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91.
对渐变折射率薄膜替代均匀膜系作为高功率激光反射膜的可行性进行了理论研究。以较容易获得的线性共蒸法制备的光学膜在中心波长为1 064 nm的激光作用为例,分析了薄膜与基体之间波长的匹配、场强分布等问题。提出了通过改变微小单元获得梯度膜匹配厚度的数值方法,将之运用在14个周期结构的梯度膜中,并由膜系计算软件验证了所获得结果。最后通过分析Maxwell方程,计算了梯度膜中与薄膜损伤密切相关的电场强度分布。结果表明:周期性结构梯度高反射膜中的电场分布与传统高反射膜具有相似性,但相对于传统高反射膜容易在界面处出现损伤的情形而言,梯度膜更容易在表面出现损伤,使梯度膜表面反射相移接近π是高功率梯度高反射膜的设计方向。 相似文献
92.
为了解决高功率激光装置光束质量诊断系统的自验证问题,研究了基于空间相位调制的径向剪切干涉法综合诊断光束质量的实验应用。该方法理论上只需一台干涉仪且从单幅干涉图中获取光束的近场、相位和远场分布信息。实验结果表明,目前可以得到高分辨率的相位分布,由测量近场和相位恢复出的远场同CCD直接测量得到的远场形态相同,环围能量比曲线相当吻合,不足之处在于只能提取近场较低空间频率成分,还达不到CCD直接测量的空间分辨水平。 相似文献
93.
94.
大鼠死后血浆吸光度变化与死亡时间关系的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
死亡时间与案发时间密切相关。死亡时间的推断一直是全世界的法医难题。文章试图利用血液吸光度变化探索推断死亡时间的新途径与新方法。用岛津UV250型分光光度计在紫外-可见光下检测大鼠死后不同时间右心血血浆的吸光度变化,探讨其与死亡时间之间的关系。研究发现大鼠死后血浆在紫外-可见光下的吸光度与死亡时间密切正相关,故可以作为推断死后24 h内PMI的参考指标。 相似文献
95.
组织惰性是客观存在于组织机体内的消极行为表现, 对组织的可持续发展产生阻碍作用. 如何克服组织惰性、提升组织效率是组织惰性研究的关键问题. 本文主要探讨了组织忘却对组织惰性的影响作用. 以长三角地区的260个调查样本为研究对象, 对组织忘却与组织惰性的关系进行了分析, 并探讨了环境动态性、创新导向以及环境动态性和创新导向交互在两者之间的调节作用. 结果表明 组织忘却对组织惰性具有显著的负向作用, 环境动态性和创新导向均显著正向地调节了两者之间的负向作用, 环境动态性和创新导向的交互对两者之间的关系具有调节作用, 但调节作用最强的情况出现在环境动态性或创新导向单方面较强, 而非环境动态性和创新导向两者均强时. 相似文献
96.
为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R<R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R>R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低.
关键词:
纳米导线
场发射
增强因子
阵列数目 相似文献
97.
研究了K3C60单晶薄膜在200K附近的导带结构.样品温度为190K时,同步辐射角分辨光电子谱能够观察到[111]方向有规律的能带色散.而在220K附近色散不存在.这一实验结果与K3C60在200K存在取向相变相符合.用反铁磁Ising模型对实验结果进行了分析.结果表明,K3C60在200K的相变是由低温下的一维无序取向结构转变为200K以上的双取向结构畴与无序分子(约占40
关键词:
3C60')" href="#">K3C60
取向相变机理 相似文献
98.
采用基于密度泛函理论的第一性原理分子动力学方法对液态硝基甲烷的热分解行为进行了模拟,结合各产物布居数随时间的演化,讨论了热分解初期可能发生的3种反应,即分子内/分子间的质子迁移反应和C—N键的断裂.在长时间(30 ps)的模拟过程中,H2O是主要产物.研究了液态硝基甲烷在不同密度(压力)条件下热分解的动力学行为.发现不同密度(压力)条件下液态硝基甲烷热分解呈现明显不同的变化趋势,并给出了解释.
关键词:
硝基甲烷
分子动力学
热分解
压力效应 相似文献
99.
100.
Wafer-Level Testable High-Speed Silicon Microring Modulator Integrated with Grating Couplers
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A wafer-level testable silicon-on-insulator-based microring modulator is demonstrated with high modulation speed, to which the grating couplers are integrated as the fiber-to-chip interfaces. Cost-efflcient fabrications are realized with the help of optical structure and etching depth designs. Grating couplers and waveguides are patterned and etched together with the same slab thickness. Finally we obtain a 3-dB coupling bandwidth of about 6Ohm and 10 Gb/s nonreturn-to-zero modulation by wafer-level optical and electrical measurements. 相似文献