光学共振增强的表面铯激活银纳米结构光阴极

金属光阴极因其超短脉冲发射和运行寿命长的特性从而具有重要应用价值,但是较高的功函数和较强的电子散射使其需要采用高能量紫外光子激发且光电发射量子效率极低.本文利用Mie散射共振效应增强银纳米颗粒中的局域光学态密度,提升光吸收率和电子的输运效率,并利用激活层降低银的功函数,从而增强光阴极在可见光区的量子效率.采用时域有限差分方法分析银纳米球阵列的光学共振特性,采用磁控溅射和退火工艺在银/氧化锡铟复合衬底上制备银纳米球,紧接着在其表面沉积制备铯激活层,最后在高真空腔体中测试光电发射量子效率.实验结果表明平均粒径150 nm的银纳米球光阴极在425 nm波长的量子效率超过0.35%,为相同激活条件下银薄膜光阴极的12倍,峰值波长与理论计算的Mie共振波长相符合.     

球谐域类正则化宽带超指向性波束形成算法

提出一种球谐域类正则化宽带超指向性波束形成算法,通过结合超指向性波束形成器与延迟求和波束形成器控制阵列白噪声增益和指向性因数,推导类正则化宽带超指向性波束形器的球谐域表达式。在此基础上设计新的可控指向性因数波束形成器,可在不显著放大低频白噪声的前提下实现设定的波束宽度。采用32元球阵的仿真结果表明,对于语音测试场景,类正则化波束形成器的最高PESQ得分相比于传统的超指向性波束形成器与延迟求和波束形成器分别提高了约0.5和0.4,平均词错率分别减少了约9.5%和8.1%。主观测试实验也表明类正则化波束形成器在方向性噪声和扩散场噪声环境下都可以获得更好的主观听觉感受。利用实验数据对算法性能进行测试,实验结果同样验证了该方法在实际声学环境中的有效性。     

利用改进的Gamow-like模型研究原子核的α衰变和质子放射性

通过引入离心势和静电屏蔽效应对Gamow-like模型进行了改进,并将其用于α衰变和质子放射性研究,发现改进的Gamow-like模型能更好地符合实验数据。另外,还利用改进的Gamow-like模型预言了16个丰质子核的质子放射性的半衰期以及7个$Z=120$超重核素($^{296-308}120$)α衰变链上原子核的α衰变的半衰期,为将来在大科学装置上合成和鉴别这些新核素提供重要的理论参考。     

气垫导轨实验中滑轮摩擦的误差修正

在气垫导轨实验中,根据测量数据得到了不同条件下滑轮摩擦力的大小,并通过曲线拟合,提出了修正滑轮摩擦力影响的方法,最后得到了更精确的实验结果,为减少该实验的误差提供了有益的借鉴.     

利用地球磁场测量质子的自旋弛豫时间

利用地球磁场核磁共振(EF NMR)的方法测量水中质子自旋弛豫的时间.两种不同的自旋弛豫时间T_1和T_2分别测得为(2.46±0.16)s和(0.83±0.02)s,与《Measurement Science and Technology》2012年(21卷)第10期上Michal CA一文所得到的结果T_1=2.3±0.1 s吻合较好.此外,实验数据也验证了居里定律,并通过对硫酸铜溶液的测量说明了溶液中离子的存在会使自旋弛豫过程加快.此工作提供了一种利用地球磁场测量秒量级的自旋弛豫时间的方法.     

操控非线性损耗实现稳定的高功率单频激光及可调谐激光的输出

通过操控线性和非线性损耗,使激光器满足单频运转的物理条件,获得了稳定高功率单频激光输出.利用非线性损耗取代了现有的标准具锁定技术,实现无调制锁定的宽带连续可调谐激光输出.     

结点电压方程的改进和广义结点电压方程的建立

通过对电路中独立结点分类,常规结点电压方程中互电导为零的项可以去除,改进后的结点电压方程公式更简洁,计算量降低.依据独立结点与广义结点的关系,将广义结点的KCL方程进行结构划分,总结出广义结点电压方程的一般表达式.分析证明,广义结点电压方程不仅适用由无伴电压源和无伴受控电压源所构成的广义结点,也适用于单个独立结点,属于更广泛意义上的结点电压方程.     

高能p+p(p)碰撞中J/ψ和γ的硬衍射产生

讨论从ISR到SSC能区p+p(p)→p+J/ψ(Υ)+X过程.假定Pomeron(p)的结构以胶子为主且在小x处有的行为后,在QCD最低阶计算了两个主要子过程的硬衍射截面和作为背景项的Drell-Yan模式的相应截面.与背景项在高能时随Ins增加不同,硬衍射项基本上随(InS)²增加,因而在TeV能区以上时后者将大大超过前者.这种性质对其它硬衍射过程具有普适性.因此如果关于P的上述假定正确,在准确地测定P的结构后,选择适当的硬衍射过程,可能在超高能时提供探测物理粒子的新实验方法.     

半导体材料科学发展的历史回顾

半导体科学技术是２０世纪中最伟大和最重要的科技成就之一。在高新技术迅速发展的今天，重温其发展历程，总结其发展规律和认识其发展特点，具有重要的现实意义。作者着重评述了近半个世纪以来，半导体科学技术在材料、物理、器件与工艺四个领域内所取得的一系列重大进展。     

Nd:LuVO_4晶体的拉曼光谱研究

采用不同的几何配置测量了Nd:LuVO4晶体的室温拉曼光谱,根据群论对称性分类计算了该晶体的红外和拉曼活性振动模并与实验结果做了比较,指认了测定的特征谱线。测量并分析了Nd:LuVO4晶体A1g全对称类的高温拉曼光谱,讨论了拉曼频移随温度变化的关系,认为晶体的热膨胀是引起拉曼频移变化的主要原因。