K3C60单晶膜的同步辐射光电子谱研究

在C60单晶(111)解理面上制备出厚度约30 nm的K3C60单晶膜.利用同步辐射光源,在低温下(约150 K)测量了样品法向发射的角分辨光电子谱.观察到K3C60导带和价带明显的色散.导带的光电子谱峰可清晰分辨出4个子峰,这些子峰的最大色散超过0.5 eV,并且色散曲线与K3C60的一维无序晶体结构模型下的能带理论基本吻合,只是子带间隔差异较大.     

Steady state and time-resolved autofluorescence studies of human colonic tissues

Steady state and time-resolved autofluorescence spectroscopies are employed to study the autofluorescence characteristics of human colonic tissues in vitro. The excitation wavelength varies from 260 to 540 nm, and the corresponding fluorescence emission spectra are acquired from 280 to 800 nm. Significant difference in fluorescence intensity of excitation-emission matrices (EEMs) is observed between normal and tumor colonic tissues. Compared with normal colonic tissue, low nicotinamide adenine dinucleotide (phosphate) (NAD(P)H) and flavin adenine dinucleotide (FAD), and high amino acids and protoporphyrin IX (PpIX) fluorescences characterize high-grade malignant tissue. Moreover, the autofluorescence lifetimes of normal and carcinomatous colonic tissues at 635 nm under 397-nm excitation are about 4.32 ±0.12 and 18.45 ±0.05 ns, respectively. The high accumulation of endogenous PpIX in colonic cancers is demonstrated in both steady state and time-resolved autofluorescence spectroscopies.     

表面热处理研究石墨及含杂质单壁碳纳米管的C 1s X射线吸收谱

用表面敏感光电子能谱全电子产额模式(TEY)对石墨及含杂质单壁碳纳米管的C 1s X射线吸收谱进行了研究.在高真空里表面退火处理后,石墨C 1s X射线吸收谱中未占据π^{*和σ*态特征峰之间的小峰消失,证实此峰不是来自于一直被认为的所谓的类自由电子态,而来自于样品表面态,即表面结构扭曲或吸附气体所引起的结构变化.而且π*和σ*峰强度有明显的变化,提示着在研究不同纳米管未占据态的态密度对比研究中,原位温度处理是关键的.我们通过对含杂质不同单壁碳纳米管的态密度对比研究来说明这种处理过程的必要性.}     

弱条件下牛顿迭代的收敛性

对算子的二次导数满足的Lipschitz条件进行了讨论，提出了一般性条件，以使其具有普遍性．通过使用优算子方法，证明了Newton法在新条件下收敛，并给出方程的解的存在惟一性定理．     

Hall电流对表面热通量均匀的竖直可渗透平板上MHD自然对流的影响

在横向磁场作用下,研究Hall电流对竖直可渗透平板上MHD自然对流的影响,平板具有均匀的热通量.和外部磁场相比,假设感应磁场可以忽略不计.利用自由变量公式化(FVF)和流函数公式化(SFF),将边界层方程简化为适当的形式.对局部蒸发系数ζ的整个取值范围,由FVF得到的抛物型方程,用简明的有限差分法进行数值积分;另一方面,由SFF得到的非相似方程,采用局部非相似法求解.有些区域,如局部蒸发系数ζ值足够大或足够小时,用正规的摄动法求解.对低值Prandtl数Pr,例如Pr=0.005,0.01,0.05时,用图形表示磁场参数M和Hall参数m,对局部表面摩擦因数和局部Nusselt数的影响.最后对不同的局部蒸发系数ζ值,给出流体的速度和温度分布.     

In situ electronic structural study of VO_2 thin film across the metal–insulator transition

The in situ valence band photoemission spectrum （PES） and X-ray absorption spectrum （XAS） at V LⅡ-LⅢ edges of the VO2 thin film, which is prepared by pulsed laser deposition, are measured across the metal–insulator transition （MIT） temperature （TMIT=67 ℃）. The spectra show evidence for changes in the electronic structure depending on temperature. Across the TMIT, pure V 3d characteristic d‖ and O 2p-V 3d hybridization characteristic πpd, σpd bands vary in binding energy position and density of state distributions. The XAS reveals a temperature-dependent reversible energy shift at the V LⅢ-edge. The PES and XAS results imply a synergetic energy position shift of occupied valence bands and unoccupied conduction band states across the phase transition. A joint inspection of the PES and XAS results shows that the MIT is not a one-step process, instead it is a process in which a semiconductor phase appears as an intermediate state. The final metallic phase from insulating state is reached through insulator–semiconductor, semiconductor–metal processes, and vice versa. The conventional MIT at around the TMIT=67 ℃ is actually a semiconductor–insulator transformation point.     

"爱护水资源"说课

写在前面:说课,作为我国基础教育教研实践中产生的一种研讨形式,已经走过了二十多年的发展历程.二十多年来,说课始终与我国中小学教学实践紧密联系,广泛地运用于各式各样的教研活动当中,发挥着特有的功能,体现出显著的成效.     

