微波辅助离子液体法在液相合成中的应用

作为一种新型的绿色化学合成方法,微波辅助离子液体法融合了离子液体与微波加热法的优点,具有合成快速、操作简便、产率高,绿色环保等特点,在液相合成方面体现出明显的优势。本文综述了离子液体作为微波吸收剂在液相有机合成、无机纳米材料合成方面的研究进展,对比分析了微波辅助离子液体法同多种传统方法的应用效果,阐明了该方法的优势,并展望该领域今后的发展方向。     

韦氏摆运动机理及关键调控因素的研究

韦氏摆的上下振动和水平扭转运动之间存在耦合作用,可以发生明显的能量传递现象,且当系统达到共振后,摆锤将会产生周期性的振动和扭动。本文从本质上解释了韦氏摆振动传递现象,构建了韦氏摆运动的理论模型与描述方法,解得了韦氏摆竖直运动和水平运动的理论轨迹,并通过大量的实验和定量的仿真模拟验证了理论模型与求解方法的正确性。进一步探究了韦氏摆模型的应用范围,研究了弹簧的弹性系数、摆锤的质量和大小、运动初始条件对韦氏摆运动的影响,建立了一套可以定量测量的物理跟踪方法,为更好设计韦氏摆的实验器材提供了实验与理论依据。     

ZnO薄膜结构缺陷与发光性能研究(二)

在ZnO发光材料中存在的各种结构缺陷是制约ZnO发光性能的一个关键因素。本文在查阅文献的基础上,总结了ZnO薄膜材料中可能存在的缺陷类型,并就位错及界面的性质及其对发光性能影响的研究现状做了重点评述。位错作为非辐射复合中心大大降低了半导体器件的发光效率及使用寿命。ZnO颗粒晶界附近的电子耗尽区使绿光发射减弱甚至消失。ZnO薄膜表面的V型缺陷作为光学通道,使近带边发射穿过ZnO层时不被空间激子层吸收,而异质结、超晶格、量子阱中的界面对ZnO的发光性能则具有更重要的影响。     

多羰基共价有机骨架在二次电池中的应用

共价有机骨架(covalent organic frameworks, COFs)是一类由构建单元通过共价键连接形成的新兴晶体多孔材料。凭借超高的孔隙率、规则的一维通道、稳定的骨架结构和出色的结构可设计性等特点,COFs被认为在二次电池中极具应用前景。本文综述了含有多羰基构建单元的COFs(multi-carbonyl COFs, Mc-COFs)材料在不同金属离子二次电池中的研究进展,对Mc-COFs作为电极材料和固态电解质材料面临的挑战进行了概括,并且详细介绍了电池性能的提升策略,最后对Mc-COFs在二次电池领域的发展方向进行展望。     

溶解浆纤维素纤维在NaOH/添加剂水溶液中溶解效果的纤维质量分析

目前商业溶解木浆纤维素纤维的聚合度多在500~1800左右,这些浆粕的纤维素分子量具有多分散性。因此,本文以不同特征的溶解浆为纤维素纤维原料,结合纤维质量,分析讨论了NaOH水溶液中具有氢键受体物质的添加对其溶解不均一纤维素物料的影响。结果表明,与溶解纯纤维素不同,NaOH/添加剂水溶液对溶解浆纤维素纤维的溶解能力与浆纤维素纤维水溶液体系中纤维的粗度、纤维的刚硬程度和添加剂种类密切相关。混合添加剂的溶剂体系、添加少量氨基磺酸钠和环己基氨基磺酸钠的溶剂体系促进了较长纤维素纤维的溶解。     

粒子冲击破岩的数值模拟分析

 应用ANSYS/LS-DYNA模拟粒子冲击破岩的三维非线性冲击动力学问题,得到了破岩过程中能量的转化关系以及粒子冲击破岩的演化过程,分析了粒子冲击破岩机理。模拟结果较好地反映了粒子冲击破岩的物理过程,模拟结果与实验结果基本一致,证明了模拟方法的可行性。研究结果为水力参数优选等提供一定的理论依据。     

关于一道研究生入学考试线性代数题的探讨

从2020年全国硕士研究生入学考试的一道线性代数题的解法出发,考虑了一个更一般的关于矩阵特征多项式的问题,并对该问题给出了回答.     

硅基板和铜基板垂直结构GaN基LED变温变电流发光性能的研究

本文将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜剥离转移到新的硅基板和紫铜基板上,并获得了垂直结构的LED芯片,对其变温变电流电致发光(EL)特性进行了研究. 结果表明:当环境温度不变时,在13 K低温状态下铜基板芯片的EL波长始终大于硅基板芯片约6 nm,在300 K 状态下随着驱动电流的加大铜基板芯片的EL波长会由大于硅基板芯片3 nm左右而逐渐变为与硅基板芯片重合;当驱动电流不变时,环境温度由13 K升高到320 K,两种基板芯片的EL波长随温度升高呈现S形变化并且波谱逐渐趋于重合;在100 K以下温度时铜基板芯片的Droop效应比硅基板芯片明显,在100 K 以上温度时硅基板芯片的Droop效应比铜基板芯片明显. 可能是由于两种芯片的基板具有不同的热膨胀系数和热导率导致了其变温变电流的EL特性不同. 关键词： GaN 热膨胀系数 内量子效率 热导率     

牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管P型接触影响的研究术

本文通过在硅衬底发光二极管（LED）薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2：O2=4：1的气氛中、400℃-750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Nj覆盖层之后制备Pt／p-GaN欧姆接触层．实验结果表明：退火温度和Ni覆盖层厚度均对硅衬底GaN基LED薄膜P型欧姆接触有重要影响,Ni覆盖退火能够显著降低P型层中Mg受主的激活温度．经牺牲Ni退火后,P型比接触电阻率随退火温度的升高呈先变小后变大的规律,随Ni覆盖层厚度的增加呈先变小后变大随后又变小的趋势;经过优化后,当Ni覆盖层厚度为1．5nm,退火温度为450℃,Pt与p-GaN比接触电阻率在不需要二次退火的情况下达到6．1×10^-5Ω·cm。．     

牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在硅衬底发光二极管(LED)薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N₂ ∶O₂=4 ∶1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni覆盖层之后制备Pt/p-GaN欧姆接触层.实验结果表明:退火温度和Ni覆盖层厚度均对硅衬底GaN基LED薄膜p型欧姆接触有重要影响,Ni覆盖退火能够显著降低p型层中Mg受主的激活温度.经牺牲Ni退火后,p型比接触电阻率随退火温度的升高呈先变小后变大的规律,随Ni覆盖层厚度的增加呈先变小后变 关键词： 氮化镓 发光二极管 牺牲Ni退火 p型接触