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101.
首次采用新型有机硅聚合物——侧链含一半硅氢键的羟基封端聚二硅氧烷(PSEMH)与聚氧乙烯醚(PEO)作为基质, 通过溶液浇铸法制备了PEO-PSEMH-LiClO4全固态共混聚合物电解质膜. 交流阻抗谱实验测定结果表明PSEMH与PEO共混作为聚合物电解质的基质可以显著提高共混聚合物电解质的离子电导率. PSEMH含量为25%, O/Li+为12∶1时, 共混聚合物电解质具有最大离子电导率2.7×10-5 S•cm-1 (28 ℃). PSEMH的引入一方面可以显著地抑制PEO的结晶性能, 另一方面PSEMH分子链节中的二硅醚氧原子与Li+间具有配位作用, 且参与了共混聚合物电解质锂离子迁移运动. 相似文献
102.
近年来,全钒氧化还原液流电池(VRFB)作为一种新型的储能电池备受关注,作为VRFB的核心材料,电极的活化一直都是研究的热点。碳素类材料,如碳毡和石墨毡,以其低成本和高性能被广泛用作钒电池电极。通过活化处理增加碳素类电极表面的含氧、含氮官能团或引入各种催化剂可以显著提高V(Ⅴ)/V(Ⅳ)和V(Ⅲ)/V(Ⅱ)电对氧化还原反应的电化学活性和可逆性,进而提高VRFB的总体性能,最终促进VRFB的商业化进程。本文综述了VRFB碳素类电极的氧化活化法、掺杂活化法和碳纳米催化剂活化法等几种常用活化方法的研究进展,并对VRFB碳素类电极的进一步研究和应用前景进行了展望。 相似文献
103.
制备了单壁碳纳米管薄膜光电器件,在偏压和激光器照射条件下可产生净光电流。分别研究了偏置电压、激光功率、照射位置对净光电流的影响。实验表明,激光照射薄膜中点,净光电流随着偏压的增大而增大,随激光功率的增大而趋于饱和,偏压为0.2 V,激光功率为22.7 mW时,净光电流达到0.24 μA;无偏压,激光照射薄膜不同位置时,净光电流值关于器件中心对称分布,照射两端点输出最大光电流,照射中点输出趋于“0”。经分析,在偏压和激光照射薄膜中心位置的条件下,器件因内光电效应可产生净光电流;在无偏压和激光照射的条件下,因光热电效应可产生净光电流,并建立了温度模型,根据单壁碳纳米管的热电势特性推导出了净光电流与光照位置的关系,其符合实验结果;内光电和光热电效应是光电流产生、变化的原因,在偏压和激光照射的一般条件下,净光电流应是两种效应的叠加结果。器件所具有的光电特性使其在光伏器件、光传感器有应用的潜力。 相似文献
104.
采用水热合成法制备了α-MnO2、β-MnO2、γ-MnO2和δ-MnO2催化剂, 运用N2吸脱附实验、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和H2程序升温还原(H2-TPR)等方法对催化剂进行了表征, 并将催化剂用于催化完全氧化乙醇反应中, 考察了不同晶型MnO2催化剂催化氧化乙醇活性的差异, 探讨了催化剂晶型结构与催化氧化活性的关联. 结果表明, 不同晶型的MnO2催化剂催化氧化乙醇活性差异显著, 活性顺序为α-MnO2>δ-MnO2>γ-MnO2>β-MnO2. 系列表征结果显示, 晶体结晶度和比表面积不是影响不同晶型MnO2催化剂活性的主要原因, α-MnO2催化剂具有的较高晶格氧浓度和较高的可还原性是其具有良好催化氧化乙醇活性的关键因素. 相似文献
105.
In this paper, considering the quantum effect of electrons in a super-strong magnetic field, the influence of a super-strong magnetic field on the chemical potential of a non-zero temperature electron is analyzed, the rates of β decay under the super-strong magnetic field are studied, and then we compare them with the case without a magnetic field. Here, the nucleus ^63Co is investigated in detail as an example. The results show that a magnetic field that is less than 1010 T has little effect on the electron chemical potential and β decay rates, but the super-strong magnetic field that is greater than 1010 T depresses the electron chemical potential and improves the β decay rates clearly. 相似文献
106.
107.
Optimal implementation of quantum gates is crucial for realization of quantum computation. We slightly modify the Khaneja-Glaser decomposition (KGD) for n-qubits and give a new Cartan subalgbra in the second step of the decomposition. Based on this modified KGD, we investigate the realization of three-qubit logic gate and obtain the result that a general three-qubit quantum logic gate can be implemented using at most 73 one-qubit gates rotations with respect to the y and z axes and 26 CNOT gates. 相似文献
108.
109.
110.