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31.
32.
33.
图的最小Q-特征值是图的二部性的一个度量,具有重要的研究意义.本文研究了移接图G的某些二部分支时最小Q-特征值k(G)的变化规律,推广了文献[Linear Algebra Appl.,2012,436(7):2084-2092]中关于κ(G)的扰动定理.作为应用,本文研究了交错定理的等号成立条件,构造了一个非二部连通图类,并对这图类中每个图G构造一个边子集ε,使得对ε的任意子集S都有κ(G)=κ(G-S). 相似文献
34.
采用快速提拉法生长出了透明、完整的γ-LiAlO2晶体,但是晶体的高熔点和易 挥发性限制了γ-LiAlO2晶体质量.采用气相传输平衡法(vapor transport equilibra tion technique,VTE)工艺对晶体改性,半高宽(FWHM)值从1169arcsec降至442arcsec,继续升高VTE处理温度至1300℃,FWHM值反而升高至552arcsec.快速提拉法生长出来晶体,100]方向和[001]方向的热膨胀系数分别为172398×10-6/K,107 664×10-6/K.经过三步VTE处理后[100]和[001]方向热膨胀系数降至16 6539×10-6/K和101784×10-6/K.
关键词:
2')" href="#">γ-LiAlO2
气相传输平衡法
热膨胀系数 相似文献
35.
利用高分辨率X射线衍射(HRXRD)对MOCVD系统中生长在c面Al2O3上的不 同厚度的GaN薄膜内马赛克结构进行了研究. 在对称面的三轴X射线衍射曲线中, 用两种方法计算得到晶粒的垂直关联长度和水平关联长度, 两者均随着薄膜厚度的增加而增加, 并且垂直关联长度近似膜厚从倒易空间图中得出的横向关联长度也有相同的趋势, 结合非对称面的衍射曲线用Williamson-Hall方法和外推法分 别拟合出晶粒的面外倾斜角和面内扭转角, 他们随着薄膜厚度的增加显著减少, 这一切都表明厚度的增加, 晶粒的单向有序排列越来越整齐, 外延片的质量越来越高.
关键词:
GaN薄膜马赛克结构
厚度
HRXRD 相似文献
36.
采用金属有机物化学气相淀积方法在铝酸锂LiAlO2衬底上外延生长m面GaN薄膜.X射线衍射测量的结果表明所得薄膜具有较理想的m面晶体取向,并对其各向异性的应变进行了计算,摇摆曲线的测量发现样品存在明显的面内结构各向异性.采用偏振光致发光研究材料的面内光学各向异性,发现随着偏振角度的改变,发光峰的峰位和强度均有明显变化,并用对称性破缺导致价带子带劈裂的理论对结果进行了解释.
关键词:
m面GaN
结构各向异性
偏振光致发光 相似文献
37.
MOCVD生长中载气H2对N掺杂ZnO性质的影响 总被引:5,自引:5,他引:0
采用MOCVD方法在石英衬底上生长ZnO。实验使用二乙基锌(DEZn)为锌源,N2O作为氧和氮源,H2作为载气。采用PL和Raman光谱方法对ZnO样品进行表征,结果表明H2的加入大幅度减少薄膜中碳的掺入,明显改善了薄膜的光学质量。采用N2O离化技术,可以进一步提高其带边峰的强度,抑制带内发光。XRD测量表明,生长的ZnO薄膜具有c轴择优取向。目前生长高质量N掺杂的p型ZnO薄膜是很困难的,而H2作为载气的加入明显改善了ZnO薄膜的光学性质,在生长过程中加入H2将为获得高质量N掺杂的p型ZnO薄膜提供一种途径。 相似文献
38.
在B3LYP/6-311+G(d,p)和QCISD(T)/6-311++G(d,p) 水平上,对气相中铝与水的反应进行了计算. 理论计算结果表明,铝水反应经过了三条可能的反应通道并且涉及了四个异构体、七个过渡态和两种产物. 其中两条反应通道所涉及的中间物和产物已被实验测得. 同时,在298 K和2000 K计算了铝水反应的焓变和吉布斯自由能,一些计算结果与以前的计算和实验结果吻合较好. 相似文献
39.
使用HF-SCF、Becke3-LYP和MP2理论方法和Dunnning基组aug-cc-PVTZ对卤代乙腈负离子CH2XCN-(X=F,Cl)进行一系列计算. 计算说明电子垂直贴附到中性分子是吸热反应. 构型优化的负离子CH2FCN-主要是价层束缚类型,CH2FCN-→CH2CN+F-是非绝热解离过程. 在描述负离子的电子结构以及解离贴附动力学时, 理论计算与实验结果比较得出Becke3-LYP方法是合理的,然而在CH2ClCN-→CH2CN+Cl-的解离势能曲线的计算中,MP2和Becke3-LYP方法有显著的不同. 相似文献
40.
采用约化密度矩阵理论研究了溶液中叶绿素a分子的内转换过程. 内转换时间可以通过模拟实验荧光亏蚀光谱得到. 计算得到的叶绿素a分子在乙酸乙酯、四氢呋喃和二甲基甲酰胺溶剂中的内转换时间分别是141、147和241 fs. 理论分析表明:荧光亏蚀光谱曲线的振荡行为主要是由分子布居在耦合势能面间的振荡引起的. 分析了两个电子态之间非绝热耦合对内转换时间及荧光亏蚀光谱的影响,还讨论了叶绿素a分子与溶液耦合作用对内转换时间的影响. 相似文献