首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   538篇
  免费   141篇
  国内免费   162篇
化学   249篇
晶体学   8篇
力学   46篇
综合类   20篇
数学   201篇
物理学   317篇
  2024年   9篇
  2023年   7篇
  2022年   16篇
  2021年   16篇
  2020年   11篇
  2019年   11篇
  2018年   14篇
  2017年   18篇
  2016年   25篇
  2015年   24篇
  2014年   42篇
  2013年   25篇
  2012年   31篇
  2011年   37篇
  2010年   29篇
  2009年   35篇
  2008年   42篇
  2007年   43篇
  2006年   56篇
  2005年   52篇
  2004年   35篇
  2003年   36篇
  2002年   19篇
  2001年   8篇
  2000年   23篇
  1999年   9篇
  1998年   13篇
  1997年   22篇
  1996年   11篇
  1995年   8篇
  1994年   10篇
  1993年   8篇
  1992年   8篇
  1991年   14篇
  1990年   16篇
  1989年   8篇
  1988年   8篇
  1987年   11篇
  1986年   3篇
  1985年   5篇
  1984年   3篇
  1983年   5篇
  1977年   2篇
  1976年   1篇
  1964年   1篇
  1963年   3篇
  1962年   2篇
  1959年   1篇
  1956年   1篇
  1955年   1篇
排序方式: 共有841条查询结果,搜索用时 15 毫秒
831.
运用快速傅里叶方法数值模拟了暗孤子在高斯变迹光纤光栅中的演化以及暗孤子之间的相互作用。结果表明,在一定条件下光纤光栅的正常色散区可以维持暗孤子的稳定传输,并且孤子的稳定性与f的取值(孤子离禁带的位置)和非线性系数有关。输入两个暗孤子时,孤子之间的相互作用随f的增大而加强,当f继续增大时孤子中心和背景处出现震荡现象并演化产生灰孤子;f越大,两个孤子的稳定性对非线性效应越敏感。  相似文献   
832.
用密度泛函理论研究了1,1'-联萘-8,8'-二酚的基态几何构型和异构化过程.由于OH基取向不同,该分子可以形成三种异构体(ISO1、ISO2和ISO3), 每种OH取向异构体分别有R-和S-对映异构体.研究了各异构体关于萘酚环旋转变形的构像稳定性.由于O-C键单键性质,三种OH取向异构体间的互变反应的能垒较低,表明它们可以很快达到平衡.对于ISO1和ISO2,S-R对映异构反应可以通过绕C1-C10键的反式或顺式旋转途径进行,其中反式途径比顺式途径的能垒分别低87.95 kJ/mol(ISO1)和75.04 kJ/mol(ISO2).对于ISO3,S-R对映异构反应只能通过反式途径进行.三种OH取向异构体的反式途径对映异构反应的能垒分别为119.61、120.43和121.59 kJ/mol.计算结果认为,1,1'-联萘-8,8'-二酚的消旋机理被归结为三种OH取向异构体的反式途径对映异构反应的平行进行.  相似文献   
833.
基于SLM的计算全息三维显示视角扩展编码   总被引:3,自引:0,他引:3  
尹霞  符秋丽  杨济民  国承山 《光子学报》2008,37(6):1144-1147
提出一种利用高分辨液晶空间光调制器的高衍射级来增大再现视角的计算全息编码方法.该方法首先对被记录物波的视角超出所用高分辨液晶空间光调制器允许范围的物波信息进行预处理,使预处理后的物波视角满足抽样定理;然后再进行计算全息编码.这种计算全息图可利用高分辨液晶空间光调制器的特定高衍射级恢复再现被记录物波.文中给出了该方法的编码原理及物波函数的预处理公式,并通过设计实例和实验结果证明了该方法的可行性.  相似文献   
834.
干涉法测量Cymbal换能器的等效压电常量   总被引:1,自引:0,他引:1  
在光学平板上用分立光学元件构建了迈克耳孙型分光束干涉仪,利用优化工艺制备的Cymbal换能器件作为核心单元,利用其在电场下的位移放大作用驱动平面反射镜,引起干涉图样的变化,实现了微位移及Cymbal换能器件等效压电常量的测定,并进行了非定域干涉图样变化的动态演示.  相似文献   
835.
We study one possible production mechanism for the hidden-charm pentaquark via a color-octet cc pair fragmentation in e~+e~-collision.The pentaquark production at B factory energy is dominated by e~+e~-→ccg→P_c+X,while at Z~0pole energy,there are several partonic processes playing significant role.Our results show that it is possible to search for the direct pentaquark production signal at e~+e~-colliders,which is important to understand the properties of pentaquark.  相似文献   
836.
