苯氨基磺酸衍生物作为HPTPβ抑制剂的Topomer CoMFA研究及分子对接

采用Topomer CoMFA方法对27个苯氨基磺酸衍生物进行了三维定量构效关系研究。得到了3D-QSAR模型,其交互验证系数q2为0.713,非交叉相关系数r2为0.995,主成分数N为6,标准估计误差SEE为0.183。结果表明该模型有较好的预测能力。采用Topomer Search技术在ZINC数据库中进行R基的筛选,并设计了5个新分子,最后用分子对接技术研究了新分子与苯氨基磺酸衍生物大分子蛋白的作用模式,从结果中可以看到,新分子与苯氨基磺酸衍生物蛋白的A/ARG220、A/ARG63和A/ASN115位点作用显著.     

高功率垂直外腔面发射半导体激光器增益设计及制备

垂直外腔面发射半导体激光器(vertical external cavity surface emitting laser, VECSEL)兼具高功率与良好的光束质量,是半导体激光器领域的持续研究热点之一.本文开展了光抽运VECSEL最核心的多量子阱增益区设计,对量子阱增益光谱及其峰值增益与载流子浓度及温度等关系进行系统的理论优化,并对5种不同势垒构型的量子阱增益特性进行对比,证实采用双侧GaAsP应变补偿的发光区具有更理想的增益特性.对MOCVD生长的VECSEL进行器件制备,实现了VECSEL在抽运功率为35 W时输出功率达到9.82 W,并且功率曲线仍然没有饱和;通过变化外腔镜的反射率, VECSEL的激光波长随抽运功率的漂移系数由0.216 nm/W降低至0.16 nm/W,证实外腔镜反射率会影响VECSEL增益芯片内部热效应,从而影响VECSEL激光输出功率.所制备VECSEL在两正交方向上的发散角分别为9.2°和9.0°,激光光斑呈现良好的圆形对称性.     

条件滤波大涡模拟方程封闭模型检验

使用直接数值模拟和条件滤波大涡模拟相结合的方法检验了线性扩散假设和一阶近似在条件滤波大涡模拟中的应用.线性扩散假设用于封闭条件滤波大涡模拟方程中的混合分数空间输运项,一阶近似用于封闭条件滤波大涡模拟方程中的条件滤波化学反应源项.通过使用条件滤波大涡模拟计算出的反应物大尺度量的一阶、二阶统计矩与直接数值模拟结果符合很好,...     

Experimental investigation of loss and gain characteristics of an abnormal In_xGa_(1-x)As/GaAs quantum well structure

In this Letter, the loss and gain characteristics of an unconventional InxGa1-xAs∕Ga As asymmetrical step well structure consisting of variable indium contents of InxGa1-xAs materials are measured and analyzed for the first time, to the best of our knowledge. This special well structure is formed based on the indium-rich effect from the material growth process. The loss and gain are obtained by optical pumping and photoluminescence(PL)spectrum measurement at dual facets of an edge-emitting device. Unlike conventional quasi-rectangle wells, the asymmetrical step well may lead to a hybrid strain configuration containing both compressive and tensile strains and, thus, special loss and gain characteristics. The results will be very helpful in the development of multiple wavelength In Ga As-based semiconductor lasers.     

基于免疫函数的输入死区未知严格反馈非线性系统投影自适应指令滤波反步控制

为解决含有未知项以及输入死区的严格反馈非线性系统跟踪控制问题,提出一种基于免疫函数的投影自适应指令滤波有限时间控制方法.该方法使用免疫函数构造扩张状态观测器对具有输入死区控制系统中的未知项进行逼近,并使用指令滤波解决反步法中微分爆炸问题,建立滤波误差补偿机制降低滤波误差对跟踪精度的影响,同时使用投影算子保证了自适应参数的有界性.与现有文献中基于障碍李雅普诺夫函数的自适应反步约束控制相比较,文章可同时约束系统状态、补偿跟踪误差以及自适应参数在预设的范围内,保证了闭环系统中所有信号有界,结合有限时间控制加快了控制系统的收敛速度.最后仿真结果表明了文章控制方法的有效性.     

哌啶分子在两种不同银电极上吸附行为的实验和理论研究

分别在粗糙银电极和银纳米颗粒修饰银电极上得到了哌啶分子的表面增强拉曼（SERS）光谱。哌啶在银电极与银纳米颗粒修饰的银电极上的SERS谱有很大的区别,分析认为是由于哌啶在不同基底上的吸附方式不同所引起的,据此建立了哌啶吸附在银颗粒表面的两种模型,用DFT-B3PW91-lanl2dz方法计算了两种模型的拉曼频移,通过与实验结果比较说明了哌啶分子主要通过N原子的孤对电子竖直吸附在粗糙银电极表面,而在银纳米颗粒修饰的银电极上则以平行吸附方式为主。     

MoO_3-C_3N_4复合光催化剂的可见光下高效催化降解甲基橙（英文）

以钼酸铵和C_3N_4为前驱体,利用浸渍法成功制备了高性能MoO_3-C_3N_4复合光催化剂,利用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外(FT-IR)、高分辨电镜(HRTEM)及N2吸附-脱附曲线等测试手段对所得MoO_3-C_3N_4光催化剂进行了结构和形貌表征。以可见光下光催化降解甲基橙反应表征MoO_3-C_3N_4的光催化活性。实验结果表明,MoO_3-C_3N_4光催化剂具有非常好的光催化降解性能,且MoO_3含量对反应活性产生显著影响。当MoO_3含量为1.6%(w/w)时光催化活性最好,其速率常数达到C_3N_4的50倍。通过研究发现该复合催化剂的高活性来自于其Z型光生载流子传输过程,抑制了光生电子空穴对的复合并延长了引入MoO_3产生的载流子的寿命。     

三聚氰胺修饰玻碳电极同位镀银膜检测水中痕量铜(Ⅱ)

利用氨阳离子自由基与碳的接枝反应,采用电化学方法将三聚氰胺共价修饰到玻碳电极表面。电化学实验及红外光谱分析表明三聚氰胺在电极表面成功键合。在乙酸盐缓冲溶液(pH=5.2)中,通过同位镀银膜,使Cu(Ⅱ)在修饰电极上有灵敏的响应。在最佳测试条件下,Cu(Ⅱ)的溶出峰电流与浓度在5.0×10-8～0.78×10-5 mol·L-1范围内呈现较好的线性关系,检测限为1.56×10-8 mol·L-1。该修饰电极具有良好的选择性、稳定性和重现性。采用标准加入法对水样中Cu(Ⅱ)进行测定,回收率达98.81%～100.02%。     

852 nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、 InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性

为了提高852 nm半导体激光器的温度稳定性,理论计算了InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的增益,模拟对比并研究了不同量子阱的增益峰值和峰值波长随温度的漂移。结果显示,采用In_0.15Ga_0.74-Al_0.11As作为852 nm半导体激光器的量子阱可以使器件同时具有较高的增益峰值和良好的温度稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长了压应变In_0.15Ga_0.74Al_0.11As单量子阱852 nm半导体激光器,实验测得波长随温度漂移的数值为0.256 nm/K,实验测试结果验证了理论计算结果。     

半参数回归模型在空气质量指数分析和预测中的应用

根据2013年6月到2013年8月年武汉市一个检测点有关空气质量指数的数据,运用半参数回归模型对空气质量指数进行拟合,得到了空气质量指数与各有关指标的关系．实证分析表明,半参数回归模型拟合比较准确,预测结果也比较理想．