碳分子线基态特性理论研究

从第一原理出发，利用密度泛函理论B3LYP系统研究了碳分子线Cn（n=3～10）的电子结构特性．对优化结果分析发现，由于离域效应的作用，当n为奇数时，分子线基态为单重态，反之，当n为偶数时，三重态为其稳定的基态．对其电子结构分析可得，随着n的增加，体系能量逐渐降低；同时本文确定了分子线体系最高占据轨道HOMO能量E^H、最低未占据轨道LUMO能量E^L与n的关系式，即En-2^H〈En^H〈En＋2^H，En-2^L〉En^L〉En＋2^L，因而碳分子线的费米能级会表现出特有的奇偶性．该工作将有利于准确认识分子器件的伏安特性，设计出良好性能的分子器件。     

频率啁啾脉冲下里德堡锂原子量子态布居跃迁

采用含时多态展开方法(TDMA),结合B样条技术,计算了频率啁啾脉冲激光场中里德堡锂原子五个量子态之间的跃迁情况,并分析了激光场的四个主要参数对跃迁的影响.结果表明当取合适的激光参数时,可以实现布居数在量子态间的有效跃迁,从而一定程度上可以实现量子态的人工控制.     

TaC和Ta2C结构稳定性、电子结构及力学性能的研究简

采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对TaC和Ta2C的结构及结构稳定性、电子结构和力学性能进行了系统地分析和研究.研究结果表明:TaC的最稳定结构为岩盐构型(RS-TaC),而Ta2C在零压下的最稳定结构为C6-Ta2C,随着外压力的增大,在23.5GPa处最稳定结构转变为L′3-Ta2C.同时还计算分析了TaC和Ta2C稳定结构的电子结构特征,解释了该材料具有优异力学性能的微观机制,并计算分析了外压力对其力学性能的影响.     

光功能导向的SiNN分子电致发光特性研究

采用优选出的密度泛函B3P86/cc-PVTZ方法对SiNN分子进行了基态结构的优化,然后使用含时密度泛函方法(Time-dependent density functional theory,TDDFT)计算了SiNN分子前7个激发态的激发能,吸收谱,跃迁振子强度等激发特性,进而在得到不同外电场下SiNN分子的基态稳定结构的基础上,研究了外电场作用下SiNN分子的激发特性.与无电场时的激发特性进行比较发现SiNN分子的激发能,吸收谱,跃迁振子强度在外电场作用下变化明显,特别是加场后使原来跃迁禁戒的能级之间发生了跃迁,出现了紫光区的376～401 nm波长的吸收谱,电子在各能级之间的跃迁能力也发生了很大改变.同时对SiNN分子可见光谱的产生机理也进行了分析,经理论分析发现SiNN分子有可见光波段的发射谱且数值与实验测量结果非常吻合.     

覆盖度对S原子在Ir(001)表面吸附性质的影响

采用第一性原理方法模拟了覆盖度对S原子在Ir(001)表面吸附能和电子结构的影响。结果表明：在覆盖度0.50 ML以下，S原子吸附在Hollow空位最稳定，且吸附能几乎不随覆盖度变化；在覆盖度0.66 ML以上吸附能随覆盖度增加而减小。吸附体系金属表面d带电子结构随覆盖度变化与O/Pt(111)吸附体系相似。这些结果与Hammer-Nørskov模型吻合。