氮杂环丙烷类化合物是重要的有机合成子,其广泛存在于各种有机合成反应当中.因其独特的三元环结构,致使其具有较大的环张力.通常氮杂环丙烷类化合物可以与各种亲核试剂反应,合成各种传统方法难以合成的β-位取代的胺类化合物,其中包括氨基醇、氨基醚以及二胺类化合物.通过亲核试剂开氮杂环丙烷的反应研究已经相当成熟,此处不再赘述.此外,过渡金属催化的C—N活化是一类重要的合成方法.作为C—N活化重要底物,过渡金属催化氮杂环丙烷的开环偶联反应取得长足的发展.尤其是近十年来,镍催化氮杂环丙烷的开环偶联反应不断涌现.基于此,综述了镍催化在氮杂环丙烷开环偶联反应中的研究进展和设计原则,重点介绍氮杂环丙烷的开环原理,对比不同取代的氮杂环丙烷区域选择性,总结不同催化模式下的共性.本综述将从以下三个方面介绍氮杂环丙烷的开环偶联反应:其一是单独的镍催化模式;其二是光/镍协同共催化模式;其三则是电化学促进的镍催化模式.对于氮杂环丙烷的开环模式则可以分为:镍催化的SN2型亲核开环模式、卤素离子亲核开环模式以及电化学还原模式.  相似文献   
837.
针对LED样品检测中的样品短路失效、LED光源黑化、光通量下降和芯片表面通孔异常现象,采用金相切片、机械微操、静电测试等方式结合扫描电镜和能谱仪(EDS)等表征手段对失效机制进行了分析,揭示了LED失效原因。包括镀层银离子与杂质硫离子导致光源黑化;芯片抗静电电压低,部分样品发生静电击穿;失效芯片通孔下面的Ni-Sn共晶层存在大量空洞,使得复杂结构的芯片通孔应力不均,样品工作时芯片表面开裂破碎,从而导致PN结短路失效;封装胶中残存的杂质离子腐蚀芯片负电极导致电极脱落而出现漏电、光衰和死灯等现象。  相似文献   
838.
采用蒙特卡罗模拟计算的方法,标定能够适用于不同HPGe探测器上的体源虚拟点源位置,需要对点源、体源的探测效率进行模拟计算。通过241Am、137Cs、60Co点源和体源研究了HPGe晶体尺寸、类型对它们的虚拟点源位置的影响,模拟结果表明241Am虚拟点源位置随着探测器尺寸、类型的不同呈现明显的差异性,说明虚拟刻度原理对于探测器表面的小体积样品测量在低能区间是不可取的,最后采用137Cs、60Co源得出体源高度与虚拟点源位置的半经验公式。通过实验室两台HPGe探测系统对尺寸Φ70 mm×65 mm标准土壤体源的探测效率进行计算,与模拟探测效率值、虚拟点源效率表征结果对比分析,验证了拟合一组表征虚拟点源位置的半经验公式是可行的。实验结果表明,对γ能量区间在300~2 000 keV进行体源的虚拟刻度时,选择可靠的定标源即可建立体源和虚拟点源位置的关系。这为解决监测工作中样品与探测器之间重复进行探测效率校准的问题提供了新的途径。  相似文献   
839.
研究了循环环R =(a)(a2 = κa,κ≠0)的诣零根和诣零理想的结构,得到了如下主要结论:1)若|R| = ∞,则K(R)= {0},从而诣零理想只有{0}.2)若|R| =n> 1,1≤κ < n,则(1)R的诣零根K(R)=(μ(n,κ)a),其阶为点;(2)R的所有诣零理想为{<λμ(n,κ)a>,其中λ为...  相似文献   
840.
针对远场激光光斑分布不均匀、形状不规则的特性,提出一种基于改进的Zernike矩的远场激光高精度中心测量方法。在传统Zernike矩亚像素边缘检测基础上,使用新型的logistic边缘检测模型和阶跃阈值自适应提取方法,在减少人工对阶跃阈值误判的同时,提高对实际边缘的识别精度,最后使用最小二乘法椭圆拟合得到高精度激光光斑中心。该方法在远场激光中心检测中,单帧误差在0.5 pixel左右,连续多帧中心偏差波动在1 pixel以内,拥有较高的精度和可靠的稳定性。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号