LaPO4和ScPO4电子结构和光学性质的第一性原理研究

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,对LaPO₄和ScPO₄的能带结构、电子态密度及光学性质进行计算和分析.计算结果表明：LaPO₄的禁带宽度为5.646 eV,ScPO₄的禁带宽度为4.531 eV. LaPO₄晶体价带顶主要由P-3s、P-3p及O-2p态贡献,导带底主要是由La-5d态贡献;ScPO₄晶体价带顶主要由P-3s、P-3p及O-2p态贡献,导带顶主要是由Sc-3d态贡献.就光学性质而言,ScPO₄的静介电常数是2.03,比LaPO₄(1.92)的静介电常数大,体系极化能力较好.     

SOI新结构——SOI研究的新方向

SOI(silicon-on-insulator绝缘体上单晶硅薄膜)技术已取得了突破性的进展,但一般SOI结构是以SiO2作为绝缘埋层,以硅作为顶层的半导体材料,这样导致了一些不利的影响,限制了其应用范围.为解决这些问题和满足一些特殊器件/电路的要求,探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点.如SOIM,GPSOI,GeSiOI,Si on AlN, SiCOI, GeSiOI,SSOI等.文章将结合作者的部分工作,报道SOI新结构研究的新动向及其应用.     

聚中性红/Ni2+修饰碳糊电极对葡萄糖的电催化氧化研究

采用循环伏安法(CV)在碳糊电极(CPE)上通过共聚的方式电聚合制备了聚中性红/Ni2+修饰碳糊电极(Ni2+/PNR/CPE),该修饰电极在0.1mol.L-1NaOH溶液中扫描活化后,在0.531V/0.348V处有一对明显的氧化还原峰,表明Ni2+离子已掺杂于聚合膜中。分别运用扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)观测并分析了聚合膜的表面形貌及组成。研究结果表明:Ni2+/PNR/CPE在碱性介质中对葡萄糖的氧化具有明显的电催化作用。探讨了最佳实验条件;计算了葡萄糖的部分动力学参数:电荷转移系数(α=0.6970)及电极反应速率常数(k=2.003×103cm3.mol-1.s-1);葡萄糖的氧化峰电流与浓度在1.0×10-5mol.L-1～1.0×10-2mol.L-1范围内表现出良好的线性关系,检出限为5×10-6mol.L-1(S/N=3),该修饰电极制备方法简单、灵敏度高、稳定性好,用于实际样品中葡萄糖的含量分析,结果令人满意。     

荧光光度法测定对二苯胺偶氮苯磺酸(TPOO)-β-环糊精与氨苄青霉素的包合比和包合常数

探讨TPOO-β-环糊精对氨苄青霉素的包合机理,用荧光光度法测定得出TPOO-β-环糊精与氨苄青霉素按照1:1进行包合,包合常数为3.02×102L/mol。基于TPOO-β-环糊精与氨苄青霉素进行包合表现出的荧光增强的特性,建立了水溶液中测定氨苄青霉素的荧光光度法,该法具有简便、灵敏、快捷等优点。     

荧光光度法测定对二苯胺偶氮苯磺酸(TPOO)-β-环糊精与氨苄青霉索的包合比和包合常数

探讨TPOO-β-环糊精对氨苄青霉素的包合机理,用荧光光度法测定得出TPOO-β-环糊精与氨苄青霉素按照1∶进行包合,包合常数为3. 02×102L/mol.基于TPOO-β-环糊精与氨苄青霉素进行包合表现出的荧光增强的特性,建立了水溶液中测定氨苄青霉素的荧光光度法,该法具有简便、灵敏、快捷等优点.     

定量肝脏脂肪的波谱自动后处理算法

目前质子磁共振波谱技术可用于肝脏脂肪含量的定量检测.利用快速T₂校正多回波波谱采集序列可一次屏气获得一组不同回波时间的波谱数据,然后通过谱线拟合和分析得到质子密度脂肪分数.波谱数据后处理一般通过第三方软件,处理步骤复杂,需要消耗大量的时间,而且有不可避免的人为控制因素干扰.本文开发了自动波谱后处理算法,可以实现谱线拟合、T₂衰减校正和脂肪分数计算,并进一步采用水脂模型实验和人体肝脏脂肪检测实验对算法的可行性和准确性进行了评估.研究结果显示,本文提出的自动定量算法计算得到的质子密度脂肪分数和jMRUI软件处理得到的结果高度一致,但其操作简单,更适用于脂肪肝临床检测.     

Logistic模型中参数的MCP估计

由于高维数据的稀疏性,导致高维空间中的数据处理方法与低维空间中存在显著差异,合理的变量选择方法是解决高维数据问题的一个前提.从理论方面探讨Logistic模型中参数的MCP方法的Oracle性质,证明了MCP估计具有良好的理论性质.在搜索引擎广告转化率预测模型中,对比了几种不同变量选择方法的预测效果.结果表明MCP方法在处理高维稀疏数据时,准确率最高.通过方法筛选出若干显著影响广告转化率的特征变量,为广告主制定广告策略提供相应的理论依据.     

700℃退火下铝调制镍硅锗薄膜的外延生长机理

文章研究了在700℃退火下,铝插入层调制镍和硅锗合金反应形成单相镍硅锗化物的生长机理.透射电镜测试结果表明,镍硅锗薄膜和硅锗衬底基本达到赝晶生长;二次质谱仪和卢瑟福沟道背散射测试结果表明,在镍硅锗薄膜形成的过程中,铝原子大部分移动到镍硅锗薄膜的表面.研究结果表明,铝原子的存在延迟了镍和硅锗合金的反应,镍硅锗薄膜的热稳定性和均匀性都得到了提高.最后,基于上述实验结果给出了铝原子调制形成外延镍硅锗薄膜的生长机理.     

尿嘧啶的荧光猝灭法测定与机理研究

研究了尿嘧啶猝灭伊文思蓝(Evans blue)的荧光猝灭机理,并根据尿嘧啶对伊文思蓝荧光的猝灭作用,建立了测定尿嘧啶的新方法.当用253 nm激发时,伊文思蓝的最大发射波长位于387 nm,线性回归方程为:c=11.85I0/IF-12.30,相关系数为0.999 0,线性范围为0.2 ～20 mg/L,检出限为0.14 mg/L,相对标准偏差(RSD)为3.6%.求得伊文思蓝与尿嘧啶的形成常数为K=4.88×103 L/mol,试验了pH、干扰离子、放置时间、核酸水解产物等对测定的影响.     

Impact of Al addition on the formation of Ni germanosilicide layers under different temperature annealing

Solid reactions between Ni and relaxed Si_0.7Ge_0.3 substrate were systematically investigated with different Al interlayer thicknesses. The morphology, composition, and micro-structure of the Ni germanosilicide layers were analyzed with different annealing temperatures in the appearance of Al. The germanosilicide layers were characterized by Rutherford backscattering spectrometry, cross-section transmission electron microscopy, scan transmission electron microscopy, and secondary ion mass spectroscopy. It was shown that the incorporation of Al improved the surface and interface morphology of the germanosilicide layers, enhanced the thermal stabilities, and retarded the Ni-rich germanosilicide phase to mono germanosilicide phase. With increasing annealing temperature, Al atoms distributed from the Ni/Si_0.7Ge_0.3 interface to the total layer of Ni₂Si_0.7Ge_0.3, and finally accumulated at the surface of NiSi_0.7Ge_0.3. We found that under the assistance of Al atoms, the best quality Ni germanosilicide layer was achieved by annealing at 700 ℃ in the case of 3 nm Al.