C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度

本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO₂界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响，然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试，提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中，采用不同的扫描速率，分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测 关键词： C-V法 SiC 隐埋沟道MOSFET 沟道载流子浓度     

Ar?NO团簇的同步辐射光电离研究

利用国家同步辐射实验室合肥光源的真空紫外同步辐射，使NO分子和Ar原子混合物的超声分子束发生光电离，测量了Ar，NO和异类团簇Ar·NO的光电离效率谱. 在谱中，在与Ar原子的共振线对应的能量区域(11.5—12.0 eV)观察到一个强的类共振结构. 这个结果表明，在异类团簇Ar·NO的内部，稀有气体Ar原子的激发能转移到与它接触的分子NO上，使分子NO发生电离. 关键词： Ar·NO团簇 同步辐射 光电离 能量转移     

伪随机编码超宽带短脉冲的探测能力研究

 为进行弱信号检测,研究在脉冲雷达中获得大信号时间宽度与信号带宽积的方法,利用伪随机编码方法调制超宽带短脉冲,可以在保持子脉冲信号带宽的情况下,以低功率发射长脉冲串类噪声信号,而提高信号的能量,提高探测距离。通过仿真实验得出,利用伪随机编码技术可以使超宽带信号具有更强的探测能力,可以在回波信号功率水平远远小于噪声水平（如信噪比5%）的情况下实现对探测目标的高保真成像。     

基于频域方法的三维物体分层重现

基于频域方法实现了数字记录和再现三维物体离轴全息图.通过频谱对应关系求得各个面的频谱分布,使用数字滤波方法,成功地消除了零级衍射和共轭像;通过改变再现距离,分别获取了三维物体各个截面的再现像.     

高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)与Si(110)固体表面作用的电子发射研究

报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子²⁰⁷Pb^q+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关. 关键词： 高电荷态离子 经典过垒模型 电子发射产额     

Zr基金属玻璃电子输运性质的研究

在4—300K 的温度区间内,测量了金属玻璃 Zr_(100-x)Co_x(x=22,28,33.2)和Zr_(66.7)M_(33.3)(M=Fe,Ni,Cu)的电阻温度关系.实验指出,这两组典型的 Zr 基金属玻璃的电子输运性质,有着共同的规律性.分析表明,在10K80K 时,这种规律与现有的理论有较大的偏离,对这种偏离出现的可能起因作了讨论.     

自然现象中的噪声

一、时空频率的无规性 1733年,J.二斯威夫特(J.Swift)在一首诗中官道: 于是,博物学家发现, 小跳蚤们折磨大跳蚤, 更小的跳蚤又来捉弄它们, 生生不息,无休无止. 这几行诗揭示了物理学和生物学中一个重要概念,它表明我们观察到的许多自然现象中的动力学行为实际上是一系列不可见的层次间运动的结果.从一个层次到另一个层次的细微运动是由尺度因子来表征的.斯威夫特考虑到不同尺度下现象的自相似性:大尺度中的现象以不断缩小的同样形式在更小的尺度中重复,现在称具有这种特点的过程为分形.对于分形至今没有一个简单的定义,对它的描述总是体现…     

铝-邻苯二酚紫-四元鎓盐离子对在胶束体系中的分配平衡的研究——分光光度法测定铝

以分光光度法研究了在表面活性剂胶束溶液中铝-邻苯二酚紫络合物与氯化十四烷基二甲基苄基铵(zeph),溴化十六烷基三甲铵(溴化HTA)或氯化四苯基磷(氯化TPP)所形成的离子对的分配平衡。在胶束中离子对的溶解引起光谱的紫移。测定铝选择了TPP体系,因为TPP离子对在水和曲拉通X-100之间的分配,比HTA或zeph离子对的少。在0.1%曲拉通X-100溶液中,波长为710纳米处,摩尔吸收系数为64000升/摩尔·厘米。本方法曾用于测定海藻中的铝。     

Ba位元素对超导电性的作用

通过 Sr,Ca 替代 Ba 对 Y-Ba-Cu-O 体系超导电性、晶格参数、氧含量、电子态以及晶格能影响的综合分析,作者发现:虽然 Sr,Ca 替代了 Ba 的位置,但对 Cu-O 面和 Cu-O 链之间的耦合程度影响很大,使 Cu 的电子态有了明显的改变,体系的晶格稳定性下降.据此,作者提出:Ba 位元素的作用在于调节 Cu-O 面和 Cu-O 链之间的耦合,从而影响超导电性.     

氢同位素球形靶丸在其相应高能离子轰击下的消融

本文采用跨音速中性气体屏蔽模型,得到了氢同位素球形靶丸在其相应高能离子轰击下的消融率G_(is)及其定标律,s可为氢或氘。计算表明,当离子与电子的未扰态能量E_(0s)/E_(0e)~2≥1.5时,G_(is)/G_(es)≥20％,G_(es)为靶丸在等离子体电子轰击下的消融率。因此,当聚变实验有中性粒子束注入加热时,需考虑高能离子轰击对靶丸消融的影响。这也为此情况下靶丸消融强化提供了一种解释。