多波长红外激光二极管峰值光谱热漂移研究

为了满足红外激光测试技术对多光谱集成光源在光谱范围和峰值精度等方面的要求,提出了一种高精度的多波长红外激光二极管,并设计了能够集成860 nm,905 nm和1064 nm(脉冲/单模)四种激光芯片的封装结构.建立了基于上述封装结构下中心热沉的温度场分布模型,并根据数学建模工具求解的中心热沉温度场数值分布规范了中心热沉的加工工艺.为了验证多波长激光二极管中心热沉对输出峰值光谱热漂移现象的抑制效果,制备了多波长激光二极管样机,并搭建了观察其峰值光谱热漂移现象的实验装置.实验结果显示,样机仅有两种芯片的峰值光谱发生了1—3 nm的微弱漂移,并未超出规定的峰值半宽.该现象证明了多波长激光二极管的输出光谱具备较高的精度和良好的稳定性.     

基于微芯片的透射电子显微镜的低温纳米精度电子束刻蚀与原位电学输运性质测量

利用微芯片制备技术制备了带有电极的原位电学薄膜芯片,并结合自制的原位透射电镜样品台,实现了低温下透射电子显微镜聚焦电子束对InAs纳米线的精细刻蚀以及不同温度下的原位电学性能测量.研究发现,随着刻蚀区域截面积的减小,纳米线的电导率也随之减小.当纳米线的截面积从大于10000 nm2刻蚀至约800 nm2时,纳米线电导的减小速率与截面积的减小具有线性关系.同时利用低温聚焦电子束刻蚀,在InAs纳米线上原位制备了一个10 nm的纳米点,并在77与300 K下对该纳米点进行了电学性能测量.通过测量发现在77 K时出现库仑阻塞效应,发生了电子隧穿现象;而300 K时,热扰动提供的能量使这种现象消失.     

图的能量与哈密尔顿性

设G是一个无向简单图,A（G）为G的邻接矩阵．用G的补图的特征值给出G包含哈密尔顿路、哈密尔顿圈以及哈密尔顿连通图的充分条件：其次用二部图的拟补图的特征值给出二部图包含哈密尔顿圈的充分条件．这些结果改进了一些已知的结果．     

A two-dimensional fully analytical model with polarization effect for off-state channel potential and electric field distributions of GaN-based field-plated high electron mobility transistor

In this paper, we present a two-dimensional （2D） fully analytical model with consideration of polarization effect for the channel potential and electric field distributions of the gate field-plated high electron mobility transistor （FP-HEMT） on the basis of 2D Poisson＇s solution. The dependences of the channel potential and electric field distributions on drain bias, polarization charge density, FP structure parameters, A1GaN/GaN material parameters, etc. are investigated. A simple and convenient approach to designing high breakdown voltage FP-HEMTs is also proposed. The validity of this model is demonstrated by comparison with the numerical simulations with Silvaco-Atlas. The method in this paper can be extended to the development of other analytical models for different device structures, such as MIS-HEMTs, multiple-FP HETMs, slant-FP HEMTs, etc.     

含氮含硫姜黄素类似物的微波合成及抗氧化活性研究

利用微波辐射合成含氮含硫的姜黄素类似物,比较了化合物的抗氧化能力。以苯甲醛与环戊酮或环己酮为原料,经克莱森-斯密特缩合反应,采用微波法合成中间化合物2,6-双苯亚甲基环己酮或2,5-双苯亚甲基环戊酮,中间体与尿素或硫脲经Biginelli反应合成目标化合物。利用DPPH法比较各化合物与姜黄素的抗氧化能力。合成了2个未见文献报道的新化合物(2b,2c),结构经IR、1H NMR、13C NMR和MS表征确证;增加含氮、含硫基团的衍生物,其抗氧化能力比姜黄素母核结构高。采用微波法合成含氮含硫的姜黄素类似物可显著提高产率,产率达83%,经24 h含氮、含硫化合物b的抗氧化能力与姜黄素相当,远比姜黄素母核强。     

