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81.
研究了Ca0.28Ba0.72Nb2O6 (CBN-28)多晶料的制备和单晶的生长,用提拉法成功生长出CBN-28单晶.从X射线粉末衍射数据计算了CBN-28晶体的晶胞参数,并对其粉末衍射图各衍射峰进行了指标化.CBN晶体属四方晶系4mm点群.晶胞参数为a=1.2432(±2)nm,c=0.3957(±1)nm.采用浮力法测得其平均密度为5.372g/cm3,测得其莫式硬度为7,并通过测量CBN-28的介电性质,确定其居里点为260℃. 相似文献
82.
利用GaP纳米晶的表面催化作用, 从苯直接合成了二联苯, 并研究了合成反应过程中GaP纳米晶含量的影响. 结果表明:在没有GaP纳米晶时, 直到480℃也没有观察到苯的明显聚合; 而当有GaP纳米晶存在时, 参与聚合反应的苯的数量与GaP纳米晶的含量成正比, 在足够高的GaP纳米晶含量情况下, 高温(450~480℃)时苯几乎完全发生聚合, 而且二联苯的相对产率较高; 与之相反, 在低温条件(250~300℃)下, 即使有足够的GaP纳米晶存在, 苯也只有少量发生聚合, 二联苯的相对产率迅速降低. 对样品所做的红外、核磁共振、以及元素分析证实了样品是二联苯. 相似文献
83.
84.
湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
利用湿法腐蚀方法,制备出图形化蓝宝石衬底(PSS).在相同的腐蚀时间下,研究腐蚀液温度对腐蚀蓝宝石表面形貌和外延后GaN材料的影响.扫描电镜(SEM)测试结果表明:随着腐蚀液温度的增加,图形的深度增加.腐蚀后图形阵列排布整齐,所有图形都方向一致,这与蓝宝石本身晶体性质有关.腐蚀液温度对外延后GaN的影响也比较大,随着腐蚀液温度的增加,(002)半峰宽逐渐增加,光致发光谱(PL)发光强度逐渐增加.管芯结果表明,LED管芯的光强也逐渐增加. 相似文献
85.
86.
87.
采用物理气相传输法在(0001)面偏向<11-20>方向4°的籽晶上生长了掺氮低电阻率碳化硅(SiC)单晶.结合碳化硅邻位面生长机制,通过优化温场设计,在近平温场下生长出了晶型稳定、微管密度低、高结晶质量的低电阻率4H-SiC单晶.在加工的“epi-ready”SiC衬底上进行了同质外延,获得了光滑的外延层表面.利用该外延材料研制了600V/10 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能与进口衬底结果相当,反向漏电成品率高达67;.另外研制了600 V/50 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能也达到了进口衬底水平. 相似文献
88.
89.
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底(0001)面生长了InGaN/GaN多量子阱结构,并测量了其荧光(PL)光谱的峰位能量和发光效率对温度和注入载流子密度的依赖性.结果显示,该样品PL的峰位能量对温度的依赖性是"S形"的(降低-增加-降低),并且最大发光效率出现在50 K左右.前者反映了InGaN阱层中势能的非均一性和载流子复合的局域特征,后者则表明了将极低温度下的内量子效率设定为100%的传统界定方法应当被修正.进一步的研究结果显示,发光效率不仅是温度的函数,同时也是注入载流子密度的函数.为此我们对传统的基于PL光谱测量来确定某结构(或器件)内量子效率的方法进行了修正:在不同温度下测量发光效率对注入载流子密度的依赖性,并将发光效率的最大值设为内量子效率是100%,这样,其他温度点和注入载流子密度点所对应的内量子效率也就随之确定. 相似文献
90.
在超高真空设备中,采用高温退火的方法在6H-SiC两个极性面(0001)和(000 1 - )面(即Si面和C面)外延石墨烯(EG). 利用低能电子衍射(LEED)和同步辐射光电子能谱(SRPES)对样品的生长过程进行了原位研究,而后利用激光拉曼光谱(Raman)和近边X射线吸收精细结构(XANES)等实验技术对制备的样品进行了表征. 结果表明我们在两种极性面均制备出了质量较好的石墨烯样品. 而有关两种石墨烯的对比性研究发现:Si面EG呈同一取向而C面EG呈各向异性;Si面EG与衬底存在类似
关键词:
石墨烯
6H-SiC
同步辐射
电子结构 相似文献