中高能量电子被NO_2和SO_2分子散射总截面的研究

用模型势方法对正电子与氪、氙原子散射角分布进行了系统计算，通过对算得的微分截面（散射角从２０°－１６０°）的数据分析，结合作者以前对正电子与氦、氖、氩原子散射角分布的研究结论，总结出了低能正电子与稀有气体原子散射角分布规律     

中高能α粒子与类氦离子和Li原子碰撞中电子俘获截面的计算

用两态原子轨道展开方法研究计算了中高能α粒子与类氦离子（Ｂｅ２＋，Ｂ３＋，Ｃ４＋，Ｎ５＋，Ｏ６＋）和Ｌｉ原子碰撞中电子俘获截面。结果表明，在中高能区的结果与实验较好地符合。     

囚禁于球壳势内偏心位置的氢原子

通过非线性变换技术和特殊设计的B样条基矢方法计算了囚禁于球壳势内任意位置的氢原子电子能级,以及能级在不同势阱深度随偏心距离的变化情况.     

覆盖度对S原子在Ir(001)表面吸附性质的影响

采用第一性原理方法模拟了覆盖度对S原子在Ir(001)表面吸附能和电子结构的影响。结果表明：在覆盖度0.50 ML以下,S原子吸附在Hollow空位最稳定,且吸附能几乎不随覆盖度变化;在覆盖度0.66 ML以上吸附能随覆盖度增加而减小。吸附体系金属表面d带电子结构随覆盖度变化与O/Pt(111)吸附体系相似。这些结果与Hammer-Nørskov模型吻合。     

闪锌矿结构AlN、AlP、AlAs和AlSb电子结构和光学性质的第一性原理研究

本文采用基于密度泛函理论下的第一性原理平面波赝势从头算量子力学方法,对闪锌矿结构AlN、AlP、AlAs和AlSb的电子结构和光学性质进行了研究。分析比较了这些化合物的能带结构、态密度、介电函数及折射率等性质,总结Al与不同Ⅴ族元素形成化合物时的性质变化规律。结果表明,四种材料有着相似的能带结构,都是间接带隙宽禁带半导体,但是在导带底AlN的能态结构与其它三种材料明显不同。随着从AlN到AlSb的变化,光学性质曲线发生红移。     

过渡金属TM(V,Cr,Mn)掺杂ZnS的电子结构和磁性

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理赝势平面波方法,对过渡金属V、Cr、Mn 掺杂ZnS的超晶胞体系进行了几何结构优化,计算了晶格常数、电子结构与磁学性质。研究结果表明：掺入V,Cr后,ZnS表现出明显的半金属性,而掺入Mn后,半金属性不明显;掺入过渡金属TM(V,Cr,Mn)后系统产生的磁矩主要有杂质的3d态电子贡献,且磁矩的大小与过渡金属的电子排布有关。     

Field-free molecular orientation induced by combined femtosecond single- and dual-color laser pulses：The role of delay time and quantum interference

The coherent control of field-free molecular orientation of CO with combined femtosecond single- and dual-color laser pulses has been theoretically studied. The effect of the delay time between the femtosecond single- and dual-color laser pulses is discussed, and the physical mechanism of the enhancement of molecular orientation with pre-alignment of the molecule is investigated. It is found that the basic mechanism is based on the creation of a rotational wave packet by the femtosecond single-color laser pulse. Furthermore, we investigate the interference between multiple rotational excitation pathways following pre-alignment with femtosecond single-color laser pulse. It is shown that such interference can lead to an enhancement of the orientation of CO molecule by a factor of 1.6.     

CO分子在Co(0001)表面吸附的第一性原理研究

应用第一性原理对CO分子在Co(0001)表面( squar3× squar3)R30°−CO吸附结构进行不同形式的密度泛函计算研究. 结果表明：吸附能修正前,仅RPBE泛函预测CO顶位吸附;而修正后PW91、PBE和PKZB泛函结果也表明CO分子Top顶位吸附最稳定,与实验结果一致.对于吸附几何结构、吸附前后体系功函、C-O伸缩振动频率和CO分子态密度分布,所有泛函给出一致的结果,且与已有实验结果符合.     

外电场作用下二氧化硅分子的光激发特性研究

采用密度泛函B3P86和组态相互作用方法在6-311G**基组水平上计算了二氧化硅分子从基态到前5个激发态的跃迁波长、振子强度、自发辐射系数A_n0和吸收系数B_0n（n=1—5）.研究了外电场对二氧化硅分子激发态的影响规律. 结果表明,随外电场强度增大,最高占据轨道与最低空轨道能隙变小,占据轨道的电子易于激发至空轨道. 因而在外场作用下分子易于激发. 关键词： 2')" href="#">SiO₂ 激发态 外电场     

密度泛函方法对SiO分子基态（X 1Σ+）势能函数的研究

利用密度泛函B3P86方法,分别选用STO-3G,D95^**,6-311G,6-311++G,6-311++G^**,cc-PVTZ基组对SiO分子基态(X¹Σ⁺)进行结构优化计算.通过比较得出,cc-PVTZ基组为对SiO分子基态(X¹Σ⁺)进行结构优化最优基组的结论.使用密度泛函B3P86方法,选用cc-PVTZ基组进 关键词： B3P86 SiO 势能函数 光谱常数