拟线性强振动方程解的存在性

在没有Landesman-Lazer型约束条件的情况下,本文获得了一类涉及第一特征值的拟线性强振动方程非平凡解的存在性.     

FAAS法连续测定电解二氧化锰中微量铜铅钴镍

电解二氧化锰作为电池的正极活性物[1] ,产品多样化 ,可适应不同类型电池和配方的要求 ,其中无汞碱锰电池级电解二氧化锰已成为主导性产品[2 ] 。国内外各大电池厂商对无汞碱锰电池级电解二氧化锰的化学纯度要求为 :≤ 10 0× 10 - 6 级 :w(Fe)一般低于 6 0× 10 - 6 ;≤ 5× 10 - 6 级 :w (Cu、Pb、Co、Ni)一般低于 1× 10 - 6 ;≤ 1× 10 - 6 级 :w(As、Sb、V、Mo)一般低于 1× 10 - 6 。由此可见 ,电解二氧化锰中铜、铅、钴、镍等杂质含量的高低成为评价其产品质量的重要指标。对这些相当低量的杂质元素 ,一般情况下需采用石墨炉原子…     

胆固醇电化学生物传感器的研究与进展

胆固醇作为一些疾病的重要生物标志物,开发准确且快速的胆固醇检测技术在生物医学应用中具有重要意义.电化学生物传感技术具有检测速度快、灵敏度高、操作方便等优点,成为研制新型高性能胆固醇传感器的主要研究方向.近年来,材料合成技术的提高,新型材料种类的丰富,促进了胆固醇电化学生物传感器在脑和心脏血管疾病临床分析中蓬勃发展.本文...     

低应力铌酸锂电光调Q开关的研究

本文分析了铌酸锂晶体应力,按照来源包括热应力、缺陷应力、加工应力和晶体受到的外力等.对铌酸锂晶体热处理时固溶体脱溶问题的初步分析,采用合适的工艺对晶体毛坯进行了去应力热处理;在调Q开关制作时开发了弹性装配技术取代传统的硬性夹持方案,消除了夹持应力对电光调Q开关的影响.制备的铌酸锂电光调Q开关得到了实际应用,有效提高了激光器工作的温度稳定性.     

基于深度信息的单幅图像自动阴影检测

为解决复杂场景阴影的自动检测问题,提出一种基于深度信息的单幅图像自动阴影检测算法。该算法首先利用深度信息估计图像的法线、点云信息,并对图像进行多尺度纹理滤波;然后利用法线、点云和色度信息估计不同尺度下滤波图像的阴影置信度和亮度置信度,并对两种置信度图分别进行阴影边界相关的多尺度融合,消除纹理影响的同时保留了复杂的阴影边界信息和结构信息;最后利用拉普拉斯算子对阴影置信度进行插值优化,得到更精确的阴影检测结果。实验结果表明,对于简单场景和复杂场景图像,该算法都能完整检测出其中的硬阴影和软阴影,具有较好的阴影检测效果。通过与其他算法的阴影检测结果进行对比,验证了本文算法的准确性和鲁棒性。     

硒与有机硒化合物的临床意义及含硒化合物的研究进展

综述了硒及有机硒化合物在心血管疾病、癌症以及其它疾病防治中的临床意义。介绍了几种具有生理活性的有机硒化合物。     

硅微谐振加速度计高精度相位闭环控制系统设计与实现

硅微谐振加速度计因具有小体积优势和高精度潜力,成为硅微惯性传感器研制的热点之一。高精度相位闭环控制系统是决定硅微谐振加速度计精度水平的重要因素。在分析硅微谐振加速度计工作机理的基础上,从闭环控制系统设计的角度,分析了相位闭环控制回路的原理,提出了一种可以消除匀加速误差的高精度三阶无静差相位闭环控制方案。给出了设计思路,研究了环路性能测试方法,讨论了闭环系统相位误差的来源与抑制方法。所设计的闭环回路在0.1 Hz处静态增益为170 dB,启动时间小于20 ms,实测带宽为432 Hz,全温范围内相位闭环回路相差变化0.84°,系统参数满足设计指标。     

线性代数方程组树机并行行处理法

利用行处理法和分治策略给出一个基于分布式存储MIMD二叉树树机模型求解任意线性代数方程组的并行迭代算法，证明算法的正确性并分析算法的通信复杂度。     

一种基于玻璃-PDMS微流控芯片上气动微泵的研制及其在化学发光分析中的应用研究

利用AZ4620光胶制备通道横截面为圆弧形的阳模,采用玻璃与PDMS材料的永久性封合技术,研制了一种玻璃-PDMS复合芯片微流控蠕动型气动微泵,实现单一微泵对多路液流的驱动．实验将该微泵系统应用于K3[Fe（CN）6]的化学发光检测,对4×10～mol／LK3[Fe（CN）6]测定的重现性为0．9％（RSD,n=7）,线性范围6×10^-6～6×10^-5mol／L,线性相关系数R^2=0．9990,检出限为8×10^-7mol／L．     

名义纯及掺杂铌酸锂晶体内偏置场的实验研究

铌酸锂晶体的内偏置场对铁电应用、电光应用和非线性光学应用等均有直接影响。本工作建立了铌酸锂(LN)晶体内偏置场测试方法,对同成分铌酸锂(CLN)晶体、近化学计量比铌酸锂(nSLN)晶体、掺杂铌酸锂(doped LN)晶体的内偏置场和矫顽场进行测量。结果表明,CLN晶体内偏置场最高(E_int=2.53 kV/mm),nSLN晶体的内偏置场大幅降低,其中富锂熔体法生长和气相输运平衡(vapor transport equilibration, VTE)法结合得到的nSLN晶体的内偏置场最小,与CLN晶体相比降低了约两个数量级;掺杂铌酸锂晶体的内偏置场与CLN晶体相比也普遍降低,其中掺6.5%(摩尔分数)Mg的CLN晶体的内偏置场约为CLN晶体的四分之一,掺7%(摩尔分数)Zn的CLN晶体的内偏置场约为CLN晶体的六分之一。最后对组分和掺杂影响内偏置场的因素进行了简要分析。