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亚微米级ε型CL-20的制备、表征与性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用超临界气体抗溶剂(gas anti-solvent, GAS)技术制备了平均粒径为721.9 nm的亚微米级ε型六硝基六氮杂异伍兹烷(CL-20),应用傅立叶变换红外光谱(Fourier translation infrared spectrum, FT-IR),对亚微米级CL-20的晶型进行了鉴别,并进行了小隔板试验、撞击感度和爆发点测试.研究结果表明,细化后的亚微米级ε型CL-20冲击波感度的隔板厚度降低了58.6%,撞击感度的特性落高提高了84.1%,而爆发点保持不变. 相似文献
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利用电炮驱动Mylar膜飞片加速冲击炸药的方式,研究了炸药的飞片起爆感度试验方法,并进行了部分试验。试验结果表明,该方法的建立是可行的,并对研究和评价炸药的安全性能和可靠性有着重要的意义和价值。当前,飞片撞击炸药感度试验方法的建立还不太成熟,有待于进一步研究和探讨。 相似文献
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1 引 言在研制钝感高能传爆药的工艺过程中 ,必须对传爆药中各组分含量进行测定。钝感传爆药由主炸药奥克托今(HMX)、三硝基三氨基苯 (TATB)和粘接剂聚三硝基苯 (PNP)、氟橡胶 (F2 6 4 1)组成 ,其中微量组分PNP的测定方法未见报道。TATB难溶于有机溶剂 ,必须先过滤分离 ,然后收集滤液进行测定。另外 ,F2 6 4 1对紫外几乎没有吸收。本文主要采用多波长线性回归法解决测定PNP时HMX的干扰 ,此方法操作简便 ,分析速度快 ,灵敏度和准确度都达到工艺研制的要求 ,而且仪器价格便宜。2 实验部分2 .1 仪器和试剂 75… 相似文献
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ZnO薄膜的掺杂特性 总被引:8,自引:4,他引:4
通过MOCVD方法生长的ZnO薄膜一般为富锌生长,呈n型电导,要想得到高阻或低阻p-ZnO薄膜需要对其进行掺杂施主或受主杂质.主要研究在生长过程中通过NH3对ZnO薄膜进行氮掺杂的情况,利用优化生长条件,即生长温度为610℃,Ar气(携带DEZn)流量为4sccm,O2流量为120sccm,N2流量为600sccm,得到在NH3流量为80sccm时生长样品的结晶质量最高,在掺杂薄膜中NH3流量高于或低于80sccm时,样品的表面形貌都将变差,只有在80sccm时表面粗糙度最低晶粒最小,表明该流量下获得的样品表面较光滑致密.所以80sccmNH3流量为在R面蓝宝石上生长<110>取向ZnO薄膜的最佳掺杂流量.Hall测量结果表明,NH3流量为50sccm的样品电导呈弱p型,电阻率为102Ω·cm,空穴载流子浓度为+1.69×1016cm-3,迁移率为3.6cm2·V-1·s-1;当NH3流量增加时样品的电导呈n型,电阻率最高达108Ω·cm,我们认为与进入ZnO薄膜的H的量有关,并对其变化机理进行了详细的分析. 相似文献