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退火时间对6H-SiC(0001)表面外延石墨烯形貌和结构的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在分子束外延(MBE)设备中,采用高温退火的方法在6H-SiC(0001)表面外延石墨烯,并研究了退火时间对外延石墨烯形貌和结构的影响.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、激光拉曼光谱(Raman)和近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)等实验技术对制备的样品进行了表征.RHEED结果发现,不同退火时间的样品在SiC衍射条纹的外侧都出现了石墨烯的衍射条纹.AFM测试表明,外延石墨烯的厚度随退火时间增加而增大,且样品孔洞减少、表面更加平整.Raman测试表明,外延石墨烯拉曼谱中2D峰和G峰的位置相对高定向热解石墨(HOPG)中2D峰和G峰的位置蓝移,且退火时间增加,峰的蓝移量减小.对样品中碳原子K边NEXAFS谱测量显示,样品中存在sp2杂化的碳原子,退火时间增加使碳原子的1s→π以及1s→σ吸收的强度增大,且1s电子到π态的吸收峰相对HOPG的向高能偏移. 相似文献
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光学带隙或禁带宽度是半导体材料的一个重要特征参数.本文以3个具有代表性的InGaN/GaN多量子阱结构作为研究对象,深入探讨了荧光法测定某个目标温度下InGaN阱层的光学带隙所需要满足的测试条件.由于InGaN阱层是一种多元合金且受到来自GaN垒层的应力作用,所以该阱层中不仅存在着杂质/缺陷相关的非辐射中心,也存在着组分起伏诱发的局域势起伏以及极化场诱发的量子限制斯塔克效应.因此,为了获得目标温度下InGaN阱层的较为精确的光学带隙,提出了荧光测量至少应满足的测试条件,即必须消除该目标温度下非辐射中心、局域中心以及量子限制斯塔克效应对辐射过程的影响. 相似文献
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An epitaxial graphene (EG) layer is successfully grown on a Si-terminated 6H-SiC ((9001) substrate by the method of thermal annealing in an ultrahigh vacuum molecular beam epitaxy chamber. The structure and morphology of the EG sample are characterized by reflection high energy diffraction (RHEED), Raman spectroscopy and atomic force microscopy (AFM). Graphene diffraction streaks can are clearly observed in the Raman spectrum. The AFM about 4-10 layers. be seen in RHEED. The G and 2D peaks of graphene results show that the graphene nominal thickness is 相似文献
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Diphenylene was synthesized directly from benzene under the catalytic effect of GaP nanocrystals, and the effect of GaP nanocrystals content was studied. The experimental results showed that no reactions took place without GaP nanocrystals. The more the GaP nanocrystals added, the more the reaction complete. Furthermore, at high temperatures (450-480℃), when the content of GaP nanocrystals was high enough, almost all benzene polymerized and the yield of diphenylene was rather high. On the contrast, even if there are enough GaP nanocrystals in the reaction mixture, almost no polymerization reaction took place at low temperature (for example, 250-300℃), and the yield of diphenylene was very poor. The analytical results of XRD, IR, elemental analysis and NMR proved that the sample was truly diphenylene. 相似文献
58.
Lattice-matched InGaAs/lnP heterostructures have been grown by using metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) with tertiarybutylarsine
(TBAs), tertiarybutylphosphine (TBP) as the group V sources. The results of X-ray diffraction on InGaAs/lnP single herterostructure
show that there is a compressive-strained interfacial layer at the InP-to-InGaAs interface. X-ray diffraction of InGaAs/ InP
superlattices is successfully simulated by using the same interfacial layer. TBAs purging of InP surface has a significant
influence on the interfacial strain. A novel gas switching sequence, which switches group III to the run line earlier than
TBAs, is proposed to reduce this interfacial strain. As a result, the average compressive strain of superlattices decreases,
and a blue shift of photoluminescence ( PL) peak energy and narrowing in PL width are obtained. 相似文献
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60.
利用飞秒激光直写微纳加工平台, 对6H-SiC材料进行了突破衍射极限的微纳结构加工研究. 使用中心波长和脉宽分别为800 nm和130 fs的钛蓝宝石激光器和荧光倒置显微镜搭建了飞秒激光直写微纳加工平台, 研究了在不同的实验条件下对6H-SiC的光学加工情况, 采用扫描电子显微镜对加工结构进行表征. 通过分析不同的激光功率和不同的曝光时间等实验条件下加工的分辨率, 发现分辨率随着激光功率的减小而提高, 随扫描速度的增大而提高, 且能突破光学衍射极限. 最终获得125 nm的加工线宽, 并加工了加工线宽240 nm, 周期1.0 μm的线阵列. 研究结果为微机电系统(MEMS)的微器件设计开创了新的思路, 对发展MEMS器件具有重要意义.
关键词:
飞秒激光直写
超衍射加工
6H-SiC
微机电系统 相似文献