一道竞赛题的推广

问题（第十四届“希望杯”高一第二试）若sin^3θ-COS^3θ=-1，则sinθ-cosθ的值为     

巧解一道新定义“离散曲率”问题

<正>题目设P为多面体M的一个顶点,定义多面体M在点P处的离散曲率为:1-1/2π(∠Q₁PQ₂+∠Q₂PQ₃+…+∠Q_k-1PQ_k+∠Q_kPQ₁),其中Q_i(i=1,2,…,k,k≥3)为多面体M的所有与点P相邻的顶点,且平面Q₁PQ₂,平面Q₂PQ₃,…,平面Q_k-1PQ_k和平面Q_kPQ₁遍历多面体M的所有以P为公共点的面.     

不同产地茯苓皮药材红外光谱的识别

采用红外光谱、二阶导数光谱和二维相关红外光谱对大别山地区和云南省两大道地主产区的茯苓皮进行鉴别分析。结果表明,不同产地茯苓皮的红外光谱都有1 149,1 079和1 036cm-1等表征糖类成分的特征吸收峰,其中大别山产区(湖北省、安徽省)的茯苓皮中1 619,1 315和780cm-1等表征草酸钙的特征吸收峰比较显著,云南产区的茯苓皮中797,779,537和470cm-1等表征硅酸盐的特征吸收峰更加明显。比较450~1 650cm-1波数范围内的二阶导数红外光谱可知,两个产区茯苓皮所含糖类物质有所不同。在二维相关红外光谱中,不同产地茯苓皮所含糖类物质的差异更加直观显著。红外光谱法直观、简单、方便、快速,可以作为鉴别不同产地茯苓皮,诠释产地与药效之间关联性的一种有效准确的新方法。     

多目标模糊优化设计

多目标优化设计的函数曲面复杂并且缺乏分析理论，这使得多目标优化中的统一权法带有更多的盲目性。为解决这一难题，贴近度方法被用来分析统一权法的模糊学实质，并为多目标优化加权处理提供一有效的方法。     

广义置换图的最大亏格(英文)

In this paper we prove that the generalized permutation graph G(n,k) is upper embeddable if it has at most two odd subcycles,and that the maximum genus of G(n,k) is more than[β(G(n,k))/3]in most cases.     

积件式“移动课堂”的构建——基于互联网+化学电子资源的建设研究

随着计算机网络技术的发展,网络资源开发和利用受到越来越多的关注。综合运用Flash动画制作软件、Fireworks和Dreamweaver 8等软件构建积件式化学移动课堂系统,系统中各积件包含:教材重现、素材视窗、微课播送、即时演练及网络交互平台等板块,可为中学化学日常教学、微课、"翻转课堂"以及教育部"三通两平台"教育资源公共服务平台等提供方便的电子资源。     

麦比乌斯梯子C(2n,n)的强边色数

本文研究了麦比乌斯梯子C(2n,n)的强边染色问题.利用组合分析的方法,得到了如下结果:当n=3时,χ'_s(C(2n,n))=9;当n=4时,χ'_s(C(2n,n))=10;当n=5,8时,χ'_s(C(2n,n))=8;当n 3且n≡2(mod 4)时,χ'_s(C(2n,n))=6;当n 7且n≡0,1或3(mod 4)时,χ'_s(C(2n,n))=7.     

两个不交图的联图的最小圈基长度

这篇文章中,我们分两种情形分别给出了计算两个不交图的联图的最小圈基长度的公式.作为它们的应用,我们给出了计算n个相同的图的联图以及完全r-部图等图的最小圈基长度的公式.     

Simulation design of normally-off AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors with p-GaN Schottky hybrid gate

A novel normally-off AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) with a p-GaN Schottky hybrid gate (PSHG) is proposed, and compared with the conventional p-GaN normally-off AlGaN/GaN HEMTs. This structure can be realized by selective etching of p-GaN layer, which enables the Schottky junction and PN junction to control the channel charge at the same time. The direct current (DC) and switching characteristics of the PSHG HEMTs are simulated by Slivaco TCAD, and the p-GaN HEMTs and conventional normally-on HEMTs are also simulated for comparison. The simulation results show that the PSHG HEMTs have a higher current density and a lower on-resistance than p-GaN HEMTs, which is more obvious with the decrease of p-GaN ratios of the PSHG HEMTs. The breakdown voltage and threshold voltage of the PSHG HEMTs are very close to those of the p-GaN HEMTs. In addition, the PSHG HEMTs have a higher switching speed than the conventional normally-on HEMTs, and the p-GaN layer ratio has no obvious effect on the switching speed.     

吸能包装模型结构的冲击响应

利用空气炮冲击实验对吸能包装结构的跌落过程进行模拟,进行了缩比模型的正撞和30°斜撞实验,针对模型实验进行了数值分析,获得了吸能包装结构模型在撞击过程中的应力分布和塑性变形,并将计算情况与实验结果进行了分析。结果表明：在撞击中吸能包装结构主要通过缓冲木材的塑性变形及外钢壳屈曲产生的塑性铰吸收能量,塑性变形主要集中于撞击端,而远离撞击端未见塑性变形;计算中木材本构参数采用顺纹方向压缩应力应变曲线具有一定的有效性。