铁酞菁/氮掺杂石墨烯复合物的电化学传感研究

本文用快速简便的方法制备了铁酞菁/氮掺杂石墨烯（FePc/N-G）修饰电极,用于定量检测半胱氨酸. 采用电化学方法对修饰电极的性能进行了表征,结果表明氮掺杂石墨烯负载铁酞菁修饰电极对半胱氨酸具有更宽的线性响应范围和较高的灵敏度.     

Study of ac hopping conductivity on one—dimensional nanometre systems

In this paper, we establish a one-dimensional random nanocrystalline chain model, we derive a new formula of ac electron－phonon－field conductance for electron tunnelling transfer in one-dimensional nanometre systems. By calculating the ac conductivity, the relationship between the electric field, temperature and conductivity is analysed, and the effect of crystalline grain size and distortion of interfacial atoms on the ac conductance is discussed. A characteristic of negative differential dependence of resistance and temperature in the low-temperature region for a nanometre system is found. The ac conductivity increases linearly with rising frequency of the electric field, and it tends to increase as the crystalline grain size increases and to decrease as the distorted degree of interfacial atoms increases.     

阳极溶出伏安法测定痕量汞的研究

痕量汞的测定方法有很多[1 ] 。原子吸收法虽然具有较高的灵敏性 ,但是仪器设备昂贵 ,分析步骤较繁琐。近年来 ,化学修饰电极阳极溶出伏安法在对汞痕量分析方面的研究报道也不少[2～3] ,测定的检测限一般在 1 0 - 6～ 1 0 - 9ｇ·ｍｌ- 1 ,但它容易产生记忆效应 ,洗脱不良。本文以玻碳电极为工作电极 ,在ＨＣｌ ＮａＣｌ Ｃｄ2 +中 ,示差脉冲阳极溶出伏安法 (ＤＰＳ)测定痕量汞 ,汞的平均回收率达80 %。1　实验部分1 1　主要仪器与试剂ＰＡＲ— 384极谱仪 (美国 ) ;三电极系统 :工作电极为玻碳电极 ,参比电极为Ａｇ/ＡｇＣｌ电极 ,对电极为…     

胺基和酰胺基树脂对水中铬(Ⅵ)的吸附研究

本论文以丙烯酸甲酯(MA)为单体,二乙烯苯(DVB)为交联剂,偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂,通过悬浮聚合法合成了凝胶型酯基树脂,将酯基树脂用二乙烯三胺和乙二胺分别进行胺化得到胺基树脂,再用乙酸酐进行酰胺化得到酰胺基树脂。初步研究了胺基树脂和酰胺基树脂对铬(Ⅵ)离子的静态吸附及洗脱,结果表明,引入功能基的树脂吸附能力远大于酯基树脂,5%NaCl-5%NaOH溶液的洗脱效果好于盐酸溶液。两种树脂的吸附等温线拟合结果表明酰胺基和胺基树脂对铬(Ⅵ)离子的静态吸附行为都符合Langmuir等温吸附模型和Freundlich方程,而且酰胺基树脂对铬(Ⅵ)离子的吸附行为属于放热过程,但是胺基树脂温度低于310K时是放热过程,高于310K时由于离子交换吸附比例的增加使得树脂吸附成为吸热过程。红外光谱研究发现胺基树脂吸附铬(Ⅵ)离子后,CN键伸缩振动峰蓝移了19个波数,且941cm^-1出现的新吸收峰,树脂在吸附铬(Ⅵ)离子的过程中,N起到了主要作用。     

异相晶核法液相合成金红石型TiO2纳米晶

分别以SnCl₂·2H₂O和SnCl₄·5H₂O为锡源,采用胶溶晶核法,经沉淀和胶溶过程,在液相中一步合成了金红石型TiO₂.详细考察了各种胶溶条件对产物结构的影响,并通过两种锡源实验结果的比较对异相晶核法中两种锡源的成晶机理进行了分析.所合成的金红石型TiO₂晶粒度为20～50nm,两种方法获得完全金红石型TiO₂所需引入SnO₂的最低物质的量的分数分别为10%和8%.     

中性粒子在Ioffe阱中的经典运动方程的Floquet解

研究中性粒子在Ioffe阱中近原点区域的囚禁时,阱中的磁场可以呈现出一种简明的形式.磁矩μ反平行于磁场的中性粒子在阱中与磁场发生相互作用,借助相互作用势,可以获得粒子在阱中的经典运动方程.在一定的条件下,采用迭代近似的目的,将方程演化为马丢方程的形式,利用传统的WKBJ目的可实现方程的近似求解.研究阱中中性粒子的囚禁问题时,感兴趣的是马丢方程的Floquet解,即周期为π,2π的全周期和半周期解,欲获得这种周期解,马丢方程中的参数λ和q必须满足一定的关系,为此必须选择阱的特定参数和粒子的特定初始条件,对这一问题进行了探索性的研究.     

扶手椅型石墨纳米带的双空位缺陷效应研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理电子结构和输运性质计算,研究了扶手椅型石墨纳米带（具有锯齿边缘）的双空位缺陷效应.研究发现：双空位缺陷的存在并没有改变石墨纳米带的金属特性,但改变了费米面附近的能带结构.同时,双空位缺陷的取向对石墨纳米带的输运性质有很重要的影响.对于奇数宽度的纳米带,斜向双空位缺陷使得石墨带导电性能减弱,而垂直双空位能基本保留原有的线性伏安特性,导电性能降低较少;对于偶数宽度的纳米带,斜向双空位缺陷会使石墨带导电性能明显增强,而垂直双空位缺陷则具有完整石墨带的输运性质. 关键词： 石墨纳米带 585双空位缺陷 电子结构 输运性质     

Zigzag型石墨纳米带电子结构和输运性质的第一性原理研究

采用第一性原理电子结构和输运性质计算研究了zigzag型单层石墨纳米带(具有armchair 边缘)的电子结构和输运性质及其边缘空位缺陷效应. 研究发现,完整边缘的zigzag型石墨纳米带是具有一定能隙的半导体带,边缘空位缺陷的存在使得纳米带能隙变小,且缺陷浓度越大,能隙越小,并发生了半导体-金属转变. 利用这些研究结果,将有助于在能带工程中实现其电子结构裁剪. 关键词： 石墨纳米带 空位缺陷 电子结构 输运性质     

例谈数学解题中的转化策略

数学解题能力的培养其实就是思维能力的培养,数学解题过程实质上是一种思维活动转化的过程,一个从未知到已知的转化过程．这种转化思想是数学解题的基本策略．日本著名数学教育家米山国藏指出：“作为知识的数学走出校门不到两年就忘了,唯有深深铭记在头脑中的是数学精神、数学思想、研究方法等,这些都随时随地发生作用,使他们终身受益．”在教学中,     

碱基对组分、电极位能及界面耦合对DNA分子I-V特性的影响

在紧束缚近似下,利用传输矩阵方法,计算研究了碱基对组分、金属电极位能及DNA分子与电极耦合强度对DNA分子I-V特征的影响.计算结果表明:由单一碱基对构成的DNA分子的饱和电流强度远大于由两种碱基对按一定组分随机分布的DNA分子的饱和电流强度,且当DNA分子中两种碱基对的含量相等时,其饱和电流强度最小.同时,富含C-G碱基对的DNA分子比富含A-T碱基对的DNA分子的电子输运能力大.金属电极位能对DNA分子电子输运的影响体现在两方面,当偏压较小时,电极位能具有阻碍电荷注入的效果,当偏压较大时