离子注入对ZnTe:O中间带光伏材料的微观结构及光学特性的影响

II-VI和III-V族高失配合金半导体是新型高效中间带太阳电池的优选材料体系,但中间带的形成及其能带调控等关键问题仍未得到有效解决.采用氧离子注入方式,在非平衡条件下对碲化锌(Zn Te)单晶材料实现了等电子掺杂,深入研究了离子注入对Zn Te:O材料的微观结构和光学特性的影响.研究表明:注入合适浓度的氧离子(2.5×1018cm-3)将会形成晶格应变,并诱导1.80 e V(导带下0.45 e V)中间带的产生;而较高浓度(2.5×1020cm-3)的氧离子会导致Zn Te注入层表面非晶化,并增强与锌空位相关的深能级(～1.6 e V)发光.时间分辨光致发光结果显示,离子注入诱导形成的中间带主要是和氧等电子陷阱束缚的局域激子发光有关,载流子衰减寿命较长(129 ps).因此,需要降低晶格紊乱度和合金无序,实现电子局域态向扩展态的转变,从而有效调控中间带能带结构.     

Temperature dependence of spin pumping in YIG/NiOx/W multilayer

We report the temperature dependence of the spin pumping effect for Y₃Fe₅O₁₂ (YIG, 0.9 μm)/NiO (t_NiO)/W (6 nm) (t_NiO = 0 nm, 1 nm, 2 nm, and 10 nm) heterostructures. All samples exhibit a strong temperature-dependent inverse spin Hall effect (ISHE) signal I_c and sensitivity to the NiO layer thickness. We observe a dramatic decrease of I_c with inserting thin NiO layer between YIG and W layers indicating that the inserting of NiO layer significantly suppresses the spin transport from YIG to W. In contrast to the noticeable enhancement in YIG/NiO (t_NiO ≈ 1-2 nm)/Pt, the suppression of spin transport may be closely related to the specific interface-dependent spin scattering, spin memory loss, and spin conductance at the NiO/W interface. Besides, the I_c of YIG/NiO/W exhibits a maximum near the T_N of the AF NiO layer because the spins are transported dominantly by incoherent thermal magnons.     

“物质的分类”促进高中生无机物性质学习的功能价值分析及其教学实现

在综述关于“物质的分类”的已有教学研究的基础上,分析了“物质的分类”对促进高中生无机物性质学习的功能价值,并在学生情况分析和教学内容分析的基础上,运用设计性研究、对比性教学实验进行了教学设计及实施研究.通过学生认识发展的前后测,以及学生访谈等对教学效果进行了检验.在此基础上,提炼出了实现“物质的分类”促进高中生无机物性质学习的功能价值的有效教学策略.     

全原子分子动力学模拟研究丙氨酸二肽水溶液的结构和氢键作用

采用全原子分子动力学模拟研究了丙氨酸二肽分子在水溶液中的结构和氢键作用。径向分布函数和氢键统计用于分子动力学模拟的分析。从径向分布函数（RDF）发现不同类型的强氢键显示出不同的形成能力,而体系中的C−H•••O弱相互作用较为明显,也不能忽略。氢键统计分析的结果也证实了这一点。分子内距离、回转半径和骨架二面角用于表征丙氨酸二肽分子在水溶液中的构象变化。丙氨酸二肽分子在水溶液中的柔顺性较好,构象在折叠和伸展之间相互转换。     

傅里叶变换近红外光谱法同时定量分析水溶液中乙醇、果糖和葡萄糖

利用乙醇、果糖和葡萄糖在波数为14000-7500cm^-1范围内的吸收值,在近红外谱区用偏最小二乘法（PLS）对体系进行建模,并通过内部和外部样品校验确认最佳数据预处理方法。结果表明,乙醇在0.05-0.25L/L,果糖在0.01-0.05g/mL及葡萄糖在0.005-0.009g/mL的范围内外部校验模型较好的分别是在PLS中所用的一阶偏导（平滑点数是5）、二阶偏导（平滑点数是5）和直线消除法的数据预处理方法所建立的模型,其外部校验预测结果的相对误差在2%左右。此方法具有可同时测定不同样品,简便快速及成本低等优点。     

Co/Bi催化剂催化湿法氧化降解垃圾渗滤液中的氨氮

采用催化湿法氧化(CWAO)技术,以Co/Bi为催化剂,对垃圾渗滤液中氨氮(NH₃-N)进行降解处理,并利用GC-MS检测了垃圾渗滤液中含氮有机物的相对含量.结果表明,随着反应温度的升高,CWAO对NH₃-N的降解能力逐渐增强,在220,240,260和280℃条件下,NH₃-N降解规律符合一级动力学反应(r>0.93,n=6).在升温过程(20～300℃)中,NH₃-N浓度变化经历了先升后降两个阶段,并在220℃时达到最大值.GC-MS检测结果表明,在第一阶段,垃圾渗滤液中几种含氮有机物因催化氧化而生成NH₃-N;第二阶段,NH₃-N逐渐被氧化降解,达到了CWAO技术同时降解有机物和NH₃-N的目的.同时,选取垃圾渗滤液中一种含氮有机物2-巯基苯并噻唑进行含氮有机物氮降解机理的验证实验.     

AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究

在1.5K低温和0～9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质.实验结果在4块样品中都观察到了Shubnikov-da HaSS振荡的双周期行为.表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据.通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为7.2×1012cm-2.通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究,说明在1.5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用.     

聚乙烯塑料在连续超临界水反应器中的油化研究

在连续超临界水（SCW）反应器中考察了反应温度、停留时间和反应压力对聚乙烯（PE）降解油化的影响。实验结果表明,在120s、25MPa下,从500℃提高到550℃,液体收率呈现先升后降的趋势,在530℃达到最大值（79%）;在520℃、25MPa下,随停留时间的延长,PE裂解程度加深,产物轻质化程度提高,导致液体收率降低,停留240s时,气体收率达到43%;反应压力对产物收率的影响较小,气、液产物中烯/烷比随反应压力的增加而增大。     

均匀聚焦磁场中束晕-混沌的孤子控制

采用粒子.束核模型,对均匀聚焦磁场中满足K-V分布的离子束进行模拟研究.观察到束晕.混沌现象,基于束晕.混沌的非线性控制策略,提出控制束晕.混沌的孤子函数控制器,并给出具体的实施方案.模拟研究表明,运用这种方法可以消除束晕及其再生现象,达到对束晕.混沌的有效控制.     

用肖特基电容电压特性数值模拟法确定调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中的极化电荷

研究发展了用肖特基电容电压特性数值模拟确定调制掺杂Al_xGa_1-xN/GaN异质结中极化电荷的方法.在调制掺杂的Al_0.22Ga_0.78N/GaN异质结上制备了Pt肖特基接触,并对其进行了C-V测量.采用三维费米模型对调制掺杂的Al_0.22Ga_0.78N/GaN异质结上肖特基接触的C-V特性进行了数值模拟,分析了改变样品参数对C-V特性的影响.利用改变极化电荷、n-AlGaN 关键词： xGa_1-xN/GaN异质结')" href="#">Al_xGa_1-xN/GaN异质结 极化电荷 电容电压特性 数值模拟