Fabrication and characterization of groove-gate MOSFETs based on a self-aligned CMOS process

N and P-channel groove-gate MOSFETs based on a self-aligned CMOS process have been fabricated and characterized. For the devices with channel length of 140nm, the measured drain induced barrier lowering (DIBL) was 66mV/V for n-MOSFETs and 82mV/V for p-MOSFETs. The substrate current of a groove-gate n-MOSFET was 150 times less than that of a conventional planar n-MOSFET. These results demonstrate that groove-gate MOSFETs have excellent capabilities in suppressing short-channel effects. It is worth emphasizing that our groove-gate MOSFET devices are fabricated by using a simple process flow, with the potential of fabricating devices in the sub-100nm range.     

ITER CH HCSB TBM一维中子学优化设计

1引言 ITER实验包层模块（Test Blanket Modules，TBM）是验证未来聚变反应堆能否实现氚自持、高热量提取的重要实验平台，也是将来发展DEMO聚变堆包层技术而进行电磁性能测试、热工水力学测试、氚增殖实验的重要工具。由于ITER对自身安全的严格要求和对TBM安全性的要求限制，TBM内部能量产生的多少和最大功率密度及其分布等参数都非常重要。同时，产氚实验也是TBM重要的目的之一，它关系到热核聚变堆氚燃料的供给。因此，提高TBM的氚增殖性能的优化设计同样具有十分重要的意义。     

Stopband Phenomena in the Passband of Left-Handed Metamaterials

Stopband phenomena are reported in the passband of left-handed metamaterials. The samples with linear defect are designed by removing one layer of split ring resonators （SRRs）. It is shown that the left-handed transmission peaks have a distinct transform with the relative deviation of the SRRs centre from the wire centre 8, from a single left-handed peak, double left-handed peaks with different magnitude to no transmission peak, i.e. left-handed properties of metamaterials disappear. Numerical simulation shows that the change of 8 makes the effective permeability shift at a frequency range, where stopband occurs. It is thought that the stopband in left-handed passband is due to the symmetry breaking between SRRs and wires in the metamaterials.     

组成论介绍(中):复杂程度和复杂度定律

上期指出每个广义集合都有对应的分布函数 (规律 ) .本文指出 ,利用广义集合的分布函数可以计算出一个体现客观事物的内部状态的丰富程度的物理量 :复杂程度 .如果广义集合具有随机性 ,这个广义集合就符合最复杂原理 ,在一些情况下可以利用这个原理反求得广义集合的分布函数 (公式 ) .1　复杂程度概念“复杂”这个词应用范围很广 ,科学地计量事物的“复杂程度”很重要 .我们利用广义集合定义复杂程度 .Ｎ个个体组成的广义集合中如果标志值有ｋ个不同的值ｘ1,ｘ2 ,… ,ｘｉ,… ,ｘｋ,而与之对应的个体的数量分别为ｎ1,ｎ2 ,… ,ｎｉ,… ,ｎｋ…     

Oscillatory Activities in Regulatory Biological Networks and Hopf Bifurcation

Exploiting the nonlinear dynamics in the negative feedback loop, we propose a statistical signal-response model to describe the different oscillatory behaviour in a biological network motif. By choosing the delay as a bifurcation parameter, we discuss the existence of Hopf bifurcation and the stability of the periodic solutions of model equations with the centre manifold theorem and the normal form theory. It is shown that a periodic solution is born in a Hopf bifurcation beyond a critical time delay, and thus the bifurcation phenomenon may be important to elucidate the mechanism of oscillatory activities in regulatory biological networks.     

EAST真空隔断结构设计与热力耦合分析

介绍了真空隔断的结构设计,并利用ANSYS分析软件建立了真空隔断的三维有限元模型,对其进行热力耦合分析,计算得到了结构在正常和故障状态下的温度分布和热应力。通过对计算结果的分析,验证了真空隔断结构设计的合理性,为其进一步的优化奠定基础。     

煤矿顶板离层回归分析与稳定性评价

以光纤Bragg光栅位移传感器对淮北朱仙庄煤矿顶板离层监测为实际数据依据,选择最佳的典型函数模型对顶板离层进行非线性回归分析,得出能够反映位移发展趋势的回归曲线。监测结果与回归拟合数据表明:非线性回归分析预测方法不仅可以反映煤矿顶板离层实时变化过程,还能根据其变化趋势进行巷道稳定性判断。     

铀在Nd_2Zr_2O_7烧绿石中的固溶量及重离子辐照效应

Nd_2Zr_2O_7烧绿石因其稳定的物理化学性质和辐照稳定性可以作为高放废物中锕系核素的固化基材.通过溶胶凝胶—喷雾热解—高温烧结方法制备了含铀的Nd_2Zr_2O_7烧绿石固化体;开展了Nd_2Zr_2O_7和Nd_(1.9)U_(0.1)Zr_2O_7固化体的重离子辐照实验,辐照剂量为1 dpa和3 dpa;利用X射线衍射和Raman光谱对固化体结构进行了分析.研究发现铀在Nd_2Zr_2O_7烧绿石体系的固溶量仅为10 at%,高价态铀掺杂导致固化体结构向无序化转变.重离子辐照实验表明, Nd_2Zr_2O_7烧绿石基材具有较高的抗辐照稳定性;而Nd_(1.9)U_(0.1)Zr_2O_7在较低辐照剂量下,固化体烧绿石体系结构破坏,重离子辐照诱导固化体结构转变为更加无序化的萤石结构.低固溶量和抗辐照能力减弱主要是由于锕系核素烧绿石固化体的结构无序化所致.     

非固定相机旋转图像的数字散斑相关计算研究

非固定相机数字散斑相关方法拍摄待测物体表面的目标图像时,所拍摄的目标散斑图像相对于参考散斑图像可能产生位置移动及图像旋转。通过辅助定位的相机标定方法可以计算出被测物体表面与相机的相对位置,但无法获得散斑图像在平面内的旋转角度。数字散斑相关方法对图像旋转较为敏感,随着旋转角度的增加,目标子窗口与参考子窗口的相关性迅速降低。研究图像旋转角度对数字散斑相关方法计算精度的影响,分析相关性随旋转角度降低的原因。对相关搜索方法进行相应的改进,在搜索目标子窗口时增加对子窗口旋转角度搜索,在计算参考图像中子窗口位移量的过程中,同时计算了其旋转角度,从而降低图像旋转的影响,提高数字散斑相关方法的计算精度。     

基于GA__BP算法的超导储能装置直接功率控制策略

将遗传算法优化得到的权值赋予神经网络,以消除神经网络的局部最优性。再将这种算法应用到超导储能系统(Superconducting Magnetics Energy Storage,SMES)中,得到一种能够改善超导储能系统响应时间,提高超导储能装置稳定性的直接功率控制策略。仿真结果表明,本文提出的控制策略获得了较好的控制效果,适用于超导储能系统。