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31.
赝三元热电烧结体材料制作技术的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文以区熔法生长的Bi2Te3-Sb2Se2Te3高估值系数赝三元半导体致冷晶体为原料,采用冷压成型,在380-440℃条件下,经5h烧结处理,可获得高致密度和高强度的半导体致冷器用烧结体材料。这种材料从根本上克服了取向晶体沿生长轴方向发生劈裂和解理现象。 相似文献
32.
33.
34.
35.
对-叔丁基杯[8]芳烃键合硅胶制备及其毛细管电色谱性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以γ-(环氧丙氧)丙基键合硅胶为前体,于硅胶表面键合环氧基,在催化剂存在下以杯芳烃钠盐开环制备杯芳烃键合硅胶固定相.该方法反应条件温和,适用性强.将这个新方法首次用于制备对-叔丁基杯[8]芳烃电色谱键合固定相(C8BS),采用加压电色谱初步评价其电色谱性能.研究结果表明,C8BS电渗流(Electrosmoticflow,EOF)较小,但通过控制键合反应及使用压力辅助电色谱可部分弥补上述不足.该固定相的EOF受流动相pH影响小(pH=3-8),同时大环配体屏蔽效应能有效地克服硅羟基引起的碱性化合物拖尾现象,这对电色谱分离具有重要意义.通过分步封尾研究EOF的来源发现,杯芳烃酚羟基对EOF有弱的贡献,这与报道的杯芳烃涂层具有径向电渗流调控能力相一致. 相似文献
36.
37.
38.
等离子喷涂层接触疲劳失效模式及失效机理的研究 总被引:6,自引:1,他引:5
研究了等离子喷涂层在不同应力水平下的接触疲劳失效模式与声发射幅值的对应关系,并分析了涂层的接触疲劳失效机理.结果表明:声发射幅值与接触应力的大小无明显的关系,根据疲劳失效时的声发射幅值可以判断涂层接触疲劳失效模式,幅值为87~93 dB时易发生剥落或分层失效,幅值为78~83 dB易发生点蚀失效.涂层表面微凸体与轴承球滚压接触产生黏着磨损以及涂层、磨粒、轴承球三者形成的三体磨料磨损是点蚀失效产生的主要原因.剥落失效主要与涂层表面微观缺陷处裂纹的萌生、扩展以及表面磨损行为有关.层内分层失效是由涂层内部最大剪切应力控制的,而界面分层失效主要是由涂层与基体的低结合强度、热失配以及界面剪切应力造成的. 相似文献
39.
设计并合成了结构为TPP-Lys(Acp-DOTA-Gd)-COOH(简称Gd-DOTA-TPP)的小分子磁共振探针,通过电转染的方式用探针标记人源脐带间充质干细胞(hMSCs).11.7 T磁共振成像(MRI)扫描结果表明,Gd-DOTA-TPP标记的hMSCs在细胞内Gd含量为9×109 Gd/cell时,T2加权信号强度即可低至背景信号强度,呈现较强暗信号.将Gd-DOTA-TPP标记的hMSCs移植入小鼠脑室,可明显提高移植干细胞在MRI设备上的检测灵敏度,检测限可低至103个细胞. 相似文献
40.
以壳聚糖(CS)为多壁碳纳米管(MWNTs)的分散介质, 通过MWNTs/CS膜上大量氨基静电吸附纳米金粒子(nanoAu), 使玻碳电极(GCE)表面形成稳定的nanoAu-MWNTs-CS-GCE修饰层, 并采用电化学方法初步研究了该修饰电极的性能. 探讨了吲哚乙酸(IAA)在该修饰电极上的电化学行为, 结果表明, 在5~200 μmol/L浓度范围内以及0.78 V电位条件下, 以循环伏安法(CV)测得的氧化峰电流变化值与c(IAA)呈良好的线性关系, 其回归方程为y=2.34×10-4+0.14x, 检出限为8.33×10-6 mol/L, 相关系数为0.9997. 相似文献