H+和Ar11+激发Si的K壳层X射线发射研究

测量了50–250 keV H⁺和1.0–3.0 MeV Ar¹¹⁺ 轰击Si表面过程中辐射的X射线. 结果表明, 在Ar¹¹⁺入射的情况下, 引起了Si的L壳层上3, 4个电子的多电离.计算了Si的K壳层X射线产生截面, 并将两体碰撞近似(BEA), 平面波恩近似, ECPSSR理论计算与实验值进行了对比. ECPSSR理论与质子产生的截面数据能够很好地符合; 而考虑多电离后, BEA理论与Ar¹¹⁺的实验结果符合较好. 关键词： X射线 高电荷态重离子 多电离     

短波长自由电子激光器电子运动特性研究

短波长自由电子激光器的电子束在摇摆器中的传输通道长而狭窄, 须得电子具有良好的运动特性, 避免在传输过程中产生横向发散. 本文研究短波长自由电子激光器中超相对论电子在磁场具有横向分布的平面摇摆器中的三维运动特性, 用逐次逼近法推导相对论运动方程的解析表达式, 非线性数值计算模拟传输过程, 采用科尔莫 戈罗夫熵 方法分析运动的稳定性. 结果表明: 摇摆器磁场除使电子做周期性摇摆运动外, 还迭加了偏离轴线的横向漂移运动, 在没有外置的磁场聚焦系统情况下, 电子将偏离轴线横向发散; 但是, 恰当选取电子的横向初始速度, 可有效地防止电子运动的横向发散, 即使没有外置的磁场聚焦系统, 也能在长达10 m 的摇摆器中顺利传输, 横向位移范围不超过0.09 mm, 而且其运动是稳定的. 关键词： 短波长自由电子激光器 平面摇摆器 超相对论电子运动 运动稳定性     

异质多晶SiGe栅应变Si NMOSFET物理模型研究

结合了“栅极工程”和“应变工程”二者的优点, 异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET, 通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料, 在应变的基础上进一步提高了MOSFET的性能. 本文结合其结构模型, 以应变Si NMOSFET为例, 建立了强反型时的准二维表面势模型, 并进一步获得了其阈值电压模型以及沟道电流的物理模型. 应用MATLAB对该器件模型进行了分析, 讨论了异质多晶SiGe栅功函数及栅长度、衬底SiGe中Ge组分等参数对器件阈值电压、沟道电流的影响, 获得了最优化的异质栅结构. 模型所得结果与仿真结果及相关文献给出的结论一致, 证明了该模型的正确性. 该研究为异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET的设计制造提供了有价值的参考. 关键词： 异质多晶SiGe栅 应变Si NMOSFET 表面势 沟道电流     

超声调制漫射光子自相关的Monte Carlo模拟

本文首次用Monte Carlo方法研究了超声调制生物介质中漫射光子的时间自相关性质,讨论了超声参量、运动参量和散射参量对自相关函数的影响.正常生物组织和病变生物组织的自相关函数有明显的差别,超声调制自相关函数为光学医学诊断提供一种新参考.     

一种直接聚类法的若干注记与一种新的直接聚类法

本文指出了以往的一些错误,同时给出了一个新定理,从而得到了严格的理论依据;构造了一种较新的直接聚类法。     

关于某类高阶非线性摄动微分方程的振荡定理

本文讨论了高阶非线性微分方程的解的振荡问题，给出了几个判定上述方程的解为振荡的充分准则。     

子集网交的拓扑收敛性

本文在给出拓扑空间子集网交的拓扑收敛条件基础上，利用子集网的仅同性进一步讨论了拓扑空间子集网交的收敛性，并深入讨论子集网交对紧致Ｈａｕｓｄｏｒｆｆ空间的Ｖｉｅｔｏｒｉｓ超拓扑空间的收敛性。     

Chebysher不等式的推广形式

在本文中，我们借用线性变换的方法证明了Ｃｈｅｂｙｓｈｅｖ不等式的一个推广形式。     

一类偏微分方程初值，边值问题的函数级数解法

本文对金属圆柱体在平板间塑性压缩时的微分方程问题给出了收敛的函数级数解，从而使接触面上正应力分布更趋于精确。     

谈谈《数学新教程》

<正> 随着科学技术的迅速发展,数学与工程技术之间的关系日益密切起来,它们在非常广阔的范围内和更深刻的程度上,直接地相互作用着,极大地推动着数学与工程科学的发展,以及技术的进步。数学正以空前的规模进入科学技术的各个领域,数学的力量正受到越来越多