Influence of nitrogen and magnesium doping on the properties of ZnO films

Undoped ZnO and doped ZnO films were deposited on the MgO(111) substrates using oxygen plasma-assisted molecular beam expitaxy. The orientations of the grown ZnO thin film were investigated by in situ reflection high-energy electron diffraction and ex situ x-ray diffraction(XRD). The film roughness was measured by atomic force microscopy, which was correlated with the grain sizes determined by XRD. Synchrotron-based x-ray absorption spectroscopy was performed to study the doping effect on the electronic properties of the ZnO films, compared with density functional theory calculations.It is found that, nitrogen doping would hinder the growth of thin film, and generate the NOdefect, while magnesium doping promotes the quality of nitrogen-doped ZnO films, inhibiting(N_2)Oproduction and increasing nitrogen content.     

n-型多孔Si/TiO2纳米线异质结构的制备及光电化学性能

采用光辅助电化学腐蚀法制备了n-型多孔硅衬底, 再采用水热法在其表面生长TiO₂纳米线制得了三维n-型多孔Si/TiO₂纳米线异质结构. 通过X射线衍射、 扫描电子显微镜和X射线能量散射等表征证实了n-型多孔Si/TiO₂纳米线异质结构的形成. 紫外-可见漫反射光谱测试结果表明, n-型多孔硅与TiO₂纳米线的复合提高了紫外-可见波段的光吸收. 光电性能测试结果表明, 3个样品中n-型多孔Si/TiO₂纳米线异质结作为光电极的光电流最高, 这说明n-型多孔Si/TiO₂纳米线作为光电极具有更高的光电化学分解水性能.     

LED光源DOAS方法的夜间NO2气体浓度遥测研究

针对现有利用自然光源的被动DOAS测量方法无法实现夜间对NO₂等痕量气体进行垂直分布探测的问题,提出构建一种基于窄带光源蓝光LED技术的DOAS测量NO₂的方法,搭建了仪器系统,成功地实现了夜间对NO₂气体浓度的测量。该系统主要分为灯源发射系统和望远镜接收系统两部分,采用主波长为450nm的LED作为光源,通过望远镜采集发光束的散射光,利用光纤耦合将望远镜接收到的散射光导入光谱仪中,结合DOAS原理运用计算机进行处理。DOAS的理论基础是朗伯-比尔（Lambert-Beer）定律,据此原理可将数据处理过程概述如下：首先采集相对干净光谱作为背景参考谱,用实际测量大气谱除以参考谱,利用数字高通滤波去除慢变化部分,然后取对数,即可获得光学厚度;其次将仪器函数与NO₂的高分辨率截面卷积,得到与所用仪器相匹配的低分辨率吸收截面;最后将差分吸收截面与处理后的差分光学厚度相结合,运用最小二乘法拟合并结合光程L即可获得NO₂浓度值。同时可通过调节灯源光速发射角度及望远镜接收角度,测出不同位置处NO₂浓度值,进而给出NO₂气体浓度的立体分布信息。在算法确定的情况下,LED灯谱质量对仪器系统的可靠性显得尤为重要。由于LED光谱受温度及驱动电流影响较大,为了保证LED处于最佳工作状态,开展了LED光谱温度及驱动电流敏感性实验。测试结果表明,要确保采集到的光谱稳定且具有较高质量,LED工作温度应低于20 ℃,驱动电流需控制在1.5 A以内,且两者波动范围较小。实验中,LED实际工作温度为10~15 ℃,驱动电流为1.4 A,控制精度±1 mA,能够满足实验要求。为了提高LED阵列密度、获得更加集中的发光束,LED底座基板采用正六边形结构,每块正六边形基板上7只LED串联,各个基板之间并联。经计算较采用矩形结构,其空间利用率提高了8%。各基板工作电流1.4 A,最大电压23.8 V,易于扩展,维护方便。为了验证方案可行性及系统的可靠性,进行了实验室测试及外场实验。实验室采用NO₂样气浓度为1 642.86 mg·m-3, 不确定度5%。系统测量结果为1 607.54 mg·m-3, 与标定值误差为2.15%,在标定的不确定度范围以内,经计算系统检测线为0.014 3 mg·m-3(6.942 ppb),因此可认为测量结果准确。将外场实验测量结果与同时段国控站点给出的NO₂数据进行了对比,对应时间段结果偏差均在10%以内,两组数据线性拟合一致性较好,相关系数达0.967,表明该系统所测NO₂结果较准确。研究结果表明,在确保LED光源稳定的基础上,采用基于窄带光源蓝光LED的DOAS方法能够实现夜间对NO₂气体垂直分布情况测量。为大气痕量气体垂直分布测量、特别是在夜间条件下对痕量气体立体分布测量提供了一种新的思路。