我国发光学的研究现状

本文以国际科技发展为背景，介绍了我国发光学在物理、材料、器件及应用方面的工作．在结合实际力面（包括应用基础研究），我们虽然影响还小，但已有特点，唯独在基础研究方面逊色明显，而它却孕育着高技术．     

Hydrothermal Synthesis and Characterization of Perovskite PbTiO_3 Powders from Different Precursors

ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＰｅｒｏｖｓｋｉｔｅ（ＰＥ）ｐｈａｓｅＰｂＴｉＯ３ｉｓａｗｅｌ－ｋｎｏｗｎｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｍａｔｅｒｉａｌｗｉｔｈｅｘｃｅｌｅｎｔｄｉ－ｅｌｅｃｔｒｉｃ，ｐｙｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃａｎｄｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃｐｒｏ...     

近年来中国发光学进展

本文介绍了近年来中国发光学在物理、材料、器件和应用方面的进展，文中还介绍了中国发光学在新开拓的几个交叉学科领域中的进展．     

Sm离子在SrS∶Eu，Sm电子俘获过程中的作用

测量了SrS∶Eu,Sm的吸收光谱在陷阱饱和与倒空状态下的差异,由此讨论了在陷阱饱和时不同能量位置空穴和电子的分布,通过在近红外区Sm³⁺的吸收光谱研究了Sm离子价态和数目在激发前后的变化,并发现Sm³⁺的线状吸收与电子的陷阱→导带的激励吸收光谱存在较强的相消现象.提出了在SrS∶Eu,Sm中陷阱的构成机制及Sm³⁺离子在其中的地位,考察了Sm浓度对光存储量的影响,并找到一个提高这种材料光存储量的合理方法.     

Synthesis and Crystal Structure of di p Methyl pyridinium p methylpyridinidine Hexatungstate

ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅｒｅｓｅａｒｃｈｏｎｔｈｅｌａｙｅｒｅｄｃｏｍｐｏｕｎｄｓ,ｗｈｉｃｈｃｏｎｓｉｓｔｅｄｏｆａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇｏｒｇａｎｉｃａｎｄｉｎｏｒｇａｎｉｃｌａｙｅｒｓ,ａｔｔｒａｃｔｅｄｃｏｎｓｉｄｅｒａｂｌｅａｔｔｅｎｔｉｏｎｉｎｔｈｅｐａｓｔｔｗｅｎｔｙｙｅａｒｓｄｕｅｔｏｔｈｅｉｒｓｐｅｃｉａｌｓｏｒｐｔｉｖｅ,ｃａｔａｌｙｔｉｃａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｎｔｒａｎｓｐｏｒｔｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ［１,２］．Ｊｏｈｎｓｏｎｅｔａｌ．［３］ｏｂｔａｉｎｅｄａｎｅｗｌａｙｅ…     

不同表压下芪盐单层LB膜二次谐波的研究

在不同表压下制备芪盐的单层LB薄膜,测量LB膜的二次谐波信号.在低表压得到增强的二次谐波信号.对比芪盐的透射光谱,认为在LB膜中,芪盐以固相态存在,低表压时的固相态聚集体的吸收峰351nm使四阶非线性极化率x(4)(-2ω;ω,ω,ω,-ω)产生共振增强,四阶光学非线性现象对二次谐波信号产生影响.     

CdSe/CdZnSe超晶格的激子光学性质的研究

用分子束外延法在GaAs衬底上生长了CdSe/Cd0.65Zn0.35Se超晶格结构。利用X射线衍射（XRD）、77K下变密度激发的光致发光光谱和变温度光致发光光谱研究了CdSe/CdZnSe超晶格结构和激光复合特性，在该材料中观测到激子－激子散射发射峰，变密度激发光致发光光谱和谱温度光致发光光谱证实了这一现象，激子发射峰的线宽随着温度的升高而展宽，低温时发光峰的宽度主要是由合金组分和阱垒起伏引起的，没温时激子线宽展宽是由于激子与纵光学声子和离化的施主杂质间的散射作用引起的，光致发光的强度随着温度的升高而降低，这主要是由激子的热离化造成的，也就是说，热激发使得电子或空穴由阱中跃迁至垒上。     

Collision of Bare Ion Si~(14+) with the Same Z Slow-atom Si

We present the collision of bare ion Si 14+ with the same Z slow atom Si. It is shown that the cold-atom collisions are sensitive to the potential. In this paper, we present the cross sectiond for the most important transition from the 3p 13d 1 and 3p 14d 1 excited states. It is seen that there are large cross sections when the angle is larger than 80 degrees. With increasing energy, the cross section becomes decresasingly flat. PACS numbers: 34.70.+e, 32.80. Fb     

Gd3Ga5O12:Ag薄膜电致发光材料的制备及其发光性质

研究了Gd₃Ga₅O₁₂:Ag材料的制备及其发光性质.Gd₃Ga₅O₁₂:Ag材料通过固相反应法制得,采用X射线衍射法分 析了材料的结晶度及成分.用电子束蒸发将该材料制备成交流的薄膜电致发光器件,得到了 较好的蓝紫色发光,发光峰分别位于397和467nm.通过对材料的光致发光和激发光谱的研究 和比较,得出397和467nm分别来自于氧空位和Ag⁺的发光.