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111.
112.
利用电子自旋共振波谱(ESR)仪,分析由低压化学气相沉积(LPCVD)法制备的高纯半绝缘4H-SiC材料本征缺陷.结果发现,在暗场条件下获得的缺陷信息具有碳空位(VC)及其络合物的特征;谱线具有半高宽较大、峰谷明显不对称的特点.分析认为造成ESR谱线半高宽较大及峰谷不对称现象的主要原因是测试温度较高.同时,吸收谱中峰谷不对称现象及较大半高宽现象的出现还与不对称的晶格结构及缺陷浓度的不均匀分布有关.在110 K测试温度下,能级上的电子分布对ESR谱特性影响很小.
关键词:
低压化学气相沉积
高纯半绝缘4H-SiC
电子自旋共振
本征缺陷 相似文献
113.
具有特殊形貌及构型的表面(如金属薄膜)能够使位于其邻近的荧光分子的荧光信号得到增强, 这种现象被称之为表面增强荧光(Surface Enhanced Fluorescence, SEF)。有关表面增强荧光效应的研究探讨已有许多报道,并先后提出了多种增强机理以试图理解和解释观测到的实验现象。本文将在总结归纳已有机理研究的基础上,从物理学的角度出发分析理解局域场增强、能量转移以及辐射衰减速率增加等理论模型,并对衬底表面与荧光分子之间的间距变化对增强效果的影响进行探讨。 相似文献
114.
采用熔体快淬的方法制备Pr2Fe14B/α-Fe纳米晶复合永磁材料.使用振动样品磁强计(VSM)测量样品的室温磁性能.实验合金成分为(PrxFe94.3-xB5.7)0.99Zr1(其中x=8.2,8.6,9.0,9.4,9.8,10.2,10.6,11.0,11.4(原子分数,%)).系统地研究了辊速及合金成分对快淬带磁性能的影响,当Pr原子分数由8.
关键词:
纳米复合永磁材料
熔体快淬
2Fe14B/α-Fe')" href="#">Pr2Fe14B/α-Fe
磁性 相似文献
115.
在线性增加磁场的条件下,用变频倒扭摆测量了配比成份为(Bi0.8Pb0.2)SrCaCu2Oy的试样在超导态时磁化过程中的低频内耗。测量温度为95K,试样处于零电阻状态,所用频率为0.5-5Hz.在内耗-场强H曲线上观测到内耗峰,它有如下特点:1)峰高随加场速率H的增大而增大,但随测量频率的增大而降低;2)峰值处的场强为4-6mT;3)当H由非零值突然改变至零时,磁化过程特征内耗消失;4)试样处于正常态时,上述特征内耗消失。认为超导体在磁化过程中的上述特征内耗是量子磁通的运动所引起来的。
关键词: 相似文献
116.
117.
空调在制冷和制热时,都会使房间内的湿度降低,较低的相对湿度对室内空气质量、室内人员健康及空调能耗等有着直接或间接的影响。综述了低湿度的相关影响,并对有关加湿技术在空调中的应用现状进行分析,指出现有空调加湿中存在的一些问题,为有关加湿空调的研究提供一些依据。并提出了一种应用于家用柜式空调器中的超声波雾化加湿装置。 相似文献
118.
提出了一种双层相变蓄能地板辐射末端系统,该系统上下叠放蓄热层和蓄冷层,每层都内嵌毛细管网,通过蓄能和放能,实现夏季辐射供冷、冬季辐射供暖。该系统采用电驱动热泵系统为冷热源,可以实现"移峰填谷"缓解电网压力,同时提高空调的舒适性。作者搭建了两个模拟测试房间:A房间蓄冷层在上,B房间蓄热层在上。进行了供暖和供冷实验,分别测量了在蓄能和放能过程中,末端系统各结构层温度、房间内各高度室温随时间变化的情况。结果表明:当冷热源给水温度分别为40℃和15℃时,供暖时室内温度可保持在16.5℃以上;供冷时室内温度能保持27℃以下;室内垂直温差控制在3℃以内,能满足室内环境温度和热舒适性温差要求,同时还保证热泵机组工作在良好的工况范围。实验数据对比发现蓄热层在上、蓄冷层在下的结构方案(B房间)相对更加合理,该方案辐射供暖效果好,而且能降低辐射供冷时地表温度过低引起凝露的风险。 相似文献
119.
中药炮制是中药学的特色和优势,也是最具我国自主知识产权的学科之一.中药炮制研究的核心是阐明中药炮制机理,这也是制约中药现代化的关键节点.目前大部分中药的炮制机理尚不明确,有待进行系统深入的研究.咖啡豆需要烘培后才可以制成饮料,这个高温烘培过程类似于中药的炮制过程.近年来,国内外专家对咖啡豆高温烘培过程化学成分变化及其机理进行了深入研究,各种新方法和新技术得到广泛应用,取得了系列研究成果,这些研究成果为中药炮制机理研究提供了多种新思路和新方法,也为中药炮制机理的研究和阐明提供了重要示范. 相似文献
120.
李浩谷云龙郑洋陈长鸣王希斌衣云骥孙小强王菲张大明 《光学学报》2015,(4):345-351
研制了一种新型全聚合物49信道绝热低偏振相关阵列波导光栅(AWG)芯片。利用直接紫外光写入技术,实现了波导芯片的设计与制备。利用Matlab软件对AWG的传输特性进行了优化模拟,通过对聚合物衬底的热膨胀系数和聚合物波导的热光系数进行调控,得到了器件良好的绝热低偏振相关特性。测得AWG的中心波长为1550.918 nm,波长间隔为0.8 nm,插入损耗的信道变化范围是5.51 d B^10.62 d B,串扰大于20 d B,偏振漂移和温度变化分别是0.08 nm和0.03 nm/K。这种新技术十分适用于高性能多功能集成光路中,具有广阔的应用前景。 相似文献