样品的拉曼光谱进行对比，两者的结果基本符合，从而证实了光纤传输拉曼光谱对样品检测的可行性，达到扩展拉曼光谱仪的应用领域，为特定条件下研究材料性能提供了良好的途径。由此还可发现和研制出新的光电产品材料。     

关于一个研究生入学试题的解法

1981研究生入学试题[1]中,有如下的一道热学题: 一摩尔多原子分子(刚体模型)的理想气体,历经如图一所示的一个循环过程.试计算此循环的效率. 求解本题的关键有两点:第一,是否认识到A—B过程不一定是单纯吸热,也不一定是单纯放热;第二,如何寻找过程中吸热与放热的过渡态. 我认为,书中所介绍的寻找过渡态(书上称为转折点)的方法既麻烦,又无普遍意义.本文将提供一种求解这类问题的新方法.此法有其严格的理论依据,又很简单,还具有普遍性. 新解法的理论依据是:理想气体的准静态过程曲线,是多变过程吸热与放热之间的过渡线,也就是说,线上的任一态…     

直接扣除法测量半导体光放大器频率响应

在光电子器件散射参量定义的基础上建立了基于直接扣除法的半导体光放大器频率响应测量系统,测量中通过扣除激光器和探测器系统的频率响应,得到放大器固有的频率响应。对InGaAsP体材料行波腔半导体光放大器样品进行了测量,得到了放大器在不同注入光功率和不同偏置电流下的频率响应曲线。这些曲线很好地反应了半导体光放大器的增益饱和和噪声特性,进一步分析发现半导体光放大器对低频调制信号的放大能力弱于对高频信号的放大能力,分析认为其原因在于半导体光放大器的载流子寿命有限导致低频信号长时间消耗载流子时,载流子数量无法及时恢复,从而使得增益降低。