新型四甲基吡嗪酯类衍生物的合成

以四甲基吡嗪为原料,在双氧水和醋酸作用下生成四甲基吡嗪的单氮氧化物;单氮氧化物在醋酸酐存在下发生重排反应形成乙酰化产物;乙酰化产物用20%氢氧化钠溶液水解制得2-羟甲基-3,5,6-三甲基吡嗪(2);2在EDCl/DMAP催化下合成了六个四甲基吡嗪酯类衍生物(4a～4f),其结构经1H NMR,13C NMR和MS表征,其中4a～4d为新化合物。     

水分子在高岭石中插层行为的量子化学研究

采用密度泛函理论B3LYP方法,在B3LYP/6-31G(d)理论水平上,构建高岭石的层间团簇模型Si6Al6O42H42(层间距为0.844 0和1.000 0nm),并对高岭石层间及其与n(n=1～3)个水分子相互作用的团簇的各种性质进行研究,如优化的几何构型、电子密度、氢键、能量、NBO电荷分布、振动频率等.结果表明,随着水分子个数n(n=1～3)的增加,体系的能量逐渐降低.水分子通过多种类型的氢键插层于高岭石层间,其中水分子间的氢键强度最强,其次是水分子与铝氧层之间形成的氢键,再次是水分子与硅氧层之间的氢键;层间距随着插层分子的增多而增大,但高岭石层间的活性位点依然存在,且位置较插层前没有明显变化.     

苯分子与Si6O18H12和Al6O24H30团簇模型相互作用的理论研究

粘土矿已经被广泛用来去除有机物,修复和净化被石油碳氢化合物污染的土壤和地下水. 我们选择高岭石作为研究对象,构造了Si₆O₁₈H₁₂和Al₆O₂₄H₃₀两个团簇模型分别代表高岭石的硅氧层表面和铝氧层表面,在MP2/6-31G(d,p)//B3LYP/6-31G(d,p)的理论水平上系统地研究了气态下苯分子和高岭石团簇模型的相互作用. 并进一步分析了苯分子和高岭石表面相互作用的各种气态性质,比如：优化的几何构型、结构参数、吸附能、自然键轨道电荷分布、振动频率变化、静电势、电子密度性质(次级氢键的电子密度和拉普拉斯算符值)和电子密度差分等. 优化的几何构型表明苯分子吸附在高岭石表面的本质可能是次级氢键的形成. 其他性质的结果进一步验证了次级氢键的存在,并指出苯更倾向于吸附在高岭石的铝氧层表面,且苯环和铝氧层表面形成近似90°的夹角.     

新型姜黄素类似物的微波合成及其抗氧化活性

采用微波法,取代苯甲醛分别与环戊酮和环己酮经克莱森-斯密特缩合反应制得中间体2,6-双苯亚甲基环己酮(2a~2e)和2,5-双苯亚甲基环戊酮(5a);2a~2e或5a分别与硫脲或尿素经Biginelli反应合成了8个新型的姜黄素类似物(3a~3e,4a,4c和6a),其结构经1H NMR,13C NMR,IR和MS表征。利用DPPH法比较3~6与姜黄素的抗氧化能力。实验结果表明:3~6的抗氧化能力均比姜黄素母核结构高;3比4和6的自由基清除能力强;随用药量增大,抗氧化能力呈现先增强后下降的趋势,并在0.09 mg·mL-1~0.12 mg·mL-1自由基清除率达最大。     

一种改进的基于分水岭的图像分割算法

针对分水岭算法过分割现象,提出一种综合分水岭算法、中值过滤算法和归一化割算法的改进算法。该算法首先应用改进型的中值过滤算法对图像进行适当的除噪;然后通过分水岭变换对图像进行了初步分割,最后使用归一化割算法进行图像精度分割。算法集合了分水岭算法、中值过滤算法及归一化割算法的优点,既较好地解决了分水岭算法中过度分割的问题,又降低了归一化割算法的时间复杂度。实验结果表明该算法是一种切实可行的图像分割方法。