物理教学中的方法论教育——物理教学与教书育人体会之一

介绍了作者在物理教学中用物理史料对学生进行方法论教育的体会．     

用改进嵌入原子法计算Cu晶体的表面能

用改进嵌入原子法(MEAM)计算了Cu晶体12个晶面的表面能.结果表明，密排面(111)的表面能最小.其他晶面的表面能随其晶面与(111)晶面夹角的增加而增加，据此可以粗略地估计各晶面表面能的相对大小.给出的几何结构因子的确定方法及结果可以直接用于计算其他面心立方晶体的表面能及其他特性.在Cu,Ag等面心立方薄膜中出现(111)择优取向或织构的机理是表面能的最小化. 关键词： 改进嵌入原子法 铜 表面能 计算     

热处理过程对Cr75（Fe0.67Mn0.33）25合金磁性的影响

利用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱和磁测量方法对经过适当热处理的Ｃｒ７５（Ｆｅ０．６７Ｍｎ０．３３）２５合金的磁性进行了研究。结果表明合金中原子的化学分布对合金的磁有序状态的形成起重要作用。通过热处理过程影响合金中的富Ｃｒ、富Ｆｅ原子集团，引起反铁磁、铁磁转变温度的升高。合金中的富Ｃｒ、富Ｆｅ原子集团导致合金中的磁相分离。     

孟塞尔色序系统与CIE1931标准色度系统转换新算法

孟塞尔色序系统到CIE标准色度系统的自动转换在颜色和视觉领域是一个很重要的课题.提出了一种基于等色调线和等彩度线插值的新算法,实现孟塞尔色序系统与CIE1931标准色度系统之间颜色的相互转换.实验测试表明,由孟塞尔系统到CIE色度系统的正向转换准确度为ΔY=0.004,Δx=0.000 13,Δy=0.000 13,由CIE色度系统到孟塞尔系统的反向转换准确度达到了ΔV ≈0,ΔH=0.017 5,ΔC=0.013.     

基于特征值方法的旋翼尾迹稳定性分析

给出一个旋翼尾迹线性化稳定性分析的方法.在该方法中,尾迹涡线被离散为直线涡段,尾迹的扰动归结为涡元端点的扰动,考虑了桨尖涡的自诱导和涡线的互诱导以及桨尖涡与桨叶的实际干扰.使用该方法,分别以UH-1H和AH-1G模型旋翼为例,对悬停和前飞状态的旋翼尾迹的稳定性进行计算和分析.结果表明:旋翼尾迹运动存在大于0的特征值,是内在不稳定的,且最大发散率随波数变化呈现出一定规律性;前飞与悬停状态不同,其最大发散率减小,不稳定性减弱.     

关于非线性系统两类广义混沌同步存在性的研究

研究了非线性系统两类广义混沌同步的存在性.即在响应系统的修正方程在具有渐近稳定平衡点或渐近稳定周期轨道的情况下,满足一定的条件,可将广义同步化流形存在性问题转化为Lipschitz函数族的压缩不动点问题,理论上严格证明了该广义同步化流形的指数吸引性.数值仿真证实了理论的正确性及有效性. 关键词： 广义同步化流形 压缩不动点 指数吸引性     

激光场中一维和三维氢分子离子模型经典动力学行为的比较

应用经典轨迹方法,采用辛算法数值求解激光场中的一维和三维氢分子离子(H2 )的Hamilton正则方程,得到氢分子离子在激光场作用下的经典轨迹,并比较分析氢分子离子一维模型与三维模型的存活、解离、电离和库仑爆炸等动力学行为,以及电子的运动情况的相似之处.数值结果表明,采用一维模型能近似定性反映氢分子离子的动力学行为,并且简便可行.     

溶胶-凝胶SiO2薄膜氨热两步后处理

 以正硅酸乙酯为前驱体,氨水作催化剂,采用溶胶-凝胶法提拉镀制SiO₂双面膜,对薄膜进行氨处理和热处理。采用椭偏仪、分光光度计、红外光谱、扫描探针显微镜、静滴接触角测量仪表征薄膜的特性。研究表明：经氨热两步后处理,膜厚持续减小,折射率经氨处理先增大了0.236,再经热处理又减小了0.202,膜层透光性变好,透过率峰值持续向短波方向移动;经两步后处理的膜面平整度明显变好,与水的接触角先增大到58.92°后减小到38.07°。     

大鼠死后血浆吸光度变化与死亡时间关系的研究

死亡时间与案发时间密切相关。死亡时间的推断一直是全世界的法医难题。文章试图利用血液吸光度变化探索推断死亡时间的新途径与新方法。用岛津UV250型分光光度计在紫外-可见光下检测大鼠死后不同时间右心血血浆的吸光度变化,探讨其与死亡时间之间的关系。研究发现大鼠死后血浆在紫外-可见光下的吸光度与死亡时间密切正相关,故可以作为推断死后24 h内PMI的参考指标。     

排列形状及阵列数目对纳米导线阵列场发射性能的影响

为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响，利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟，近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势：β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)²+3,其中h为纳米导线的高度，ρ为纳米导线的半径，W是以R为自变量的函数，R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小，而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素：当R<R₀时，场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小；当R>R₀时，场发射增强因子基本不变，其中R₀为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势，但是随着阵列数目的增加，R₀会有一定程度的减小，场发射增强因子也会降低. 关键词： 纳米导线 场发射 增强因子 阵列数目