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11.
Within the framework of the Floquet theorem, we have
investigated single-electron photon-assisted tunneling in a
double-well system using the transfer matrix technique. The
transmission probability displays satellite peaks on the both sides
of main resonance peaks and these satellite peaks originate from
emission or absorption photons. The single-electron resonance
tunneling can be control through changing applied harmonically
potential positions, such as driven potential in wells, in barriers,
or in whole double-well system. This advantage should be useful in
the optimization of the parameters of a transmission device. 相似文献
12.
测定和计算了一系列超细均分散胶体Y(OH)CO3形成过程中的热力学参数,并运用唯象模型研究了其形成过程中的热力学稳定性,结果表明,Y(OH)CO3超细均分散胶粒只在较狭窄的过饱和度范围(1〈x〈1.08)内稳定。 相似文献
13.
超细均分散稀土化合物胶体粒子制备 总被引:2,自引:0,他引:2
利用尿素分解法制得轻、中、重稀土化合物的超细均分散胶体粒子,详细探讨了浓度、pH值、陈化温度、陈化时间及共存阴离子等因素对制备过程的影响,获得了各种粒子的最佳制备条件. 相似文献
14.
基于单电子有效质量近似理论和传递矩阵方法,理论研究了稀磁半导体/半导体超晶格结构中电子的自旋极化输运特性.主要讨论了光场和磁场联合调制对自旋极化输运的影响,以及不同自旋电子在该超晶格结构中的隧穿时间.理论和数值计算结果表明,由于导带电子与掺杂Mn离子之间的sp-d电子相互作用引起巨塞曼劈裂,因此在磁场调制下,不同自旋电子在该结构中感受到的势函数不同而呈现出自旋过滤效应,不同自旋电子的共振透射能带的位置和宽度可以通过磁场进行调制.同时在该结构中考虑光场时,自旋依赖的透射谱会因为吸收和发射光子而呈现出对光场的强度和频率响应;最后,通过不同自旋电子的高斯波包在该结构中随时间的演化给出了不同自旋电子的隧穿时间.本文研究结果对研究和设计基于稀磁半导体/半导体超晶格结构的高速量子器件具有一定的指导意义. 相似文献
15.
16.
本文使用密度泛函理论(density functional theory, DFT)中的广义梯度近似(generalized gradient approximation, GGA)研究了经碱金属原子Li、过渡金属原子Ti和Fe原子修饰的富勒烯C18B2M(M=Li, Ti, Fe)的储氢性能. 研究发现, C18B2由于B的替代掺杂, 比C20对金属原子具有更高的结合能. 由平均吸附能分析可知: C18B2Li对H2的吸附能力较弱, C18B2Fe对H2的吸附能力过强, 而C18B2Ti对H2的平均吸附能介于0.45-0.59 eV 之间, 介于物理吸附和化学吸附之间 (0.2-0.6 eV), 因此可以实现常温下的可逆储氢. C18B2M(M=Li, Ti, Fe)能够吸附的H2数目最多分别为4, 6和4. 由储氢机理分析可知: C18B2Li主要通过碱金属离子激发的静电场来吸附H2, 而C18B2Ti和C18B2Fe主要通过金属原子与H2之间的Kubas作用来吸附H2. 由于C18B2Ti既有较大的储氢数目, 又可以实现可逆储氢, 因此有望开发成新型纳米储氢材料. 相似文献
17.
两个变量的不等式证明题是导数知识应用的一个典型模型,有一定的解题难度,其中构造函数法是重要的解题措施,还需要一些变形技巧. 相似文献
18.
19.
20.
荧光粉表面吸附汞的检测 总被引:1,自引:1,他引:0
在荧光灯的燃点过程中,荧光粉表面沉积吸附的汞对光衰有重要的影响。本文提出用冷原子吸收方法(CVAAS)直接检测荧光粉表面吸附汞量的变化,利用室温下原子汞对254nm共振线的吸收,且其吸收与汞原子蒸气浓度成正比进行汞量测试,测得方法的标准曲线回归方程为Y=0.4455X 0.2000,试样的加标回收率为92.3-99.8%,满足荧光粉含汞量测定的要求。对燃点不同时间后的铝酸盐蓝色荧光粉(BAM)进行测定,结果表明:荧光粉表面沉积吸附的汞量随点灯时间的延长而增加,与灯的光衰增大趋向一致,汞的吸附沉积确实是造成荧光灯光衰的主要原因之一。检测结果还表明,将未作表面包膜处理的BAM粉与经过表面包覆纳米Al2O3膜层处理的BAM粉作对照,前者的含汞量比后者的含汞量明显要高。可见:对荧光粉进行表面包膜处理,能够保护粉体、减少汞的沉积吸附,从而降低点灯过程中的光衰。 相似文献