大口径激光玻璃环抛光学沥青抛光胶

研制了四种不同沥青和松香含量的光学沥青抛光胶,对其形貌、针入度、玻璃化转变温度、软化点和粘度等参量进行了表征。从组成和结构分析了抛光胶三种物理状态变化原因,将玻璃化转变温度和软化点作为其临界转变温度。实验研究了四种抛光胶对大口径激光玻璃的抛光效果,发现抛光胶中沥青和松香的质量分数分别为30%和70%时,抛光效果比较理想,在像散和表面疵病控制方面能够满足要求,可作为大口径激光玻璃抛光专用胶。     

Conception design of helium ion FFAG accelerator with induction accelerating cavity

Technological advancements are strongly required to fulfill the demands of new accelerator devices with the highest accelerating gradients and operation reliability for the future colliders.To this purpose an extensive R&D regarding molybdenum coatings on copper is in progress.In this contribution we describe chemical composition,deposition quality and resistivity properties of diferent molybdenum coatings obtained via sputtering.The deposited films are thick metallic disorder layers with diferent resistivity values above and below the molibdenum dioxide reference value.Chemical and electrical properties of these sputtered coatings have been characterized by Rutherford backscattering,XANES and photoemission spectroscopy.We will also consider multiple cells standing wave section coated by a molybdenum layer designed to improve the performance of X-Band accelerating systems.     

软泛代数及其整体结构性质

提出了软泛代数概念,将已有的软群、软环等概念统一纳入这一框架中,从整体上研究了软泛代数的序结构性质,证明了固定指标集和T-代数后,相应的软T-代数全体以点式序形成代数格.引入了Scott连续软泛代数概念,证明了从代数紧拓扑空间到给定T-代数的Scott连续软T-代数的全体以点式序形成代数格.     

PbTe/CdTe量子点的光学增益

PbTe/CdTe量子点是一类新型异系低维结构材料,实验发现具有强的室温中红外光致发光现象.为研究这一材料体系的发光特性,建立了理论模型,计算了PbTe/CdTe量子点的光学跃迁和增益.模型基于k·p包络波函数方法并考虑了PbTe能带结构的各向异性.分析了量子点光学增益与量子点尺寸、注入载流子浓度的关系.结果表明,当注入载流子浓度在(0.3—3)×10¹⁸cm^-3范围时,尺寸为15—20nm的量子点可以产生 关键词： PbTe/CdTe量子点 光学增益 铅盐矿半导体     

熔石英亚表面缺陷附近光强分布的数值模拟

 熔石英亚表面缺陷对光场的调制是导致激光辐照场破坏的主要因素。采用有限元方法对熔石英亚表面缺陷（平面和锥形划痕）周围的光强分布进行了数值模拟。结果表明：划痕形状、几何尺寸、方位角、光的入射角等是影响划痕周围光强分布的主要因素;前表面划痕对光强的增强效果比后表面弱;在理想形状的划痕截面和表面同时发生内全反射时,平面划痕周围的光强增强效果明显。锥形划痕周围的光强分布为正确解释交叉划痕的夹角平分线附近的损伤提供了理论依据。     

Resonant Tunnelling and Storage of Electrons in Si Nanocrystals within a-SiNx/nc-Si/a-SiNx Structures

The a-SiNx/nanocrystalline silicon （nc-Si）/a-SiNx sandwiched structures with asymmetric double-barrier are fabricated in a plasma enhanced chemical vapour deposition （PECVD） system on p-type Si substrates. The nc-Si layer in thickness 5nm is fabricated from a hydrogen-diluted silane gas by the layer-by-layer deposition technique. The thicknesses of tunnel and control SiNx layers are 3nm and 20nm, respectively. Frequency-dependent capacitance spectroscopy is used to study the electron tunnelling and the storage in the sandwiched structures. Distinct frequency-dependent capacitance peaks due to electrons tunnelling into the nc-Si dots and capacitance-voltage （C - V） hysteresis characteristic due to electrons storage in the nc-Si dots are observed with the same sample. Moreover, conductance peaks have also been observed at the same voltage region by conductance-voltage （G - V） measurements. The experimental results demonstrate that electrons can be loaded onto nc-Si dots via resonant tunnelling and can be stored in our a-SiNx/nc-Si/a-SiNx structures.     

MoO2微米空心球的水热合成及合成机理研究

在阳离子表面活性剂的作用下,以钼酸铵为钼源,乙醇作为还原剂合成了微米级MoO2空心球．采用X射线粉末衍射、热重-差热、扫描电子显微镜、透射电镜和X射线光电子能谱对合成的样品进行了表征,并对MoO2空心球可能的形成机理进行了讨论.在MoO2空心球的形成过程中,发现了样品从“大块-实心球-空心球”的形貌转化过程,空心球的形成机理可用微米尺度的Kirkendall效应解释．     

2018年10期 电子期刊

采用自蔓延燃烧法结合高温热处理方法制备了镝离子掺杂浓度不同的七铝酸十二钙（12CaO·7Al₂O₃:x% Dy³⁺,C12A7:x% Dy³⁺） X射线荧光粉材料。实验发现,该系列荧光粉在350 nm激发下,可观察到位于486 nm和575 nm的两个发光峰,其分别来源于Dy³⁺离子的⁴F_9/2→⁶H_15/2和⁴F_9/2→⁶H_13/2跃迁。当镝掺杂摩尔分数为0.3%时,两个发光峰的发射强度最大。在氮气气氛下,1 300℃热处理C12A7:x% Dy³⁺荧光粉后,与未热处理样品相比,笼中OH^-基团减少,导致其光激励发光强度显著增大,并产生了更多的深陷阱。通过使用氮气气氛热处理后的C12A7:0.3% Dy³⁺粉末制成的成像板,以包覆有绝缘层细电线为成像目标,发现在合适的X射线吸收剂量下（0.54 Gy）,可以实现高质量的X射线成像。以上实验结果表明,镝掺杂的七铝酸十二钙X射线荧光粉材料在数字化静态X射线图像目标检测技术中有潜在的应用前景。     

HLS储存环高频调制实验

在合肥光源(HLS)储存环上进行了高频调制实验, 结果表明采用调制频率接近同步振荡频率f_s的高频幅度或相位调制, 可以提高束流寿命. 而通常采用的是2f_s的调制方式. 实验测量了最佳调制频率和合适的调制度, 以及不同流强下调制引起寿命增长的程度. 同时观察到束流频谱中高次分量的降低, 这有利于抑制多束团耦合不稳定性.     

PbTe/PbSrTe半导体非对称量子阱中的Rashba效应

窄带隙半导体异质结构的自旋效应最近受到了国际上的很大关注.Ⅳ-Ⅵ族半导体具有各向异性和多能谷的特征,因此可以预期Rashba自旋效应在不同取向的Ⅳ-Ⅵ族半导体量子阱结构中存在显著差异.计算了多个取向的Pb_1-ySr_yTe/PbTe/Pb_1-xSr_xTe非对称量子阱中的Rashba分裂能,结果表明［100］取向的PbTe量子阱的Rashba分裂能在阱宽为5.0nm时 关键词： Ⅳ-Ⅵ族半导体 非对称量子阱 Rashba效应 自旋-轨道耦合分裂