低温密闭碱熔–电感耦合等离子体发射光谱法测定岩石矿物中二氧化硅

建立电感耦合等离子体发射光谱法测定岩石矿物样品中二氧化硅含量的方法.在防腐高压消解罐中,用氢氧化钠低温消解样品,以盐酸浸提,采用电感耦合等离子体发射光谱法进行测定.二氧化硅的质量浓度在0～50μg/mL范围内与光谱发射强度线性关系良好,线性相关系数为0.9998,检出限为0.45％.用该方法对国家一级标准物质进行测定,...     

退火对非故意掺杂4H-SiC外延材料386 nm和388 nm发射峰的影响

10 K条件下,采用光致发光(PL)技术研究了不同退火处理后非故意掺杂4H-SiC外延材料的低温PL特性.结果发现,在370—400 nm范围内出现了三个发射峰,能量较高的峰约为3.26 eV,与4H-SiC材料的室温禁带宽度相当.波长约为386 nm和388 nm的两个发射峰分别位于~3.21 eV和~3.19 eV,与材料中的N杂质有关.当退火时间为30 min时,随退火温度的升高,386 nm和388 nm两个发射峰的PL强度先增加后减小,且退火温度为1573 K时,两个发射峰的PL强度均达到最大. 关键词： 光致发光 退火处理 能级 4H-SiC     

氧离子激发光谱的精密测量

在2×1.7串列加速器上利用束-箔方法和装有CCD的Spectrapro-500i光谱单色仪的测量装置，在2MeV束能下研究了250nm—350nm波长范围离化态氧原子光谱.在250nm—350nm范围已确定的201条光谱线，确定的跃迁大部分属于OⅡ到OⅣ原子的n，l能级间的跃迁，一些实验结果与现有理论一致.实验发现，在这个范围的光谱大都属于弱跃迁谱线，并且许多谱线是以前没有观测到的. 关键词： 串列加速器 氧离子 CCD 光谱     

双轴压缩下颗粒物质剪切带的形成与发展

本文采用离散元方法,研究了双轴压缩的颗粒体系在刚性边界约束下,局部剪切带的形成和发展过程,注重分析了细观的体积分数、配位数、颗粒旋转角度等参数以及力链结构形态的演变.并从颗粒体系jamming 相图中J点附近的边壁压强和配位数随体积分数的标度规律出发,分析了剪切带内外的体积分数和配位数的变化.结果表明:剪切带形成于颗粒体系的塑性变形开始阶段,此时体系发生剪胀,颗粒体积分数减小,颗粒体系抵抗旋转的能力降低,开始出现细小剪切带,随着轴向应变的继续,细小剪切带发生连接,最终导致贯穿性优势剪切带形成 关键词： 颗粒物质 力链 双轴压缩 剪切带     

Laser output of radial-slab solid-state laser

In this letter, numerical simulation and experimental study of a radial-slab solid-state laser are presented. The laser includes four crossing-slabs pumped by four Xe flashlamps. The numerical simulation of coherent intensity in the near field and the far field indicates that the laser with the structure can improve the quality of output beam compared with incoherent beam combination. The radial-slab solid-state laser is fabricated, and initial experiments are carried out at a pulse repetition of 1 Hz. Nine beams in the near field and one combined beam in the far field are obtained in our initial experiment. The experimental results are consistent with the numerical analysis in the coherent condition. The results show that coherent beam combination is obtained by this laser.     

Electron-phonon coupling in cuprate and iron-based superconductors revealed by Raman scattering

Electron-phonon coupling （EPC） in cuprate and iron-based superconducting systems, as revealed by Raman scat- tering, is briefly reviewed. We introduce how to extract the coupling information through phonon lineshape. Then we discuss the strength of EPC in different high-temperature superconductor （HTSC） systems and possible factors affecting the strength. A comparative study between Raman phonon theories and experiments allows us to gain insight into some crucial electronic properties, especially superconductivity. Finally, we summarize and compare EPC in the two existing HTSC systems, and discuss what role it may play in the HTSC.     

高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)与Si(110)固体表面作用的电子发射研究

报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子²⁰⁷Pb^q+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关. 关键词： 高电荷态离子 经典过垒模型 电子发射产额     

基于阶梯相位调制的窄谱激光主动照明均匀性

提出一种基于阶梯相位调制的窄谱激光主动照明方法, 利用阶梯型相位调制器对窄谱激光进行相位调制, 提高照明激光到达目标处的光斑均匀性和稳定性. 建立了窄谱激光阶梯相位调制和照明激光远场光斑均匀性的理论模型, 搭建了光束经过1.8 km水平传输的窄谱激光主动照明实验平台, 通过5阶梯相位调制器对0.05 nm线宽的照明激光...     

pn结电容-电压法测量应变SiGe禁带宽度

利用应变SiGe/Si异质pn结电容-电压（C-V）特性确定SiGe禁带宽度的技术.该技术根据SiGe/Si异质pn结C-V实验曲线，计算出 pn结接触电势差，并得到SiGe/Si的价带偏移量和导带偏移量，进而求得SiGe禁带宽度.该技术测试方法简便，其过程物理意义清晰，既适用于分立的SiGe/Si异质pn结，也可直接分析SiGe/Si异质结器件中的SiGe 禁带宽度.实验结果与理论计算及其他相关文献报道的结果符合较好. 关键词： SiGe/Si 异质pn结 C-V 禁带宽度     

双层有机EL器件ITO/PPV/Alq3/Al发光稳定性的研究

制备了一组由PPV和Alq3组成的双层有机EL器件ITO/PPV/Alq3/Al;比较了两个发光层厚度不同时器件发光性能的差异.测试和分析了温度、真空度、工作电压和存放时间对器件衰减规律的影响.