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An All-Thin-Film Electrochromic Device Composed of MoO3--LiBSO--NiOx Multilayer Structure 总被引:1,自引:0,他引:1
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An all-thin-tilm (ATF) electrochromic device for modulating the optical transmittance is manufactured using magnetron sputtering. The devices consists of MoO3 as the main electrochromic layer, LiBO2 +Li2SO4 (LiBSO) as the ion conductor layer, and NiOx as the complementary electrochromic layer. Glass covered with indium tin oxide (ITO) is used as the substrate and the ITO film is used as the bottom electrode. The ITO film deposited on the top of the devices is used as the other electrode. The structure and morphology of the films are characterized by x-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). The devices exhibit good optical properties with low transmittance values in the coloured state, and the optical modulation is measured by spectrophotometer in the wavelength range from 400 to 800nm. The average visible light transmittance reaches 50.2% and 3.7% in bleached and coloured state, respectively. The results indicate that such a monolithic system has great potential to be applied in smart windows. 相似文献
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采用分离式霍普金森压杆(SHPB)试验方法对粗骨料取代率为0%、30%、50%和100%的再生混凝土进行冲击试验,研究了应力-应变关系曲线、动态抗压强度、动态弹性模量以及破坏形态受应变率影响的变化规律。试验表明,应力-应变关系曲线开始段呈线性关系,随应变率的增大,线性段斜率增大,持续范围扩大,峰值应力变大;峰值应力具有率敏性,随应变率增大,峰值应力不断增加,取代率对峰值应力的影响差别不明显;动态弹性模量也具有率敏性,呈正相关关系,取代率不同,其率敏性程度有所差异;随着应变率增大,试件破坏程度随之加剧,从完整无裂缝到瞬间崩裂成碎块。 相似文献
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105.
ONTHEEXISTENCEANDSTABILITYOFSOLUTIONFORSEMI-HOMOGENEOUSBOUNDARYVALUEPROBLEMDongQinxi(董勤喜);HuangXiankai(黄先开)(ReceivedJuly.4.19... 相似文献
106.
PULSED LASER DEPOSITION AND CHARACTERIZATION OF FERHOELECTHIC Pb(Zr,Ti)O3 THIN FILMS ON SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATES
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Ferroelectric Pb(Zr, Ti)O3 thin films were prepared by pulsed exeimer laser deposition on silicon-on-insulator and Pt-coated silicon-on-insulator substrates, and rapid thermal annealing was per-formed to crystallize the films, Based on the analysis by X-ray diffraction, Rutherford backscattering spectroscopy and measurements of electrical properties, the films were revealed to be polycrystalline perovskite structure with mainly (100) and (110) orientations, and their crystallization was found to be dependent on annealing temperature and annealing time. The films show good ferroelectricity, with Pr=15μC/cm2, Ec= 50kV/cm, high resistivity and high dielectric constant. 相似文献
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